一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法技术

本发明专利技术属于新型电子元器件制备领域，涉及一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法。本发明专利技术将受控蒸发自组装方法与双溶剂方案相结合获得晶体质量很高的晶体阵列，膜的覆盖度也大幅度的提高，有机膜晶体宽度变宽。通过本发明专利技术方法获得的高度有序晶体阵列作为发光层相比基于普通薄膜作为发光层的有机发光场效应管具有更低的开启电压，更高的外量子效率以及更好的发光性能。本发明专利技术用双溶剂蒸发法制得的发光层相比旋涂制备的薄膜可以实现载流子的快速定向传输。

A structure and fabrication method of light-emitting FET based on pf8bt crystal

【技术实现步骤摘要】
一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法
本专利技术属于新型电子元器件制备领域，涉及一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法。
技术介绍
发光场效应晶体管(LFET)是结合了具有晶体管开关特性的发光二极管，它可以通过空间分辨探针直接访问有机半导体形成电荷复合区，可以使得有机器件在光电集成电路中有更广泛的应用。但是此类器件的缺点是外量子效率不高。为了获得更高的效率，利用有机半导体，将重组层中的激子与相邻电荷传输层和注入层中的电荷分离。有机发光场效应晶体管(OLET)可以将有机晶体管的电开关特性与有机发光二极管的发光特性结合起来。为显示器、照明和集成光电子器件的一系列应用提供了新的器件结构。这种器件结构的优点是复合区的位置可以通过施加的栅极和漏极电压在晶体管沟道内移动，使其远离任何吸收性金属电极。这样可以最大程度地减少电极上的光子损耗，并使OLET成为广泛研究的器件结构，特别是对于需要高激发密度的应用，例如有机电注入激光器。然而这种制备OLET发光层的方法大多是通过旋涂或者蒸镀制得的，这种方法制得的发光层通常无定向结晶，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构，其特征在于，所述的发光场效应管结构包括多层，采用顶栅结构，从下至上，第一层为透明玻璃基底；第二层的两侧为分别源极和漏极，中间为发光层；第三层的两侧分别为电子注入层和空穴注入层，中间为发光层；第四层为发光层，与第二层和第三层的发光层为一体结构；第五层为绝缘层；第六层为栅极；/n所述的源极材质为铝；所述的栅极和漏极材质为金；所述的发光层的材质为F8BT晶体阵列；所述的电子注入层材质为氧化锌；所述的空穴注入层材质为三氧化钼；所述的绝缘层材质为聚甲基丙烯酸甲酯。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构，其特征在于，所述的发光场效应管结构包括多层，采用顶栅结构，从下至上，第一层为透明玻璃基底；第二层的两侧为分别源极和漏极，中间为发光层；第三层的两侧分别为电子注入层和空穴注入层，中间为发光层；第四层为发光层，与第二层和第三层的发光层为一体结构；第五层为绝缘层；第六层为栅极；
所述的源极材质为铝；所述的栅极和漏极材质为金；所述的发光层的材质为F8BT晶体阵列；所述的电子注入层材质为氧化锌；所述的空穴注入层材质为三氧化钼；所述的绝缘层材质为聚甲基丙烯酸甲酯。


2.根据权利要求1所述的一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构，其特征在于：
所述的发光层厚度为70-90nm；
所述的绝缘层厚度为600-700nm；
所述的空穴注入层厚度为3-5nm；
所述的电子注入层厚度为3-5nm；
所述的源极和漏极厚度为30-50nm；
所述的栅极厚度为10-16nm；
所述的源极和漏极为叉指状；所述的栅极为片状。


3.权利要求1-2任意所述的一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构的制备方法，其特征在于，步骤如下：
步骤1.将透明玻璃基底依次置于洗洁精、去离子水、甲醇、异丙醇中超声清洗，然后干燥；
步骤2.将掩膜版放置在步骤1得到的透明玻璃基底上，所使用的掩膜版上的图案为梳齿状，镂空条纹的宽度即为源极和漏极的宽度相同，镂空条纹的一端不连通，另一端相连通，连通端向外延展，使连通端的的长度长于最外端的两个梳齿之间的距离，相连通端用于连接各个电极；调整掩膜版的位置，使镂空条纹位于透明玻璃基底的一端；将固定在一起的掩膜版和透明玻璃基底置于蒸发镀膜机中，以0.3-0.5nm/s的速度在透明玻璃基底上沉积厚度为30-50nm铝，作为源极；然后切换蒸发源以0....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈润泽，李钰，卜镜元，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21