有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石及其制备方法和应用，该方法采用乙二胺四甲叉膦酸螯合铜离子后插层镁铝水滑石制备有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石。本发明专利技术采用共沉淀与阴离子交换法使乙二胺四甲叉膦酸螯合铜离子后插层镁铝水滑石，一方面，可拓宽有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石适用的pH范围，提高其催化稳定性，另一方面层间距大大增大，从而使其具有较高的有机物降解效率，其在可见光下催化降解罗丹明B的降解效率达到98.2％。

Organic phosphonate chelated copper ion intercalated mg Al hydrotalcite and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石及其制备方法和应用
本专利技术涉及无机-有机复合材料制备
，特别涉及一种有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石及其制备方法和应用。
技术介绍
水滑石类化合物又被称作层状双羟基复合金属氢氧化物，它是由层间阴离子与带正电荷的层板有序组装而成的化合物，其结构类似于水镁石Mg(OH)2。水滑石的组成通式为[M(II)1-xM(III)x(OH)2]x+An-x/n·mH2O，其中M2+代表层上二价金属离子；M3+代表层上三价金属离子；An-为层间阴离子；x是M2+与[M2++M3+]的摩尔比；m是水合系数。因水滑石的特殊结构和组成，其具插层阴离子客体种类和数量可调变性，有层板金属离子可调变性，主体层板电荷密度和分布可调变性等特点。可插入水滑石层间阴离子有简单无机阴离子、有机阴离子、聚合物阴离子、杂多酸配合物阴离子等。水滑石插层材料的制备方法有：共沉淀法、离子交换法、焙烧还原法和均相沉淀法等，目前水滑石插层化学已得到广泛发展，多种类型的阴离子被引入到主体层状材料的层状区域内，赋予了水滑石不同的性质，如光催化性。乙二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)将六水合硝酸镁与九水合硝酸铝溶于去二氧化碳的水中，然后，加入碱液调节pH至9-11，在氮气保护下进行共沉淀反应，待所述共沉淀反应结束后，晶化，离心，洗涤，真空干燥，得到镁铝水滑石；/n2)常温下，将所述镁铝水滑石溶于去二氧化碳的水中，在氮气保护下搅拌，得到料浆A；/n3)将乙二胺四甲叉膦酸溶于碱液中，得到溶液B；/n4)将三水合硝酸铜溶于去二氧化碳的水中，得到溶液C；/n5)将所述溶液C滴加至所述溶液B中，然后，常温下搅拌，得到乙二胺四甲叉膦酸螯合铜离子溶液；/n6)常温下，将所述料浆A加入至所述乙二胺四甲叉...

【技术特征摘要】
1.一种有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将六水合硝酸镁与九水合硝酸铝溶于去二氧化碳的水中，然后，加入碱液调节pH至9-11，在氮气保护下进行共沉淀反应，待所述共沉淀反应结束后，晶化，离心，洗涤，真空干燥，得到镁铝水滑石；
2)常温下，将所述镁铝水滑石溶于去二氧化碳的水中，在氮气保护下搅拌，得到料浆A；
3)将乙二胺四甲叉膦酸溶于碱液中，得到溶液B；
4)将三水合硝酸铜溶于去二氧化碳的水中，得到溶液C；
5)将所述溶液C滴加至所述溶液B中，然后，常温下搅拌，得到乙二胺四甲叉膦酸螯合铜离子溶液；
6)常温下，将所述料浆A加入至所述乙二胺四甲叉膦酸螯合铜离子溶液中，在氮气保护下搅拌，进行阴离子交换反应，待所述阴离子交换反应结束后，离心，洗涤，真空干燥，得到有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石。


2.根据权利要求1所述的有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中所述共沉淀反应的反应温度为45～75℃，反应时间为0.5～2.5h；所述步骤1)中所述晶化的晶化温度为90-110℃，晶化时间为18-36h；所述步骤1)中所述真空干燥的干燥温度为45-65℃，干燥时间为24-48h。


3.根据权利要求1所述的有机膦酸螯合铜离子插层镁铝水滑石的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中所述六水合硝酸镁与九水合硝酸铝的摩尔比为3∶1；所述步骤1)中所述碱液为氢氧化钠溶液，或为氢氧化钾溶液，或为pH＝9～10的氨水-氯化铵混合缓冲碱液；所述氢氧化钠溶液或所述氢氧化钾溶液的浓度均为0.3～...

【专利技术属性】
技术研发人员：张华丽，张家鑫，吴汉军，潘志权，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42