【技术实现步骤摘要】
一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置
本技术属于电子工程
，具体涉及一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置。
技术介绍
由于对高速、高温和大功率半导体器件需求的不断增长，使得半导体业重新考虑半导体所用设计和材料。应用领域的扩展和军事需求的增加是驱动氮化镓半导体器件市场增长的主要力量。需求量的增加主要是由于氮化镓器件所能带来的在器件重量和尺寸方面的显著改进。另外，氮化镓器件击穿电压的提升有望推动氮化镓在电动车辆中的使用量。但是，随着输出功率与频率的提高，GaN器件产生的热量越来越多，可能影响电子器件的输出功率、频率和可靠性。因此有必要通过冷却技术快速地降低GaN器件的热量。由于金刚石材料具有高热导率，因此将氮化镓键合在金刚石基底上能够高效快速地扩散氮化镓功率器件的热量。传统的键合方法是采用键合剂将金刚石和氮化镓键合到一起。利用键合剂键合后，在器件热循环(比如-55-200摄氏度)的实验中，就会在键合剂层中出现裂纹、空洞甚至剥离等现象。这些现象也会在器件的运行过程中出现。这些现象严重影响到GaN器件的性能...
【技术保护点】
1.一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置，其特征在于，包括：/n真空管路(7)，为一真空的空心腔室；/n氩气枪(2)，设置于所述真空管路(7)的一侧，用于产生氩气束(8)，并将氩气束(8)输送至所述真空管路(7)内；/n汇聚管路(6)，设置于所述真空管路(7)的另一侧，且其与所述真空管路(7)连通；/n所述真空管路(7)内，沿着所述氩气束(8)的流动方向依次间隔设置有电离系统、加速系统和中和系统，其中：/n电离系统，用于提供电场，将氩气束(8)电离为氩等离子体束(9)；/n加速系统，用于提供电场，对所述氩等离子体束(9)进一步加速；/n中和系统，用于过滤经加速的所述氩等离...
【技术特征摘要】
1.一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置，其特征在于，包括：
真空管路(7)，为一真空的空心腔室；
氩气枪(2)，设置于所述真空管路(7)的一侧，用于产生氩气束(8)，并将氩气束(8)输送至所述真空管路(7)内；
汇聚管路(6)，设置于所述真空管路(7)的另一侧，且其与所述真空管路(7)连通；
所述真空管路(7)内，沿着所述氩气束(8)的流动方向依次间隔设置有电离系统、加速系统和中和系统，其中：
电离系统，用于提供电场，将氩气束(8)电离为氩等离子体束(9)；
加速系统，用于提供电场，对所述氩等离子体束(9)进一步加速；
中和系统，用于过滤经加速的所述氩等离子体束(9)，并将其转换为氩原子束(10)，所述氩原子束(10)汇聚于所述汇聚管路(6)处并加速输出。
2.如权利要求1所述的一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置，其特征在于，所述电离系统，为包括多个间隔并列设置的带孔正电压金属板(3)，每个带孔正电压金属板(3)的中心均设置有通孔，所述通孔用于供所述氩气束(8)穿过，各个所述带孔正电压金属板(3)外接电压，各个所述外接电压按照所述氩气束(8)流动的方向为逐级降压。
3.如权利要求1或2所述的一种表面活化过程中高速氩原子束获得装置，其特征在于，所述加速系统，为一带孔接地金属板(4)，所述带孔接地金属板(4)的中心设置有通孔，所述通孔用于供所述氩等离子体束(9)穿过。
4.如权利要求1或2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宏兴，刘璋成，赵丹，胡文波，吴胜利，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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