一种可调节的射频渗透磁场增强电离源制造技术

本发明专利技术公开了一种可调节的射频渗透磁场增强电离源，包括射频真空紫外灯(RF‑VUV)、射频电路控制板、电离源腔体、电极片和永久磁铁。该电离源将射频场和磁场结合在一起对电子同时作用，提高样品分子的电离效率从而提高仪器的检测灵敏度。其中射频场对电离源内的电子具有存储功能类似于阱的作用，磁场则可以增加电子的运动路径提高电子与样品分子的碰撞几率，通过这两方面的同时作用进一步提高了仪器的检测灵敏度。

An adjustable RF permeating magnetic field enhanced ionization source

【技术实现步骤摘要】
一种可调节的射频渗透磁场增强电离源
本专利技术专利应用于仪器的电离源部分，具体来书就是利用该专利技术专利提高仪器对样品的检测灵敏度，实现低浓度样品的检测。与单一技术的电离源项目，该方法将两种技术高效的结合在一起进一步提高了样品分子的电离效率，在提高检测灵敏的同时拓宽了仪器的应用范围。
技术介绍
电离源是将引入的样品分子电离成离子的装置，是仪器的核心部件之一。电离源的电离能力，电离效率和稳定性是影响仪器可分析物范围、灵敏度和信号稳定性的关键因素。因此电离源的研究一直备受关注，并产生了适用于不同场合、不同类型的电离源，例如传统的电子电离(EI)源、化学电离(CI)源、电喷雾电离(ESI)源等。相比于以上的几种电离源，采用真空紫外(vacuumultraviolet,VUV)光源的单光子电离(singlephotoionization，SPI)源，属于一种软电离源具有其独特的优势，其主要产生待测样品的分子离子峰，得到的谱图简单，而且其灵敏度高、通用性好。但SPI的灵敏度和VUV光源的输出光强度直接相关，为了提高SPI的灵敏度，目前国际上对SPI电离源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调节的射频渗透磁场增强电离源，其特征在于：包括射频真空紫外灯(1)、射频电路控制板(2)、电离源腔体(3)、板状电极(4)、圆筒状电极(5)、离子引出电极(6)和永久磁铁(7)；/n射频电路控制板(2)的电压输出端与射频真空紫外灯(1)相连接；/n电离源腔体(3)为一密闭中空腔室，于电离源腔体(3)顶部设有通孔，射频真空紫外灯(1)垂直放置在电离源腔体(3)通孔上方，射频真空紫外灯(1)与腔室上表面的通孔四周边缘密闭连接，射频真空紫外灯(1)的出光光窗面向通孔，其出射光经通孔射入腔室内；/n于腔室内从上至下依次设有中部带有圆锥台状通孔的板状电极(4)、上下二端开口的圆筒状电极(5)、...

【技术特征摘要】
1.一种可调节的射频渗透磁场增强电离源，其特征在于：包括射频真空紫外灯(1)、射频电路控制板(2)、电离源腔体(3)、板状电极(4)、圆筒状电极(5)、离子引出电极(6)和永久磁铁(7)；
射频电路控制板(2)的电压输出端与射频真空紫外灯(1)相连接；
电离源腔体(3)为一密闭中空腔室，于电离源腔体(3)顶部设有通孔，射频真空紫外灯(1)垂直放置在电离源腔体(3)通孔上方，射频真空紫外灯(1)与腔室上表面的通孔四周边缘密闭连接，射频真空紫外灯(1)的出光光窗面向通孔，其出射光经通孔射入腔室内；
于腔室内从上至下依次设有中部带有圆锥台状通孔的板状电极(4)、上下二端开口的圆筒状电极(5)、中部带有圆锥台状通孔的板状离子引出电极(6)；
于电离源腔体(3)底部设有通孔，离子引出电极(6)四周边缘与通孔内壁面密闭连接；
电离源腔体(3)顶部通孔、板状电极(4)中部通孔、圆筒状电极(5)、板状离子引出电极(6)中部通孔同轴；
于圆筒状电极(5)上开口端沿径向向远离轴线方向设有一圆环状凸台，于圆筒状电极下开口端沿径向向轴线方向设有一圆环...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金旭，李海洋，侯可勇，曹艺雪，吴称心，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21