【技术实现步骤摘要】
一种零静态功耗的欠压检测电路
本技术属于集成电路设计领域，具体涉及一种零静态功耗的欠压检测电路。
技术介绍
如图1所示，常用的下电欠压检测电路结构中，使用三个串联电阻，产生分压电压，比较器正向输入端连接一个分压点，负向输入端连接参考基准电压，比较器的输出经过反相器整形，产生欠压检测信号，且为低电平时有效。同时，信号端连接NMOSNMOS管的栅极，NMOS管的漏级与分压电阻的第二个分压点连接。NMOS管的源端和第三个电阻的一端共同接地。当检测信号变为低电平后，NMOS管断开，经过第一个分压点升高，产生迟滞效应。常用的下电检测电路结构的电阻和比较器，在正常工作中消耗直流功耗，提高电阻可以减小电阻分压部分的静态功耗，但也不可避免的增加电阻面积，在低功耗应用中不太合适。并且，在电源电压比较低的应用下，参考基准电压和比较器的工作状态很难保证，这使得这种结构在低电压应用下不太适用。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，本技术提出了一种零功耗且能于低电压环境中应用的欠压检测电路。本技术的技术方案如下：
【技术保护点】
1.一种零静态功耗的欠压检测电路，其特征在于，包括PMOS管PM1、PM2和PM3；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD；/nPM1，连接电源电压VDD，输出电压Vp；/nCP，与PM1串联；/nCMOS反相器1，由电源电压VDD、PM2和NM1串联组成，输出电压Va；/nCMOS反相器2，由电源电压VDD、PM3和NM2串联组成，输入电压Va；/n二级反相器，由I1和I2串联而成，输出欠压控制信号；/nCMOS反相器1、CMOS反相器2、二级反相器依次串联，输出欠压控制信号。/n
【技术特征摘要】
1.一种零静态功耗的欠压检测电路，其特征在于，包括PMOS管PM1、PM2和PM3；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD；
PM1，连接电源电压VDD，输出电压Vp；
CP，与PM1串联；
CMOS反相器1，由电源电压VDD、PM2和NM1串联组成，输出电压Va；
CMOS反相器2，由电源电压VDD、PM3和NM2串联组成，输入电压Va；
二级反相器，由I1和I2串联而成，输出欠压控制信号；
CMOS反相器1、CMOS反相器2、二级反相器依次串联，输出欠压控制信号。
2.根据权利要求1所述的一种零静态功耗的欠压检测电路，其特征在于，包括电源电压VDD；所述PM1的栅极(G)与漏极(D)连接且经过电容CP接地，所述PM...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄在龙，
申请(专利权)人：南京芯耐特半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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