一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用技术

本发明专利技术提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用，包括，衬底；第一反射层，形成在所述衬底上；至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；第一沟槽，形成在所述至少两个发光单元之间，所述第一沟槽暴露出所述衬底；绝缘层，形成在所述第一沟槽内；第一电极，形成在所述至少两个发光单元上，连接所述至少两个发光单元，且每一所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，形成公共阳极；至少两个第二电极，与所述第一反射层接触；其中，所述第一电极覆盖所述发光子单元，所述发光子单元发射的光线通过所述衬底出射。本发明专利技术提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。

A vertical cavity surface emitting laser and its manufacturing method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用
本专利技术涉及激光
，特别涉及一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种垂直表面出光的新型激光器，与传统边发射激光器不同的结构带来了许多优势：圆形对称的远、近场分布使其与光纤的耦合效率大大提高，而不需要复杂昂贵的光束整形系统，现已证实与多模光纤的耦合效率竟能大于90％；光腔长度极短，导致其纵模间距拉大，可在较宽的温度范围内实现单纵模工作，动态调制频率高；腔体积减小使得其自发辐射因子较普通端面发射激光器高几个数量级，这导致许多物理特性大为改善；可以在晶圆上片测试，极大地降低了开发成本；出光方向垂直衬底，可以很容易地实现高密度二维面阵的集成，实现更高功率输出，并且因为在垂直于衬底的方向上可并行排列着多个激光器，所以非常适合应用在并行光传输以及并行光互连等领域，它以空前的速度成功地应用于单通道和并行光互联，以它很高的性能价格比，在宽带以太网、高速数据通信网中得到了大量的应用；最吸引人的是它的制造工艺与发光二极管(LED)兼容，大规模制造的成本很低。...

【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括，/n衬底；/n第一反射层，形成在所述衬底上；/n至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；/n第一沟槽，形成在所述至少两个发光单元之间，所述第一沟槽暴露出所述衬底；/n绝缘层，形成在所述第一沟槽内；/n第一电极，形成在所述至少两个发光单元上，连接所述至少两个发光单元，且每一所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，形成公共阳极；/n至少两个第二电极，与所述第一反射层接触；/n其中，所述第一电极覆盖所述发光子单元，所述发光子单元发射的光线通过所述衬底出射。/n

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括，
衬底；
第一反射层，形成在所述衬底上；
至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；
第一沟槽，形成在所述至少两个发光单元之间，所述第一沟槽暴露出所述衬底；
绝缘层，形成在所述第一沟槽内；
第一电极，形成在所述至少两个发光单元上，连接所述至少两个发光单元，且每一所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，形成公共阳极；
至少两个第二电极，与所述第一反射层接触；
其中，所述第一电极覆盖所述发光子单元，所述发光子单元发射的光线通过所述衬底出射。


2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，每一所述发光子单元包括有源层及第二反射层，所述有源层形成在所述第一反射层上，所述二反射层形成在所述有源层上。


3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一沟槽贯穿所述第一反射层，将所述第一反射层分成多个部分。


4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，部分所述第一电极位于所述第一沟槽内，部分所述第一电极位于所述绝缘层上。


5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述多个发光子单元之间形成有第二沟槽，所述第二沟槽暴露出所述第一反射层。


6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，部分所述绝缘层形成在所述第二沟槽内，部分所述第一电极形成在所述第二沟槽内。


7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一反射层形成在所述衬底的第二表面上。


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【专利技术属性】
技术研发人员：张成，刘嵩，梁栋，翁玮呈，丁维遵，赵励，张鹏飞，毛明明，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32