双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管技术

本发明专利技术公开一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管。所述双异质结纳米棒的制备方法包括：将第一反应剂与第二反应剂混合进行反应，制备纳米颗粒溶液；在所述纳米颗粒溶液中加入第三反应剂，制备单异质结纳米棒溶液；在所述单异质结纳米棒溶液中加入第四反应剂与第五反应剂，制备双异质结纳米棒。本发明专利技术提供一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管，旨在解决现有技术中基于量子点的电致发光二极管的寿命较短的问题。

Double heterojunction nanorods and their preparation and light emitting diodes

【技术实现步骤摘要】
双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管
本专利技术涉及电子器件
，尤其涉及一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管。
技术介绍
量子点(quantumdot)是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构，量子点的发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小以及化学组成进行改变，基于量子点的电致发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)具有液晶显示器不具有的可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性的有点，因此QLED有望成为下一代的显示技术。现有的QLED显示技术中，量子点独特的能级结构以及量子点发光层与阴阳极之间不对称的电荷注入势垒，会造成的蓝光QLED的电子空穴不平衡，从而导致不能有效的注入空穴，最终导致蓝光QLED的寿命较短。而在量子点的结构中，最外层的宽带隙半导体在阻碍电子的注入的同时，也阻碍空穴的注入，从而无法从根本上解决QLED寿命较短的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管，旨在解决现有技术中QLED的寿命较短的问题。...

【技术保护点】
1.一种双异质结纳米棒，其特征在于，所述双异质结纳米棒包括第一纳米颗粒、纳米杆以及第二纳米颗粒，所述第一纳米颗粒与所述纳米杆之间形成第一异质结，所述第二纳米颗粒与所述纳米杆之间形成第二异质结，所述第一异质结为II型异质结，所述第二异质结为I型异质结。/n

【技术特征摘要】
1.一种双异质结纳米棒，其特征在于，所述双异质结纳米棒包括第一纳米颗粒、纳米杆以及第二纳米颗粒，所述第一纳米颗粒与所述纳米杆之间形成第一异质结，所述第二纳米颗粒与所述纳米杆之间形成第二异质结，所述第一异质结为II型异质结，所述第二异质结为I型异质结。


2.如权利要求11所述的双异质结纳米棒，其特征在于，
所述第一纳米颗粒的材料为碲化镉或碲化锌或碲化锌镉；
所述纳米杆的材料为硒化镉或硒硫化镉或硫化锌镉或硒化锌镉或硫硒化锌镉；
所述第二纳米颗粒的材料为硒化锌或硫化锌或硫硒化锌。


3.一种双异质结纳米棒的制备方法，其特征在于，所述双异质结纳米棒的制备方法包括：
将第二反应剂加入第一反应剂中混合反应，以制备纳米颗粒溶液，所述第一反应剂含有镉元素和/或含有锌元素，所述第二反应剂含有碲元素，所述第一反应剂的摩尔质量大于所述第二反应剂的摩尔质量；
在所述纳米颗粒溶液中加入第三反应剂，制备单异质结纳米棒溶液，所述第三反应剂含有硒元素和/或硫元素；
在所述单异质结纳米棒溶液中加入第四反应剂与第五反应剂，制备双异质结纳米棒，所述第四反应剂含有锌元素，所述第五反应剂含有硒元素和/或硫元素。


4.如权利要求1所述的双异质结纳米棒的制备方法，其特征在于，所述将第二反应剂加入第一反应剂中混合反应，以制备纳米颗粒溶液的步骤，包括：
在第一容器中加入第一反应剂与第一配体，以混合形成第一混合溶液；
将装有第一混合溶液的第一容器抽至真空状态后，向第一混合溶液中通入氮气，不断搅拌并加热至第一温度，所述第一温度的范围为120～180℃；
在第一混合溶液中加入稀释剂，形成第二混合溶液，并将所述第二混合溶液加热至第二温度，所述第二温度的范围为300～350℃；
在第二反应剂中加入第三配体以形成第一前驱体溶液，并将第一前驱体溶液注入所述第二混合溶液中，所述第一前驱体溶液与所述第二混合溶液反应10～15分钟形成纳米颗粒溶液，将所述纳米颗粒溶液降温至第三温度，所述第三温度的范围为200～250℃。


5.如权利要求4所述的双异质结纳米棒的制备方法，其特征在于，所述在所述纳米颗粒溶液中加入第三反应剂，制备单异质结纳米棒溶液的步骤，包括：
在第三反应剂中加入第三配体，以形成第二前驱体溶液，并将第二前驱体溶液注入所述纳米颗粒溶液中，所述第二前驱体溶液与...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44