光电转换器件及有机传感器和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括：面向彼此的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间并且配置成吸收光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换成电信号的光电转换层；以及在所述第一电极和所述光电转换层之间并且包括镧系元素、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、或其合金的无机纳米层。有机CMOS图像传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机CMOS图像传感器。

Photoelectric converter and organic sensor and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
光电转换器件及有机传感器和电子设备对相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0139824的优先权和权益，将其全部内容通过引用引入本文中。
公开了光电转换器件、有机传感器、和电子设备。
技术介绍
光电转换器件可接收入射光并且将接收的入射光转换成电信号。光电转换器件可包括光电二极管和光电晶体管，并且可应用于(“包括在”)有机传感器、光电检测器、太阳能电池等中。有机传感器可具有较高的分辨率并且因此可具有较小的像素尺寸。有机传感器可包括硅光电二极管。基于减小的有机传感器的像素尺寸，有机传感器中的硅光电二极管的灵敏度可劣化，因为硅光电二极管的吸收面积可减小。因此，已经研究了能够替代有机传感器的光电二极管中的硅的有机材料。有机材料具有高的消光系数，并且配置成取决于有机材料的分子结构而选择性地吸收光的特定波长谱中的光，因此可同时替代有机传感器的光电二极管和滤色器，且结果改善有机传感器的灵敏度并对有机传感器的高度集成做贡献。然而，因为这样的有机材料呈现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光电转换器件，包括：/n面向彼此的第一电极和第二电极；/n在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，所述光电转换层配置成吸收光的波长谱的至少一部分中的光并将吸收的光转换成电信号；以及/n在所述第一电极和所述光电转换层之间的无机纳米层，所述无机纳米层包括镧系元素、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、或其合金。/n

【技术特征摘要】
20181114 KR 10-2018-01398241.光电转换器件，包括：
面向彼此的第一电极和第二电极；
在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，所述光电转换层配置成吸收光的波长谱的至少一部分中的光并将吸收的光转换成电信号；以及
在所述第一电极和所述光电转换层之间的无机纳米层，所述无机纳米层包括镧系元素、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、或其合金。


2.如权利要求1所述的光电转换器件，其中所述第一电极包括：
具有大于或等于80％的透光率的透明电极，或
具有小于10％的透光率的反射电极。


3.如权利要求2所述的光电转换器件，其中所述第一电极包括所述透明电极，且所述透明电极包括氧化物导体和碳导体的至少一种。


4.如权利要求1所述的光电转换器件，其中所述无机纳米层的厚度小于或等于5nm。


5.光电转换器件，包括：
第一电极，所述第一电极包括导体，所述导体为
具有大于或等于80％的透光率的透明导体，或
具有小于10％的透光率的反射导体；
在所述第一电极上的光电转换层，所述光电转换层配置成吸收光的至少一部分波长谱中的光并将吸收的光转换成电信号；以及
在所述光电转换层上的第二电极，
其中所述第一电极的面向所述光电转换层的表面被无机纳米层覆盖，所述无机纳米层具有小于或等于5nm的厚度，
其中所述第一电极的面向所述光电转换层的表面处的有效功函数小于所述导体的功函数。


6.如权利要求1或5所述的光电转换器件，其中所述无机纳米层与所述第一电极接触。


7.如权利要求1或5所述的光电转换器件，其中

【专利技术属性】
技术研发人员：朴敬培，许哲准，尹晟荣，李启滉，陈勇完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR