一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用技术

本发明专利技术提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用，包括，衬底；第一反射层，形成在所述衬底上；至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；绝缘层，形成在所述至少两个发光单元之间；至少一个第一电极，与所述第一反射层接触，形成公共阳极；至少两个第二电极，形成在所述至少两个发光单元上，每一所述发光单元内的所述至少两个发光子单元通过所述第二电极连接；其中，每一所述发光子单元内包括一发光孔，所述第二电极围绕在所述发光孔的外周。本发明专利技术提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。

A vertical cavity surface emitting laser and its manufacturing method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用
本专利技术涉及激光
，特别涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL)是以砷化镓半导体材料为基础研制，有别于LED(发光二极管)和LD(LaserDiode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种垂直表面出光的新型激光器，与传统边发射激光器不同的结构带来了许多优势：圆形对称的远、近场分布使其与光纤的耦合效率大大提高，而不需要复杂昂贵的光束整形系统，现已证实与多模光纤的耦合效率竟能大于90％；光腔长度极短，导致其纵模间距拉大，可在较宽的温度范围内实现单纵模工作，动态调制频率高；腔体积减小使得其自发辐射因子较普通端面发射激光器高几个数量级，这导致许多物理特性大为改善；可以在晶圆上片测试，极大地降低了开发成本；出光方向垂直衬底，可以很本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括，/n衬底；/n第一反射层，形成在所述衬底上；/n至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；/n绝缘层，形成在所述至少两个发光单元之间；/n至少一个第一电极，与所述第一反射层接触，形成公共阳极；/n至少两个第二电极，形成在所述至少两个发光单元上，每一所述发光单元内的所述至少两个发光子单元通过所述第二电极连接；/n其中，每一所述发光子单元内包括一发光孔，所述第二电极围绕在所述发光孔的外周。/n

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括，
衬底；
第一反射层，形成在所述衬底上；
至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；
绝缘层，形成在所述至少两个发光单元之间；
至少一个第一电极，与所述第一反射层接触，形成公共阳极；
至少两个第二电极，形成在所述至少两个发光单元上，每一所述发光单元内的所述至少两个发光子单元通过所述第二电极连接；
其中，每一所述发光子单元内包括一发光孔，所述第二电极围绕在所述发光孔的外周。


2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，每一所述发光子单元包括有源层及第二反射层，所述有源层形成在所述第一反射层上，所述二反射层形成在所述有源层上。


3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述至少两个发光单元之间形成有第一沟槽，所述第一沟槽从所述第二反射层延伸至所述第一反射层的表面。


4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，部分所述绝缘层形成在所述第一沟槽内，且部分所述绝缘层沿着所述第一沟槽的侧壁延伸至所述发光子单元上。


5.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述至少两个发光子单元之间形成有第二沟槽，所述第二沟槽从所述第二反射层延伸至所述第一反射层的表面。


6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，部分所述绝缘层形成在所述第二沟槽内，部分所述第二电极形成在所述第二沟槽内，且部分所述第二电极覆盖部分所述绝缘层以连接所述发光子单元。

【专利技术属性】
技术研发人员：张成，梁栋，刘嵩，赵励，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32