【技术实现步骤摘要】
检测装置及检测方法
本申请涉及半导体
，具体涉及一种检测装置及检测方法。
技术介绍
在半导体工艺中，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一，所以晶圆缺陷检测是一个非常重要的环节。晶圆缺陷检测是指检测晶圆中是否存在凹槽、颗粒、划痕等缺陷以及这些缺陷的位置。实现高精度检测是晶圆检测的主要难点：与现在半导体水平相对应，晶圆缺陷检测精度需要达到几十纳米量级，小于目前大部分晶圆缺陷检测方法的精度极限，而实际应用中，使用者还希望检测过程可以具有检测速度快、不带来附加污染等特点，给检测方法应用带来挑战。目前常用的缺陷检测方法主要包括电子束扫描检测和光学检测两大类，其中电子束检测是基于电子波与被测样品散射作用的一种成像测量方式，得益于电子波的极端波长，电子束检测在检测精度方面具有巨大的优势，其检测精度可达到1-2纳米，然而电子束检测所需的时间较长，且检测过程需要高真空环境，通常只能用来对少数关键电路环节抽样检查，无法用于全面质量监控。光学检测通过光与晶圆相互作用实现检测，其包括光散射法、光学成像法、光干涉检测等类...
【技术保护点】
1.一种检测设备，其特征在于，包括：/n光源发生器，用于生成待处理光线；/n光源处理器，用于对所述待处理光线进行调节处理，以在待测物上形成尺寸可调节的光斑；/n信号收集器，用于收集探测光，所述探测光由待检测区域上的缺陷经过所述光斑照射而产生，所述待检测区域位于所述待测物的表面；/n探测器，包括光敏区域，所述光敏区域用于对所述探测光进行探测得到探测光信号。/n
【技术特征摘要】
1.一种检测设备，其特征在于，包括：
光源发生器，用于生成待处理光线；
光源处理器，用于对所述待处理光线进行调节处理，以在待测物上形成尺寸可调节的光斑；
信号收集器，用于收集探测光，所述探测光由待检测区域上的缺陷经过所述光斑照射而产生，所述待检测区域位于所述待测物的表面；
探测器，包括光敏区域，所述光敏区域用于对所述探测光进行探测得到探测光信号。
2.根据权利要求1所述的检测设备，其特征在于，所述检测设备还包括：
控制单元，用于控制所述信号收集器的放大倍率与所述光斑的尺寸匹配和处理所述探测光信号得到探测数据。
3.根据权利要求2所述的检测设备，其特征在于，所述匹配为使光斑尺寸与放大倍率的乘积小于或等于所述探测器光敏区域的尺寸。
4.根据权利要求3所述的检测设备，其特征在于，所述光源处理器包括透镜组、光阑组件和运动台；
其中，所述透镜组用于对所述待处理光线进行整形处理，形成待调光束，所述光阑组件，用于对部分待调光束进行遮挡，调节所述光斑尺寸；光阑组件包括至少两个透光区域，至少两个透光区域台通过的待调光束不同；所述运动台用于带动所述光阑组件运动，使所述待调光束照射不同的透光区域。
5.根据权利要求4所述的检测设备，其特征在于，
所述光阑组件包括至少两个孔，所述至少两个孔中的每个孔的尺寸各不相同，所述孔用于使部分待调光束通过，
所述运动台用于搭载所述光阑组件垂直于所述待调光束的传播方向运动，所述光阑组件的运动方向与所述孔的排列方向平行；
或者，所述光阑组件包括一个孔，所述光阑组件的孔具有调节方向，所述光阑组件的孔沿所述调节方向的尺寸不同，所述调节方向垂直于所述待调光束的传播方向；
所述运动台用于搭载所述光阑组件垂直于所述待调光线的传播方向运动，所述运动台的运动方向沿所述调节方向。
6.根据权利要求1-5任一所述的检测设备，其特征在于，
所述信号收集器包括：至少两个收集组件，至少两个收集组件的放大倍率不同。
7.根据权利要求6所述的检测设备，其特征在于，所述信号收集器还包括切换装置，用于使不同的收集组件切换至光路中。
8.根据权利要求7所述的检测设备，其特征在于，
所述信号收集器包括一套信号收集装置，所述信号收集装置包括：至少两个所述收集组件和所述切换装置，所述收集组件包括物镜，所述切换装置包括物镜切换装置；
其中，所述至少两个物镜用于收集所述探测光，所述至少两个物镜中的每一个物镜的倍率各不相同，所述至少两个物镜中的每一个物镜收集的探测光入射到所述探测器中；
所述物镜切换装置用于切换物镜，以调整所述信号收集器的放大倍率。
9.根据权利要求8所述的检测设备，其特征在于，所述物镜为显微物...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鲁，黄有为，崔高增，王天民，
申请(专利权)人：深圳中科飞测科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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