氮化硼粉末、其制造方法及使用其的散热构件技术

本发明专利技术主要目的是提供传导率优异、粒子强度高的氮化硼粉末。氮化硼粉末，其包含一次粒子为鳞片状的六方晶氮化硼凝集成块状粒子而得的块状氮化硼，所述氮化硼粉末具有以下的(A)～(C)的特征：(A)块状粒子的累积破坏率为63.2％时的粒子强度为5.0MPa以上；(B)氮化硼粉末的平均粒径为2μm以上且20μm以下；(C)氮化硼粉末的根据X射线衍射求出的取向性指数为20以下。

Boron nitride powder, its manufacturing method and its heat dissipation components

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化硼粉末、其制造方法及使用其的散热构件
本专利技术涉及氮化硼(BN)粉末、其制造方法及其用途。本专利技术尤其涉及氮化硼粉末、其制造方法及使用其的导热树脂组合物。
技术介绍
对于功率器件、晶体管、晶闸管、CPU等发热性电子部件而言，如何将使用时产生的热予以高效地散热成为重要的课题。以往，作为这样的散热对策，通常进行下述操作：(1)使安装发热性电子部件的印刷布线板的绝缘层高导热化；(2)将发热性电子部件或安装有发热性电子部件的印刷布线板借助电绝缘性的热界面材料(ThermalInterfaceMaterials)安装于散热器。作为印刷布线板的绝缘层及热界面材料，使用了在有机硅树脂、环氧树脂中填充陶瓷粉末而成的产物。近年来，随着发热性电子部件内的电路的高速·高集成化、及发热性电子部件在印刷布线板上的安装密度的增加，电子设备内部的发热密度正在逐年增加。因此，要求具有比以往更高的导热系数的陶瓷粉末。另外，随着上述电子构件的高性能化，使用的绝缘层也存在相较以往的数百μm进一步薄膜化的倾向，有时成为数十μm以上且100μm以下，与其对应的填本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.氮化硼粉末，其包含一次粒子为鳞片状的六方晶氮化硼凝集成块状粒子而得的块状氮化硼，/n所述氮化硼粉末具有以下的(A)～(C)的特征：/n(A)所述块状粒子的累积破坏率为63.2％时的粒子强度为5.0MPa以上；/n(B)所述氮化硼粉末的平均粒径为2μm以上且20μm以下；/n(C)所述氮化硼粉末的根据X射线衍射求出的取向性指数为20以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171013 JP 2017-1998451.氮化硼粉末，其包含一次粒子为鳞片状的六方晶氮化硼凝集成块状粒子而得的块状氮化硼，
所述氮化硼粉末具有以下的(A)～(C)的特征：
(A)所述块状粒子的累积破坏率为63.2％时的粒子强度为5.0MPa以上；
(B)所述氮化硼粉末的平均粒径为2μm以上且20μm以下；
(C)所述氮化硼粉末的根据X射线衍射求出的取向性指数为20以下。


2.散热构件，其包含权利要求1所述的氮化硼粉末，且膜厚为100μm以下。


3.权利要求1所述的氮化硼粉末的制造方法，其包括如下工序：
加压氮化烧成工序，在1800℃以上并且0.6MPa以上的氮加压气氛下，对碳量为18％以上且21％以下并且平均粒径为5μm以上且15μm以下的碳化硼进行烧成；
脱碳结晶化工序，将通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹田豪，中嶋道治，谷口佳孝，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP