发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法，能够提高发光特性。根据实施方式，发光元件包括：光反射部件、第一、第二半导体层积体、基板以及波长转换部件。光反射部件包括第一、第二区域。第一半导体层积体设置在第一区域与第二区域之间，射出具有第一峰值波长的第一光。第二半导体层积体设置在第一半导体层积体与第二区域之间，射出具有第二峰值波长的第二光。基板设置在第一、第二半导体层积体之间。波长转换部件包括第一～第三部分。波长转换部件生成具有第三峰值波长的第三光。第一区域的一部分处在第一部分与第一半导体层积体的一部分之间。第二区域的一部分处在第二部分与第二半导体层积体的一部分之间。第一光及第二光在基板传播，并射入第三部分。

Luminous element, luminous device and manufacturing method of luminous element

【技术实现步骤摘要】
发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法
本专利技术涉及发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法。
技术介绍
在发光元件中，要求良好的发光特性。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)实用新案登录第3197982号公报专利技术所要解决的技术问题本专利技术提供一种能够提高发光特性的发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法。
技术实现思路
用于解决技术问题的技术方案根据本专利技术的一个方式，发光元件包括：光反射部件、第一半导体层积体、第二半导体层积体、基板以及波长转换部件。所述光反射部件包括第一区域以及第二区域。所述第一半导体层积体设置在所述第一区域与所述第二区域之间，射出具有第一峰值波长的第一光。所述第二半导体层积体设置在所述第一半导体层积体与所述第二区域之间，射出具有与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。所述基板设置在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间。所述波长转换部件包括：第一部分、第二部分、以及在从所述第一区域向所述第二区域的第一方向上设置在所述第一部分与所述第二部分之间且与所述基板对置的第三部分。向所述波长转换部件射入所述第一光及所述第二光。所述波长转换部件生成具有与所述第一峰值波长及所述第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三光。所述光反射部件对所述第一光的反射率比所述波长转换部件对所述第一光的反射率高。所述光反射部件对所述第二光的反射率比所述波长转换部件对所述第二光的反射率高。所述第一区域的一部分在与所述第一方向正交的第二方向上，处在所述第一部分与所述第一半导体层积体的一部分之间。所述第二区域的一部分在所述第二方向上，处在所述第二部分与所述第二半导体层积体的一部分之间。所述第一光及所述第二光在所述基板传播，向所述第三部分射入。根据本专利技术的一个方式，发光元件的制造方法包括准备包括第一基板及第一半导体层积体的第一发光部、以及包括第二基板及第二半导体层积体的第二发光部的工序。所述制造方法包括将所述第一发光部与所述第二发光部进行接合的工序，以使所述第一基板及所述第二基板处在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间。所述制造方法包括形成覆盖所述接合的所述第一发光部及所述第二发光部的光反射部件的工序。所述制造方法包括除去所述光反射部件的一部分、使所述第一基板及所述第二基板的表面露出的工序。所述制造方法包括在所述第一基板及所述第二基板的所述表面上形成波长转换部件的工序。根据本专利技术的一个方式，发光元件的制造方法包括准备第一发光部及第二发光部的工序。所述第一发光部包括：第一基板、第一光反射部件、以及设置在所述第一基板与所述第一光反射部件之间的第一半导体层积体。所述第二发光部包括：第二基板、第二光反射部件、以及设置在所述第二基板与所述第二光反射部件之间的所述第二半导体层积体。所述制造方法包括将所述第一发光部与所述第二发光部进行接合的工序，以使所述第一基板及所述第二基板处在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间。所述制造方法包括除去所述第一光反射部件的一部分及所述第二光反射部件的一部分、使所述第一基板及所述第二基板的表面露出的工序。所述制造方法包括在所述露出的所述第一基板及所述第二基板的所述表面上形成波长转换部件的工序。专利技术的效果根据本专利技术的一个方式，能够提供可提高发光特性的发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法。附图说明图1是例示第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性立体图。图2是例示图1的II-II线剖面的第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性剖视图。图3是例示图1的III-III线剖面的第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性剖视图。图4是例示图1的IV-IV线剖面的第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性剖视图。图5是例示图1的V-V线剖面的第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性剖视图。图6是例示图1的VI-VI线剖面的第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性剖视图。图7是例示第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性剖视图。图8是例示第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性剖视图。图9是例示第一实施方式的发光装置的示意图。图10A是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图10B是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图10C是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图11A是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图11B是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图12是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图13A是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图13B是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。图14是例示第二实施方式的发光元件的制造方法的示意性剖视图。附图标记说明10A，10B第一、第二发光部；11第一半导体层积体；11e第一发光层；11f第一反射膜；11n第一n型半导体层；11p第一p型半导体层；12第二半导体层积体；12e第二发光层；12f第二反射膜；12n第二n型半导体层；12p第二p型半导体层；20基板；21第一基板；22第二基板；25中间层；30波长转换部件；30p第二粒子；30q第二部件；31～33第一～第三部分；40光反射部件；40A，40B第一、第二光反射部件；40p第一粒子；40q第一部件；41～45第一～第五区域；51n第一n侧电极；51nP第一n侧导电部件；51na第一电极端部；51nb第二电极端部；51p第一p侧电极；51pP第一p侧导电部件；51pc第三电极端部；51pd第四电极端部；52n第二n侧电极；52nP第二n侧导电部件；52ne第五电极端部；52nf第六电极端部；52p第二p侧电极；52pP第二p侧导电部件；52pg第七电极端部；52ph第八电极端部；60安装部件；61n第一n侧导电层；61nA第一n侧连接部件；61p第一p侧导电层；61pA第一p侧连接部件；62n第二n侧导电层；62nA第二n侧连接部件；62p第二p侧导电层；62pA第二p侧连接部件；65安装基板部；70驱动电路；71～74第一～第四配线；110，111发光元件；210，211发光装置；ep1～ep4第一～第四端部。具体实施方式下面，参照附图，针对本专利技术的各实施方式进行说明。需要说明的是，附图为示意性或概念性的附图，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小的比率等不一定与实际的情况相同。另外，即使在表示相同的部分的情况下，也存在因附图而使相互的尺寸及比率不同表示的情况。需要说明的是，在本申请说明书中，对于在已经出现的附图中与所述相同的主要部件使用相同的标记，适当省略详细的说明。(第一实施方式)图1是例示第一实施方式的发光元件以及发光装置的示意性立体图。图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，具有：/n光反射部件，其包括第一区域以及第二区域；/n第一半导体层积体，其设置在所述第一区域与所述第二区域之间，射出具有第一峰值波长的第一光；/n第二半导体层积体，其设置在所述第一半导体层积体与所述第二区域之间，射出具有与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；/n基板，其设置在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间；/n波长转换部件，其包括：第一部分、第二部分、以及在从所述第一区域向所述第二区域的第一方向上设置在所述第一部分与所述第二部分之间且与所述基板对置的第三部分，射入所述第一光及所述第二光，生成具有与所述第一峰值波长及所述第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三光；/n所述光反射部件对所述第一光的反射率比所述波长转换部件对所述第一光的反射率高，/n所述光反射部件对所述第二光的反射率比所述波长转换部件对所述第二光的反射率高，/n所述第一区域的一部分在与所述第一方向正交的第二方向上，处在所述第一部分与所述第一半导体层积体的一部分之间，/n所述第二区域的一部分在所述第二方向上，处在所述第二部分与所述第二半导体层积体的一部分之间，/n所述第一光及所述第二光在所述基板传播，并射入所述第三部分。/n...

【技术特征摘要】
20181114 JP 2018-2141691.一种发光元件，其特征在于，具有：
光反射部件，其包括第一区域以及第二区域；
第一半导体层积体，其设置在所述第一区域与所述第二区域之间，射出具有第一峰值波长的第一光；
第二半导体层积体，其设置在所述第一半导体层积体与所述第二区域之间，射出具有与所述第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光；
基板，其设置在所述第一半导体层积体与所述第二半导体层积体之间；
波长转换部件，其包括：第一部分、第二部分、以及在从所述第一区域向所述第二区域的第一方向上设置在所述第一部分与所述第二部分之间且与所述基板对置的第三部分，射入所述第一光及所述第二光，生成具有与所述第一峰值波长及所述第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三光；
所述光反射部件对所述第一光的反射率比所述波长转换部件对所述第一光的反射率高，
所述光反射部件对所述第二光的反射率比所述波长转换部件对所述第二光的反射率高，
所述第一区域的一部分在与所述第一方向正交的第二方向上，处在所述第一部分与所述第一半导体层积体的一部分之间，
所述第二区域的一部分在所述第二方向上，处在所述第二部分与所述第二半导体层积体的一部分之间，
所述第一光及所述第二光在所述基板传播，并射入所述第三部分。


2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述光反射部件还包括第三区域、第四区域以及第五区域，
所述第一半导体层积体、所述第二半导体层积体以及所述基板在与包括所述第一方向及所述第二方向的平面正交的第三方向上，处在所述第三区域与所述第四区域之间，
所述第一半导体层积体、所述第二半导体层积体以及所述基板在所述第二方向上，处在所述波长转换部件与所述第五区域之间。


3.如权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，
所述第一半导体层积体以及所述第二半导体层积体为氮化物半导体，
所述基板为蓝宝石。


4.如权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第一半导体层积体包括：
第一n型半导体层；
第一p型半导体层，其设置在所述第一n型半导体层与所述第一区域之间；
第一发光层，其设置在所述第一n型半导体层与所述第一p型半导体层之间；
所述第一n型半导体层的至少一部分与所述第一部分相接，
所述第一区域的所述一部分在所述第二方向上，处在所述第一部分与所述第一p型半导体层之间。


5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，此外具有：
第一n侧电极，其与所述第一n型半导体层电连接；
第一p侧电极，其与所述第一p型半导体层电连接；
所述第一n侧电极的至少一部分从所述第一区域露出，
所述第一p侧电极的至少一部分从所述第一区域露出。


6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
所述第一区域包括第一端部以及第二端部，
所述第二端部在所述第二方向上，处在所述第一端部与所述第一部分之间，
所述第一n侧电极包括第一电极端部以及第二电极端部，
所述第二电极端部在所述第二方向上，处在所述第一电极端部与所述第一部分之间，
所述第一电极端部与所述第一端部位于同一平面上。


7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述第一p侧电极包括第三电极端部以及第四电极端部，
所述第四电极端部在所述第二方向上，处在所述第三电极端部与所述第一部分之间，
所述第三电极端部与所述第一端部位于同一平面上。


8.如权利要求1～7中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第二半导体层积体包括：
第二n型半导体层；
第二p型半导体层，其设置在所述第二n型半导体层与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上芳树，古波直人，池田忠昭，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP