【技术实现步骤摘要】
检测装置
本专利技术涉及湿度检测装置等检测装置。
技术介绍
作为检测装置，例如湿度检测装置有将湿敏膜用作电介质的静电电容式的湿度检测装置，其中，湿敏膜由介电常数根据吸收的水分量而变化的高分子材料形成。在该静电电容式的湿度检测装置中，在电极间配置湿敏膜，通过测定该电极间的静电电容来求出湿度(相对湿度)(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所记载的湿度检测装置中，在基板上并设有静电电容根据湿度变化的传感器部、进行将从传感器部输出的电荷变换为电压的处理等的电路部。作为用于这样的静电电容式的湿度检测装置的电路部，已知通过电荷放大器将从传感器部输出的电荷变换为电压的结构(例如，参照专利文献2)。在该电路部中，除了电荷放大器外，还设有通过矩形波的交流驱动信号驱动传感器部的驱动电路等。在专利文献1所记载的湿度检测装置中，并设有传感器部和电路部，但从小型化、低成本化的要求出发，设想将传感器部和电路部设为芯片状，在电路部上安装传感器部的层叠结构。在将传感器部和电路部并设的情况下，由于两者相分离，因此两者间传递的...
【技术保护点】
1.一种检测装置，其特征在于，具备：/n半导体基板；/n检测部，其设置于所述半导体基板的上方，输出与物理量对应的信号；以及/n噪声抑制层，其设置于所述检测部的下方的所述半导体基板内，或所述检测部与所述半导体基板之间。/n
【技术特征摘要】
20181116 JP 2018-215854;20181116 JP 2018-2158561.一种检测装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
检测部，其设置于所述半导体基板的上方，输出与物理量对应的信号；以及
噪声抑制层，其设置于所述检测部的下方的所述半导体基板内，或所述检测部与所述半导体基板之间。
2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，
所述噪声抑制层是设置于所述半导体基板内的极性与所述半导体基板相反的扩散层。
3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，
对所述噪声抑制层赋予将与所述半导体基板之间的pn结设为逆偏置的固定电位。
4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，
所述噪声抑制层是设置于所述检测部与所述半导体基板之间的由金属或多晶硅构成的导电层。
5.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，
通过包含所述噪声抑制层的以极性交替反转地方式层压的多个半导体层形成噪声抑制部。
6.根据权利要求5所述的检测装置，其特征在于，
对所述噪声抑制部施加将形成于所述多个半导体层的层间的各pn结设为逆偏置的电压。
7.根据权利要求5所述的检测装置，其特征在于，
所述噪声抑制部包括形成于所述半导体基板的表层的扩散层，
所述扩散层作为因电流流过而发热的电阻体发挥作用。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的检测装置，其特征在于，
所述检测部具有在一对电极间配置有湿敏膜的湿度检测用电容器，输出与湿度对应的信号。
9.根据权利要求8所述的检测装置，其特征在于，
所述湿度检...
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