像素结构、有机发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种像素结构、有机发光二极管及其制备方法，该像素结构包括衬底；像素电极，设于衬底上，像素电极具有设置于像素坑内的第一段，且第一段远离衬底的一面为凹凸的非平面，第一段包括：表示沿垂直于衬底的方向，离衬底距离最远的第一位点和离衬底距离最近的第二位点，第一位点和第二位点之间的段差A＝D‑d，其中，D表示第一位点和衬底之间的距离，d表示第二位点和衬底之间的距离；像素界定层满足以下公式：40A≥C≥10A+B其中，B表示像素电极的厚度，C表示像素界定层的厚度。上述像素结构能够有效地克服像素电极不同位置之间的段差所造成的成膜不均的问题。

Pixel structure, organic light-emitting diode and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
像素结构、有机发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及电子显示
，特别涉及像素结构、有机发光二极管及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，成为未来显示的主流。特别是顶发射型OLED由于其中开口率方面的优势，尤其是高分辨显示面板方面，得到越来越广泛的应用。但，顶发射型结构的OLED的像素电极和基板之间存在走线、电容结构以及部分薄膜晶体管等，导致像素电极不平，即像素电极的表面不同位置存在段差。特别对于顶栅结构的驱动薄膜晶体管，由于驱动薄膜晶体管形成膜层较多，遮光层以及源漏电极层等需要设置在像素电极下方，导致此区域的整体膜层偏高，相对应此区域的像素电极离基板距离较远，会更进一步增加像素电极的段差。像素电极的段差的存在对于发光层各功能层的形成十分不利，很难形成均一化的薄膜。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种像素结构、有机发光二极管及其制备方法。该像素结构能够有效地克服像素电极的段差所造成的成膜不均的问题。一种像素结构，包括：r>衬底；像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n像素界定层，设于所述衬底上，所述像素界定层围合形成像素坑；/n像素电极，设于所述衬底上，所述像素电极具有设置于所述像素坑内的第一段，且所述第一段远离所述衬底的一面为凹凸的非平面，所述第一段包括，沿垂直于所述衬底的方向，离所述衬底距离最远的第一位点和离所述衬底距离最近的第二位点，所述第一位点和所述第二位点之间的段差A＝D-d，其中，D表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第一位点和所述衬底之间的距离，d表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第二位点和所述衬底之间的距离；其中，所述像素界定层满足以下公式：/n40A≥C≥10A+B，/nB表示所述像素电极的厚度...

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
衬底；
像素界定层，设于所述衬底上，所述像素界定层围合形成像素坑；
像素电极，设于所述衬底上，所述像素电极具有设置于所述像素坑内的第一段，且所述第一段远离所述衬底的一面为凹凸的非平面，所述第一段包括，沿垂直于所述衬底的方向，离所述衬底距离最远的第一位点和离所述衬底距离最近的第二位点，所述第一位点和所述第二位点之间的段差A＝D-d，其中，D表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第一位点和所述衬底之间的距离，d表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第二位点和所述衬底之间的距离；其中，所述像素界定层满足以下公式：
40A≥C≥10A+B，
B表示所述像素电极的厚度，C表示所述像素界定层的厚度。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层满足以下公式：25A≥C≥20A+B。


3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极和所述衬底之间还设置有钝化层。


4.根据权利要求1-3任一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极的所述第一位点和所述第二位点之间的段差为190nm-210nm。


5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层的厚度为3.5μm-5μm。


6.一种有机发光二极管，其特征在于，包括像素结构和发光层，所述像素结构包括：
衬底；
像素界定层，设于所述衬底上，所述像素界定层围合形成像素坑；
像素电极，设于所述衬底上，所述像素电极具有设置于所述像素坑内的第一段，且所述第一段远离所述衬底的一面为凹凸的非平面，所述第一段包括，沿垂直于所述衬底的方向，离所述衬底距离最远的第一位点和离所述衬底距离最近的第二位点，所述第一位点和所述第二位点之间的段差A＝D-d，其中，D表示沿垂直于所述衬底的方向，所述第一位点和所述衬底之间的距离，d表示沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：史文，陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44