带隙参考起始电路及参考电压产生器制造技术

本发明专利技术公开了一种带隙参考起始电路，带隙参考起始电路包括上拉单元、偏压电流单元、及起始单元。上拉单元及偏压电流单元耦接于控制节点，而起始单元耦接于带隙参考电路的触发端。在带隙参考电路的起始程序，偏压电流单元被致能而产生偏压电流。当偏压电流下拉控制节点的电压时，起始单元被致能而产生起始电流。当起始电流上拉触发端的电压时，带隙参考电路被致能以提供带隙基准电压及参考偏压。当带隙参考电路被致能而产生参考偏压时，上拉单元产生上拉电流以上拉控制节点的电压。

Band gap reference starting circuit and reference voltage generator

【技术实现步骤摘要】
带隙参考起始电路及参考电压产生器
本专利技术是有关于一种带隙参考起始电路，特别是一种具有较大的噪声容限的带隙参考起始电路。
技术介绍
由于带隙参考电路不会受到电源供应、温度改变或电路负载的影响，因此常被广泛地用来提供稳定的定电压。这个定电压可以被电荷泵用作参考电压，并产生出系统所需的其他高压。因此，带隙基准电压的稳定性对整个系统而言十分关键。在现有技术中，带隙参考电路是根据电压侦测的结果触发起始程序。也就是说，当系统上电时，如果带隙参考电路所产生的参考电压尚未达到预定值，起始程序就会被触发。在此情况下，带隙参考电路的起始程序的噪声容限通常相当小，并且很大程度地与组件的制程相关。因此，当供应电压不稳定时，带隙基准电压的变动就会轻易地再次触发带隙参考电路的起始程序，导致系统的不稳定性，甚至造成系统的损害。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种带隙参考起始电路，带隙参考起始电路包括上拉单元、偏压电流单元及起始单元。上拉单元耦接于控制节点。上拉单元在带隙参考电路被致能而产生参考偏压时，产生上拉电流以上拉控制节点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带隙参考起始电路，其特征在于，包括：/n上拉单元，耦接于控制节点，用以在带隙参考电路被致能而产生参考偏压时，产生上拉电流以上拉所述控制节点的电压；/n偏压电流单元，耦接于所述控制节点，用以产生偏压电流以下拉所述控制节点的电压；及/n起始单元，耦接于所述带隙参考电路的触发端，用以产生起始电流以上拉所述触发端的电压；/n其中在所述带隙参考电路的起始程序：/n当所述偏压电流单元下拉所述控制节点的电压时，所述起始单元被致能；及/n当所述起始电流上拉所述触发端的电压时，所述带隙参考电路被致能。/n

【技术特征摘要】
20181116 US 62/768,099;20190909 US 16/563,9591.一种带隙参考起始电路，其特征在于，包括：
上拉单元，耦接于控制节点，用以在带隙参考电路被致能而产生参考偏压时，产生上拉电流以上拉所述控制节点的电压；
偏压电流单元，耦接于所述控制节点，用以产生偏压电流以下拉所述控制节点的电压；及
起始单元，耦接于所述带隙参考电路的触发端，用以产生起始电流以上拉所述触发端的电压；
其中在所述带隙参考电路的起始程序：
当所述偏压电流单元下拉所述控制节点的电压时，所述起始单元被致能；及
当所述起始电流上拉所述触发端的电压时，所述带隙参考电路被致能。


2.如权利要求1所述的带隙参考起始电路，其特征在于所述上拉电流大于所述偏压电流。


3.如权利要求1所述的带隙参考起始电路，其特征在于所述上拉单元包括：第一P型晶体管，具有用以接收第一系统电压的第一端，耦接于所述控制节点的第二端，及用以接收所述参考偏压的控制端。


4.如权利要求1所述的带隙参考起始电路，其特征在于所述偏压电流单元包括：
电流源，用以产生参考电流；
第一N型晶体管，具有用以接收所述参考电流的第一端，用以接收第二系统电压的第二端，及耦接于所述第一N型晶体管的所述第一端的控制端；及
第二N型晶体管，具有耦接于所述控制节点的第一端，用以接收所述第二系统电压的第二端，及耦接于所述第一N型晶体管的所述控制端的控制端。


5.如权利要求1所述的带隙参考起始电路，其特征在于所述起始单元包括：
第二P型晶体管，具有用以接收第一系统电压的第一端，耦接于所述带隙参考电路的所述触发端的第二端，及耦接于所述控制节点的控制端。


6.一种参考电压产生器，其特征在于，包括：
带隙参考电路，用以提供带隙基准电压；及
带隙参考起始电路，包括：
上拉单元，耦接于控制节点，用以在所述带隙参考电路被致能而产生参考偏压时，产生上拉电流以上拉所述控制节点的电压；
偏压电流单元，耦接于所述控制节点，用以产生偏压电流以下拉所述控制节点的电压；及
起始单元，耦接于所述带隙参考电路的触发端，用以产生起始电流以上拉所述触发端的电压；其中在所述带隙参考电路的起始程序：
当所述偏压电流单元下拉所述控制节点的电压时，所述起始单元被致能；及
当所述起始电流上拉所述触发端的电压时，所述带隙参考电路被致能。


7.如权利要求6所述的参考电压产生器，其特征在于所述上拉电流大于所述偏压电流。


8.如权利要求6所述的参考电压产生器，其特征在于所述上拉单元包括：
第一P型晶体管，具有用以接收第一系统电压的第一端，耦接于所述控制节点的第二端，及用以接收所述参考偏压的控制端。


9.如权利要求6所述的参考电压产生器，其特征在于所述偏压电流单元包括：
电流源，用以产生参考电流；
第一N型晶体管，具有用以接收所述参考电流的第一端，用以接收第二系统电压的第二端，及耦接于所述第一N型晶体管的所述第一端的控制端；及
第二N型晶体管，具有耦接于所述控制节点的第一端，用以接收所述第二系统电压的第二端，及耦接于所述第一N型晶体管的所述控制端的控制端。


10.如权利要求6所述的参考电压产生器，其特征在于所述起始单元包括：
第二P型晶体管，具有用以接收第一系统电压的第一端，耦接于所述带隙参考电路的所述触发端的第二端，及耦接于所述控制节点的控制端。


11.如权利要求6所述的参考电压产生器，其特征在于所述带隙参考电路包括：
放大器，具有正输入端，耦接于所述带隙参考电路的所述触发端的负输入端，及用以提供所述参考偏压的输出端；
第三P型晶体管，具有用以接收第一系统电压的第一端，第二端，及耦接于所述放大器的所述输出端的控制端；
第四P型晶体管，具有用以接收所述第一系统电压的第一端，用以输出所述带隙基准电压的第二端，及耦接于所述第三P型电晶的所述控制端的控制端；
第一电阻，具有耦接于所述第三P型晶体管的所述第二端的第一端，及耦接于所述放大器的所述正输入端的第二端；
第二电阻，具有耦接于所述第四P型晶体管的所述第二端的第一端，及耦接于所述放大器的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建翰，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71