【技术实现步骤摘要】
一种桥式电极半导体激光器及其制备方法
本专利技术涉及一种桥式电极半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器的
技术介绍
半导体激光器是以半导体材料作为工作物质产生激光的器件。其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的导带和价带之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，大量的电子与空穴复合，产生受激发射作用。半导体激光器是最实用最重要的一类激光器。由于半导体激光器体积小、阈值电流低、转换效率高、功耗小、直接调制、传输信号速率高、寿命长等一系列的突出优点，其在激光通讯、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面获得了广泛的应用。在半导体激光器脊形制备过程中，需要采用刻蚀进行脊区成型，后续工艺进行侧壁绝缘膜保护，然后采用金属薄膜制备工艺进行金属膜层覆盖，以进行封装焊接金属部和欧姆接触金属部连接。如果脊条侧壁上金属薄膜覆盖不好，出现膜层裂缝、断裂、断层等情况，轻微导致裂纹裂缝处漏光、封装老化不稳定，严重导致焊接金属部与欧姆接触金属部无电连接，激光不激射。而实际生产制备工艺中，脊区制备一般采用干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，...
【技术保护点】
1.一种桥式电极半导体激光器，其特征在于，包括自下而上依次设置的，N型接触金属、衬底、N型区、有源区、P型区、绝缘膜和P型接触金属；在衬底上生长的N型区、有源区和P型区构成半导体序列；所述P型区上，沿着前后方向设置有两个沟槽；在P型区上表面，两个沟槽之间的区域为脊区，沟槽位置为沟区，沟槽的外侧依次为肩区和解离区；所述绝缘膜包括两部分，两部分绝缘膜对称设置在脊区的左右两边；所述脊区部分覆盖绝缘膜并全部覆盖P型接触金属，所述肩区全部覆盖绝缘膜和P型接触金属，所述解离区的部分区域有绝缘膜覆盖但无P型接触金属覆盖；所述沟槽的表面设置有保护膜；每个沟槽内设置有多个腐蚀孔，所述腐蚀孔依...
【技术特征摘要】
1.一种桥式电极半导体激光器，其特征在于，包括自下而上依次设置的，N型接触金属、衬底、N型区、有源区、P型区、绝缘膜和P型接触金属；在衬底上生长的N型区、有源区和P型区构成半导体序列；所述P型区上，沿着前后方向设置有两个沟槽；在P型区上表面，两个沟槽之间的区域为脊区，沟槽位置为沟区，沟槽的外侧依次为肩区和解离区；所述绝缘膜包括两部分，两部分绝缘膜对称设置在脊区的左右两边；所述脊区部分覆盖绝缘膜并全部覆盖P型接触金属，所述肩区全部覆盖绝缘膜和P型接触金属，所述解离区的部分区域有绝缘膜覆盖但无P型接触金属覆盖；所述沟槽的表面设置有保护膜；每个沟槽内设置有多个腐蚀孔，所述腐蚀孔依次穿过P型接触金属和绝缘膜与所述沟槽连通。
2.根据权利要求1所述的桥式电极半导体激光器，其特征在于，所述沟槽内的腐蚀孔随机设置；所述N型接触金属部分或全部覆盖于衬底界面；所述保护膜和绝缘膜分别由单层或多层电绝缘膜层构成。
3.根据权利要求1所述的桥式电极半导体激光器，其特征在于，所述沟槽垂直于出光方向的竖直截面形状为
4.根据权利要求1所述的桥式电极半导体激光器，其特征在于，所述P型区上的沟槽，深与上口宽比≥0.2。
5.根据权利要求1所述的桥式电极半导体激光器，其特征在于，所述衬底为GaAs衬底、GaN衬底或SiC衬底。
6.根据权利要求1所述的桥式电极半导体激光器，其特征在于，所述半导体序列的厚度为2～10μm，包括边界值；所述有源区为多量子阱结构；P型区的厚度为1～6μm，包括边界值；所述保护膜的厚度为500～5000埃；所述脊区宽20μm，沟区宽3μm，解离区的宽度为20微米，两部分绝缘膜的之间的距离为18微米；沟槽的深度为2μm；肩区宽度127μm，解离区宽度20μm；所述腐蚀孔的横向截面为1.5微米×4微米长方...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘青，苏建，徐现刚，郑兆河，
申请(专利权)人：潍坊华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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