显示装置制造方法及图纸

公开了能够减小非显示区域的显示装置。所公开的显示装置包括包含设置在有源区内的至少一个孔区的基板、以及穿过设置在发光元件下方同时包括由不同材料制成的上绝缘膜和下绝缘膜的无机绝缘膜的至少一个阻挡孔。上无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面分别突出超过下无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面。因此，可以使作为非显示区域的边框区最小化，并且可以通过阻挡孔使发光叠层断开。

display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请要求于2018年11月22日提交的韩国专利申请第10-2018-0145431号的权益，通过引用将其如同在本文中完全阐述的那样并入本文。
本公开内容涉及显示装置，并且更具体地涉及能够减小非显示区域的显示装置。
技术介绍
在屏幕上呈现各种信息的图像显示装置是信息时代的核心技术。这种图像显示装置正朝着增强的薄度、增强的亮度和增强的便携性以及增强的性能发展。与此相关，能够消除阴极射线管(CRT)的重型和庞大结构的缺点的平板显示装置更为突出。这种平板显示装置的代表性示例可以包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(ED)装置等。这种平板显示装置用于各种类型的电器例如电视(TV)、监视器和便携式电话，并且通过向其添加摄像装置、扬声器和传感器而得到进一步发展。然而，摄像装置、扬声器、传感器等设置在显示装置的非显示区域中，并且因此，作为非显示区域的边框区增加。因此，常规显示装置存在显示区域减小的问题。
技术实现思路
因此，本公开内容涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的显示装置。本专利技术的目的是提供一种能够减小非显示区域的显示装置。本专利技术的另外的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将对本领域的普通技术人员而言在审阅以下内容后变得明显，或者可以通过本专利技术的实践而获知。本专利技术的目的和其他优点可以通过在其书面说明书及权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。为了实现这些目的和其他优点，并且根据本专利技术的目的，如本文体现和广泛描述的，一种显示装置包括包含设置在有源区内的至少一个孔区的基板、以及穿过设置在发光元件下方同时包括由不同材料制成的上绝缘膜和下绝缘膜的无机绝缘膜的至少一个阻挡孔。上无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面分别突出超过下无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面。因此，可以使作为非显示区域的边框区最小化，并且可以通过阻挡孔使发光叠层断开。应当理解的是，本专利技术的上述一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的专利技术的进一步说明。附图说明被包括以提供对本专利技术的进一步理解并且被并入且构成本申请的一部分的附图示出了本专利技术的实施方式，并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中：图1是示出根据本专利技术的有机发光显示装置的视图；图2是沿图1中的线I-I截取的截面图，示出了具有根据本专利技术的第一实施方式的结构的有机发光显示装置；图3A和图3B是示出图2中所示的阻挡孔的实施方式的截面图；图4是示出装配在图2中所示的基板孔中的摄像模块的截面图；图5A至图5C是说明用于形成图3A中所示的阻挡孔的方法的截面图；图6是示出根据本专利技术的第二实施方式的显示装置的截面图；图7是具体说明图6中所示的阻挡孔的截面图；图8是示出根据本专利技术的第三实施方式的显示装置的截面图；图9是具体说明图6中所示的阻挡孔的截面图；以及图10是示出图2中所示的通孔的另一实施方式的截面图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述本专利技术的优选实施方式。参照图1和图2，示出了显示装置。显示装置包括有源区AA和焊盘区PDA。多个焊盘122形成在焊盘区PDA中，以分别向设置在有源区AA中的多个信号线供应驱动信号。这里，每个信号线106包括扫描线SL、数据线DL、高电压(VDD)供应线或低电压(VSS)供应线中的至少一个。有源区AA包括发射区EA、边框区BA和孔区HA。单位像素分别设置在发射区EA中，其中，单位像素中的每个单位像素包括发光元件130。每个单位像素可以如图1所示由红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素构成，或者可以由红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素和白色(W)子像素构成。每个子像素包括一个发光元件130和用于独立驱动发光元件130的像素驱动电路。像素驱动电路包括开关晶体管TS、驱动晶体管TD和存储电容器Cst。当扫描脉冲供应至对应的扫描线SL时，开关晶体管TS导通。在这种状态下，供应至对应数据线DL的数据信号经由开关晶体管TS供应至电容器Cst和驱动晶体管TD的栅电极。驱动晶体管TD响应于供应至其栅电极的数据信号而控制从对应的高电压(VDD)供应线供应至发光元件130的电流I，从而调节从发光元件130发出的光的量。即使当开关晶体管TS关断时，驱动晶体管TD也通过存储电容器Cst中充有的电压来供应恒定电流I，直至供应下一帧的数据信号，并且因此，发光元件130保持光的发射。图2示出了根据本专利技术的第一实施方式的显示装置。如图2所示，由附图标记“150”指示的驱动晶体管TD包括设置在有源缓冲层114上的有源层154、在栅极绝缘膜116介于有源层154与栅电极152之间的情况下与有源层154交叠的栅电极152、以及形成在层间绝缘膜102上同时接触有源层154的源电极156和漏电极158。有源层154由非晶半导体材料、多晶半导体材料或氧化物半导体材料中的至少一种制成。有源层154包括沟道区、源极区和漏极区。在栅极绝缘膜116介于沟道区与栅电极152之间的情况下，沟道区与栅电极152交叠，并且因此，沟道区被限定在源电极156与漏电极158之间。源极区经由穿过栅极绝缘膜116和层间绝缘膜102的源极接触孔124S电连接至源电极156。漏极区经由穿过栅极绝缘膜116和层间绝缘膜102的漏极接触孔124D电连接至漏电极158。多缓冲层112和有源缓冲层114设置在有源层154与基板101之间。多缓冲层112用作延迟渗透至基板101中的水分(moisture)和/或氧气的扩散。有源缓冲层114执行保护有源层154和阻挡从基板101传播的各种缺陷的功能。多缓冲层112、有源缓冲层114或基板101中的至少一个具有多层结构。在这种情况下，多缓冲层112的与有源缓冲层114接触的最上层由具有与多缓冲层112、有源缓冲层114和栅极绝缘层116的其余层的蚀刻特性不同的蚀刻特性的材料制成。多缓冲层112的与有源缓冲层114接触的最上层由硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)中的一个制成。多缓冲层112、有源缓冲层114和栅极缓冲层116的其余层由SiNx和SiOx中的另一个制成。例如，多缓冲层112的与有源缓冲层114接触的最上层由SiNx制成，而多缓冲层112、有源缓冲层114和栅极缓冲层116的其余层由SiOx制成。发光元件130包括连接至驱动晶体管150的漏电极158的阳极132、形成在阳极132上的至少一个发光叠层134以及形成在发光叠层134上以连接至低电压(VSS)供应线的阴极136。这里，低电压(VSS)供应线供应比通过高电压(VDD)供应线供应的高电压低的电压。阳极132电连接至驱动晶体管150的通过穿过设置在驱动晶体管150上的平坦化层104的像素接触孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n基板，其包括有源区，所述有源区包括发射区和至少一个孔区；/n设置在所述发射区中的所述基板上的发光元件；/n设置在所述发光元件下方的多个无机绝缘膜，所述多个无机绝缘膜包括由不同材料制成的上绝缘膜和下绝缘膜；以及/n穿过所述多个无机绝缘膜的至少一个阻挡孔，/n其中，所述上无机绝缘膜的通过所述阻挡孔露出的侧表面突出超过所述下无机绝缘膜的通过所述阻挡孔露出的侧表面。/n

【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01454311.一种显示装置，包括：
基板，其包括有源区，所述有源区包括发射区和至少一个孔区；
设置在所述发射区中的所述基板上的发光元件；
设置在所述发光元件下方的多个无机绝缘膜，所述多个无机绝缘膜包括由不同材料制成的上绝缘膜和下绝缘膜；以及
穿过所述多个无机绝缘膜的至少一个阻挡孔，
其中，所述上无机绝缘膜的通过所述阻挡孔露出的侧表面突出超过所述下无机绝缘膜的通过所述阻挡孔露出的侧表面。


2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
连接至所述发光元件的薄膜晶体管，
其中，所述多个无机绝缘膜包括依次层叠在所述薄膜晶体管的源电极和漏电极中的每一个与所述薄膜晶体管的栅电极之间的第一层间绝缘膜、第二层间绝缘膜和第三层间绝缘膜。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述下无机绝缘膜是所述第一层间绝缘膜；
所述上无机绝缘膜是设置在所述第一层间绝缘膜上的所述第二层间绝缘膜；
所述第一层间绝缘膜和所述第三层间绝缘膜由硅氮化物制成；以及
所述第二层间绝缘膜由硅氧化物制成。


4.根据权利要求2所述的显示装置，其中：
所述下无机绝缘膜是所述第二层间绝缘膜；
所述上无机绝缘膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙石宇，尹净基，朴锺汉，金朝涓，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR