【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种MEMS同轴滤波器和制作方法
本专利技术涉及通信
,尤其涉及一种MEMS同轴滤波器和制作方法。
技术介绍
微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)以半导体制造技术为基础,具有较高的加工精度,能够完全满足毫米波滤波器的加工精度要求。但由于MEMS滤波器成本高,阻碍了其推广。由于一个晶片的成本是一定的,因此滤波器越小,可以在一个晶片中生产的滤波器越多,且滤波器的成本越低。这意味着微型化对毫米波MEMS滤波器的商业和实际应用非常重要。基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)是多年来最有前景的毫米波滤波器。但其一个致命的缺点是,第一谐波非常接近工作频率,大约是工作频率的1.58倍。并且该谐波这几乎不能被抑制。同时,SIW滤波器的尺寸对于一个晶片来说仍然太大,这违背了MEMS滤波器的微型化。现有的毫米波滤波器主要为以下三种:1)金属波导滤波器;现有的毫米波滤波器大多是金属波导滤波器,体积大,重量重。据估算,金属波 ...
【技术保护点】
一种MEMS同轴滤波器,其特征在于,所述MEMS同轴滤波器包括:/n两面抛光的结构层圆片;/n由金属壁或金属化通孔实现电壁的硅介质腔体;/n由金属化盲孔实现的内部同轴结构。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】一种MEMS同轴滤波器,其特征在于,所述MEMS同轴滤波器包括:
两面抛光的结构层圆片;
由金属壁或金属化通孔实现电壁的硅介质腔体;
由金属化盲孔实现的内部同轴结构。
根据权利要求1所述的MEMS同轴滤波器,其特征在于:所述MEMS同轴滤波器采用SIW谐振器结构,在SIW谐振器结构中心刻蚀盲孔,所述结构层圆片为SOI片。
根据权利要求1所述的MEMS同轴滤波器,其特征在于:所述结构层圆片为高阻硅片,所述MEMS同轴滤波器还包括承载片,所述高阻硅片和承载片以圆片级键合的方式键合在一起。
根据权利要求1所述的MEMS同轴滤波器,其特征在于,所述结构层圆片为SOI片,所述MEMS同轴滤波器还包括承载片,所述SOI片和承载片以圆片级键合的方式键合在一起。
根据权利要求1至4中任一项所述的MEMS同轴滤波器,其特征在于,在所述结构层圆片的正面具有哑铃形状的金属图案,所述金属图案位于两个谐振腔之间,用于产生电耦合;
其中,在电耦合金属图案下方,所述结构层圆片的背面,在金属化盲孔刻蚀步骤同时刻蚀孔或槽,以抑制两个谐振腔之间的磁耦合。
根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS同轴滤波器,其特征在于,所述MEMS同轴滤波器的谐振频率基于以下任一种方式进行调节:
-改变硅介质腔体的大小;
-改变金属化盲孔的直径大小。
技术研发人员:梅迪,朱其玉,
申请(专利权)人:上海诺基亚贝尔股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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