【技术实现步骤摘要】
一种用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器及其使用方法
本专利技术专利涉及硬X射线/伽玛射线定量测量领域。具体地，涉及一种用于测量Si-PIN探测器有效灵敏面积的硬X射线/伽玛射线准直器及其使用方法。
技术介绍
Si-PIN探测器通常由离子注入技术在Si单晶片两面分别形成P型半导体和N型半导体制成。当用作电离辐射定量测量时，通常把死层做得很薄，使得电离辐射的大部分能量沉积在中间的I层。由于单位电离辐射能产生的电子-空穴对数量从统计上讲是一个固定的值，通过测量探测器流过的电荷量能够推算沉积在探测器内部的电离能(R.W.Kuckuck,1971)。为了减小单晶片边界产生的漏电流，迎光面的P型层(或N型层)通常不完全覆盖整个晶片。在用作紫外线/软X射线定量探测器时，可通过光窗限制照射区域，使边界不影响定量测量。由于硬X射线/伽玛射线具有很强的穿透性，难以利用光窗限制照射区域，在定量测量中需要考虑边界区域的影响
技术实现思路
本专利技术涉及的准直器及其使用方法能够定量测量Si-PIN探测器对硬X射线/伽玛射线...
【技术保护点】
1.一种用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特征在于，所述准直器包括：/nAB两个部件，A部件位于射线源预设范围内，用于对光源发光区域进行限制；B部件用在探测器段，用于对射线进行准直和限光，并屏蔽其它方向的干扰射线；A部件为带有一个第一通光孔的金属板；B部件为带有N个准直管安装孔和N个探测器小腔的金属块，准直管安装孔与探测器小腔一一对应，准直管安装孔与其对应的探测器小腔连通，贯穿整个金属块，且准直管安装孔位于金属块的一面，探测器小腔贯穿到金属块的对面，N大于或等于1。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特征在于，所述准直器包括：
AB两个部件，A部件位于射线源预设范围内，用于对光源发光区域进行限制；B部件用在探测器段，用于对射线进行准直和限光，并屏蔽其它方向的干扰射线；A部件为带有一个第一通光孔的金属板；B部件为带有N个准直管安装孔和N个探测器小腔的金属块，准直管安装孔与探测器小腔一一对应，准直管安装孔与其对应的探测器小腔连通，贯穿整个金属块，且准直管安装孔位于金属块的一面，探测器小腔贯穿到金属块的对面，N大于或等于1。
2.根据权利要求1所述的用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特征在于，A部件正面和背面外形为正方形或长方形，A部件的材料为铅，A部件的厚度大于或等于1厘米且小于或等于10厘米。
3.根据权利要求1所述的用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特征在于，第一通光孔垂直贯穿A部件，第一通光孔的形状为圆形，第一通光孔位于A部件中心。
4.根据权利要求1所述的用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特征在于，金属块外形为长方体，金属块材料为铅，金属块沿准直管方向的长度为两倍准直管长度；金属块垂直于准直管方向的长度与准直管长度相等。
5.根据权利要求1所述的用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特征在于，B部件匹配有M个准直管，M大于或等于1。
6.根据权利要求6所述的用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特征在于，准直管外形为柱体，准直管的形状为圆柱体，准直管的材料为钨，准直管的长度大于或等于1厘米且小于或等于10厘米。
7.根据权利要求6所述的用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：王昆仑，张思群，周少彤，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院流体物理研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51
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