公开了一种滤波器装置,其至少包括壳体、第一盘状电容器、第二盘状电容器以及电感器。壳体沿堆叠方向伸长。第一盘状电容器和第二盘状电容器设置在壳体内,其中第一盘状电容器沿堆叠方向堆叠在第二盘状电容器上方。电感器包括设置在壳体内的第一图案化导线。第一图案化导线联接在第一盘状电容器和第二盘状电容器之间。第一图案化导线沿横穿堆叠方向的缠绕方向缠绕。
Coaxial RF filter with disc capacitor
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有盘状电容器的同轴RF滤波器相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月18日提交的美国临时专利申请号62/547533的优先权,出于任何和所有目的,该申请的全部公开内容通过引用整体结合于此。
技术介绍
提供以下描述以帮助读者理解。所提供的信息或引用的参考文献均未被认为是现有技术。射频(RF)滤波器装置是抑制输入信号的带外部分并通过或放大输入信号的带内部分的部件。带内部分对应于RF滤波器装置的带内频率,带外部分对应于带外频率。通过抑制带外部分,可以更好地分析带内部分,以进行进一步的信号处理或测试。例如,RF滤波器装置可以连接在通信系统的两个装置(例如天线、低噪声放大器、混频器、功率放大器、基带电路等)之间,以抑制不想要的谐波或噪声。对于另一示例,RF滤波器装置可以连接在测试设备(例如频谱分析仪、网络分析仪等)与通信系统之间,以在特定频带上测试通信系统的输出。一些RF滤波器装置包括电路部件,比如电感器和电容器。电感器和电容器可能具有寄生元件,比如寄生电感、寄生电容和寄生电阻。寄生元件可减小或增加电感器的电感或电容器的电容。由于电感或电容的改变,RF滤波器装置的带内频率可能偏离目标频带。将RF滤波器装置的带内频率调整为目标频带包括调谐一些电路部件、添加额外的电路部件或两者。另外,寄生元件可降低电路部件的品质因数。为了补偿由于寄生元件导致的品质因数的损失,可以增加电路部件的物理尺寸。因此,由于添加了用于调整带内频率的附加部件,或者由于补偿品质因数的损失而增加了电路部件的物理尺寸,因此某些RF滤波器装置的物理尺寸增加了。
技术实现思路
公开了一种滤波器装置,其至少包括壳体、第一盘状电容器、第二盘状电容器以及电感器。壳体沿堆叠方向伸长。第一盘状电容器和第二盘状电容器设置在壳体内,其中第一盘状电容器沿堆叠方向堆叠在第二盘状电容器上方。电感器包括设置在壳体内的第一图案化导线。第一图案化导线联接在第一盘状电容器和第二盘状电容器之间。第一图案化导线沿横穿堆叠方向的缠绕方向缠绕。在一个或多个实施例中,第一盘状电容器包括沿堆叠方向具有第一管状形状的第一电极和沿堆叠方向具有第二管状形状的第二电极。第二电极的横截面可以围绕着第一电极的横截面。在一个或多个实施例中,第一盘状电容器和第二盘状电容器是多层陶瓷电容器。在一个或多个实施例中,第一图案化导线形成在包括液晶聚合物、氮化铝和陶瓷中的至少一个的主体上。在一个或多个实施例中,第一图案化导线形成在沿堆叠方向具有管状形状的主体上。在一个或多个实施例中,第一图案化导线形成在沿堆叠方向具有增加的高度的主体上,该高度是在垂直于堆叠方向的方向上测量的。在一个或多个实施例中,第一图案化导线形成在沿堆叠方向具有减小的高度的主体上,该高度是在垂直于堆叠方向的方向上测量的。在一个或多个实施例中,第一图案化导线形成在主体上。主体可具有垂直于堆叠方向的第一横截面、垂直于堆叠方向的第二横截面以及垂直于堆叠方向的第三横截面。第一横截面可以比第二横截面更靠近第一盘状电容器,第三横截面可以比第二横截面更靠近第二盘状电容器。在一个或多个实施例中,垂直于堆叠方向的第一横截面的第一高度可以大于垂直于堆叠方向的第二横截面的第二高度,并且垂直于堆叠方向的第三横截面的第三高度可以大于第二高度。在一个或多个实施例中,垂直于堆叠方向的第一横截面的第一高度可以小于垂直于堆叠方向的第二横截面的第二高度,并且垂直于堆叠方向的第三横截面的第三高度可以小于第二高度。前述
技术实现思路
是说明性的,而绝非意图是限制性的。除了上述说明性方面、实施例和特征之外,通过参考以下附图和详细描述,其他方面、实施例和特征将变得显而易见。附图说明图1是根据说明性实施例的具有盘状电容器和图案化导线的同轴RF滤波器装置的平面图。图2是根据说明性实施例的盘状电容器沿图1的线A-A’的横截面图。图3是根据说明性实施例的图1的同轴RF滤波器装置的示意性电路图。图4是根据另一说明性实施例的具有盘状电容器和图案化导线的同轴RF滤波器装置的平面图。图5A是根据说明性实施例的第一电感器沿图4的线B-B’的横截面图。图5B是根据说明性实施例的第一电感器沿图4的线C-C’的横截面图。图5C是根据说明性实施例的第一电感器沿图4的线D-D’的横截面图。图6A是根据说明性实施例的第二电感器沿图4的线E-E’的横截面图。图6B是根据说明性实施例的第二电感器沿图4的线F-F’的横截面图。图6C是根据说明性实施例的第二电感器沿图4的线G-G’的横截面图。图7是根据说明性实施例的电感器的图案化导线的平面图。图8是根据另一说明性实施例的电感器的图案化导线的透视图。结合附图,根据以下描述和所附权利要求,本公开的前述和其他特征将变得显而易见。理解这些附图描绘了根据本公开的多个实施例,因此不应认为限制其范围,将通过使用附图以附加的特征和细节来描述本公开。具体实施方式在下面的详细描述中,参考构成其一部分的附图。在附图中,除非上下文另外指出,否则相似的符号通常标识相似的部件。在详细描述、附图和权利要求中描述的说明性实施例并不意味着是限制性的。在不脱离这里提出的主题的精神或范围的情况下,可以利用其他实施例,并且可以进行其他改变。容易理解的是,可以以各种不同的配置来布置、替换、组合和设计如本文总体描述的和在附图中示出的本公开的各方面,所有这些都被明确地构想并且成为本公开的一部分。公开了一种滤波器装置,其实现了具有图案化导线和盘状电容器的电感器。在一个或多个实施例中,滤波器装置至少包括壳体、第一盘状电容器、第二盘状电容器以及电感器。壳体沿堆叠方向伸长。第一盘状电容器和第二盘状电容器设置在壳体内,其中第一盘状电容器沿堆叠方向堆叠在第二盘状电容器上方。电感器包括设置在壳体内的第一图案化导线。第一图案化导线联接在第一盘状电容器和第二盘状电容器之间。第一图案化导线沿横穿堆叠方向的缠绕方向缠绕。本文中的图案化导线是指包括诸如金属(例如铜、金、银等)的刚性导电材料的导线。有利地,所公开的滤波器装置可以比其他滤波器装置更小尺寸的形式实现。特别地,实施具有图案化导线的电感器允许在每单位长度上实现更高的电感。此外,实施盘状电容器允许在每单位长度上实现更高的电容。此外,所公开的电感器和盘状电容器可以具有改善的品质因数和减少的寄生元件。因此,可以减小电感器和电容器的物理尺寸以实现目标电感、电容、品质因数或其任何组合,从而使得能够减小滤波器装置的整体物理尺寸。示例同轴RF滤波器装置参照图1,根据说明性实施例,示出了具有盘状电容器和图案化导线的同轴RF滤波器装置100(在本文中也称为“滤波器装置100”)的平面图。滤波器装置100包括壳体110、端口105、108、连接器115、118、盘状电容器120A、120B...120E以及电感器130A、130B...130D。这些部件一起工作以在端口1本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种滤波器装置,包括:/n沿堆叠方向伸长的壳体;/n在壳体内的第一盘状电容器;/n在壳体内的第二盘状电容器,第一盘状电容器沿堆叠方向堆叠在第二盘状电容器上方;以及/n电感器,其包括在壳体内的第一图案化导线,第一图案化导线联接在第一盘状电容器和第二盘状电容器之间,第一图案化导线沿横穿堆叠方向的缠绕方向缠绕。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170818 US 62/547,5331.一种滤波器装置,包括:
沿堆叠方向伸长的壳体;
在壳体内的第一盘状电容器;
在壳体内的第二盘状电容器,第一盘状电容器沿堆叠方向堆叠在第二盘状电容器上方;以及
电感器,其包括在壳体内的第一图案化导线,第一图案化导线联接在第一盘状电容器和第二盘状电容器之间,第一图案化导线沿横穿堆叠方向的缠绕方向缠绕。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,所述第一盘状电容器包括沿堆叠方向具有第一管状形状的第一电极和沿堆叠方向具有第二管状形状的第二电极,第二电极的横截面围绕着第一电极的横截面。
3.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,所述第一盘状电容器和第二盘状电容器是多层陶瓷电容器。
4.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,所述第一图案化导线形成在包括液晶聚合物、氮化铝和陶瓷中的至少一个的主体上。
5.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,所述第一图案化导线形成在沿堆叠方向具有管状形状的主体上。
6.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,所述第一图案化导线形成在沿堆叠方向具有增加的高度的主体上,该高度是在垂直于堆叠方向的方向上测量的。
7.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,所述第一图案化导线形成在沿堆叠方向具有减小的高度的主体上,该高度是在垂直于堆叠方向的方向上测量的。
8.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,所述第一图案化导线形成在主体上,该主体具有垂直于堆叠方向的第一横截面、垂直于堆叠方向的第二横截面以及垂直于堆叠方向的第三横截面,第一横截面比第二横截面更靠近第一盘状电容器,第三横截面比第二横截面更靠近第二盘状电容器。
9.根据权利要求8所述的滤波器装置,其中,垂直于堆叠方向的第一横截面的第一高度大于垂直于堆叠方向的第二横截面的第二高度,并且垂直于堆叠方向的第三横截面的第三高度大于第二高度。
10.根据权利要求8所述的滤波器装置,其中,垂直于堆叠方向的第一横截面的第一高度小于垂直于堆叠方向的第二横截面的第二高度,并且垂直于堆叠方向的第三横截面的第三高度小于第二高度。
11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:DM史密斯,
申请(专利权)人:阿维科斯公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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