硅芯方锭铸锭装置定向导气块制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种硅芯方锭铸锭装置定向导气块，包括导气块本体，所述导气块本体的横向中轴线上间隔设置有五个通气口，其中，最左边一个通气口设置为出气口，其余四个通气口均设置为进气口，所述导气块本体的正面设置有冷却槽，所述冷却槽内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块、两个前后对称的第二导气凸块以及两个前后对称的第三导气凸块。本实用新型专利技术一种硅芯方锭铸锭装置定向导气块结构设计合理，其具有冷却均匀、提高产品质量的优点。

Directional gas guide block of silicon ingot casting device

【技术实现步骤摘要】
硅芯方锭铸锭装置定向导气块
本技术涉及一种硅芯方锭铸锭装置定向导气块，属于多晶硅生产

技术介绍
多晶硅铸锭装置是一种硅原料重融设备，用于低成本生产太阳能级多晶硅铸锭，其作用是将多晶硅原料按照设定的工艺，经过加热融化、定向结晶、退火、冷却等阶段后成为沿一定方向生长的多晶硅锭。但是，现有的多晶硅铸锭装置结构设计不合理，不利于生产加宽加长型硅芯方锭，定向导气块气体走向单一，冷却不均匀，无法为多晶硅锭提供较好的生长环境，由此，影响了多晶硅锭的结晶质量以及硅芯方锭的尺寸。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种结构设计合理、冷却均匀、提高产品质量的硅芯方锭铸锭装置定向导气块。本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种硅芯方锭铸锭装置定向导气块，包括导气块本体，所述导气块本体的横向中轴线上间隔设置有五个通气口，其中，最左边一个通气口设置为出气口，其余四个通气口均设置为进气口，所述导气块本体的正面的中部设置有冷却槽，所述冷却槽内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块、两个前后对称的第二导气凸块以及两个前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅芯方锭铸锭装置定向导气块，其特征在于：包括导气块本体(21)，所述导气块本体(21)的横向中轴线上间隔设置有五个通气口，其中，最左边一个通气口设置为出气口(22)，其余四个通气口均设置为进气口(23)，所述导气块本体(21)的正面的中部设置有冷却槽(27)，所述冷却槽(27)内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块(24)、两个前后对称的第二导气凸块(25)以及两个前后对称的第三导气凸块(26)，出气口(22)和自左至右排列的第一个进气口(23)位于第一导气凸块(24)内，其余三个进气口(23)位于两个第二导气凸块(25)以及两个第三导气凸块(26)之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅芯方锭铸锭装置定向导气块，其特征在于：包括导气块本体(21)，所述导气块本体(21)的横向中轴线上间隔设置有五个通气口，其中，最左边一个通气口设置为出气口(22)，其余四个通气口均设置为进气口(23)，所述导气块本体(21)的正面的中部设置有冷却槽(27)，所述冷却槽(27)内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块(24)、两个前后对称的第二导气凸块(25)以及两个前后对称的第三导气凸块(26)，出气口(22)和自左至右排列的第一个进气口(23)位于第一导气凸块(24)内，其余三个进气口(23)位于两个第二导气凸块(25)以及两个第三导气凸块(26)之间。


2.根据权利要求1所述的一种硅芯方锭铸锭装置定向导气块，其特征在于：所述第一导气凸块(24)设置为开口向左的U型结构，所述第一导气凸块(24)包括两个前后平行的第一导气凸块横段(24.1)、两个前后对称的向左外侧倾斜的第一导气凸块斜段(24.3)以及一个第一导气凸块纵段(24.2)，所述第一导气凸块纵段(24.2)设置于两个的第一导气凸块横段(24.1)的右侧之间，第一导气凸块纵段(24.2)的前后两端通过第一导气凸块斜段(24.3)分别与两个第一导气凸块横段(24.1)的右端连接，出气口(22)和自左至右排列的第一个进气口(23)位于两个第一导气凸块横...

【专利技术属性】
技术研发人员：宰刘根，金笑，杨晓忠，
申请(专利权)人：江阴东升新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32