一种功率分配电感耦合线圈及具有其的等离子体处理装置制造方法及图纸

技术编号:24253300 阅读:54 留言:0更新日期:2020-05-23 00:30
本发明专利技术公开一种功率分配电感耦合线圈及具有其的等离子体处理装置。功率分配电感耦合线圈包括多个定值电容、多个可调电容和三组电感线圈,其中,第一线圈绕组和第二线圈绕组相互嵌套,为外圈绕组部分,第三线圈绕组为内圈绕组部分;第一可调电容、第一线圈绕组、第一定值电容串联组成第一支路,第一定值电容末端接地;第二可调电容、第二线圈绕组、第二定值电容、第三线圈绕组、第三定值电容的次序串联组成第二支路,第三定值电容末端接地;第一可调电容和第二可调电容的空闲端相连,使第一支路与第二支路形成并联。通过调节第一可调电容和第二可调电容的比值,使不同线圈绕组中的功率分配不同,改变反应腔内等离子体分布,从而提高工艺的均匀性。

A power distribution inductively coupled coil and its plasma treatment device

【技术实现步骤摘要】
一种功率分配电感耦合线圈及具有其的等离子体处理装置
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种功率分配电感耦合线圈及具有其的等离子体处理装置。
技术介绍
随着电子技术发展,芯片集成度不断提高,半导体器件的特征尺寸不断缩小,对半导体器件加工/处理设备的性能、稳定性以及工艺的要求愈发严苛。在对半导体器件加工/处理时,常用到等离子体刻蚀、沉积或其他等离子体处理技术,因此等离子体处理装置的工作性能至关重要。近年来晶圆尺寸已从200mm增大到300mm,针对大衬底,提高等离子体处理装置的工作性能、稳定性以及工艺均匀性,不仅能提高半导体器件制造的集成度,也能提高产品的良品率。目前用于半导体器件加工/处理的等离子体处理装置主要有电容耦合等离子体(CCP)装置、电感耦合等离子体(ICP)装置和电子回旋共振等离子体(ECR)装置等。其中ICP装置具有独立的激励射频电源和偏压射频电源,可通过激励射频电源决定反应腔室内的等离子体密度,通过偏压射频电源决定入射到晶圆表面的粒子能量和入射角度。并且,ICP装置可以在较低的工作气压下产生高密度和高均匀性的等离子体,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率分配电感耦合线圈,其特征在于,/n包括多个定值电容、多个可调电容和三组电感线圈,其中,第一线圈绕组和第二线圈绕组相互嵌套,为外圈绕组部分,第三线圈绕组为内圈绕组部分;/n第一可调电容、第一线圈绕组、第一定值电容串联组成第一支路,第一定值电容末端接地;/n第二可调电容、第二线圈绕组、第二定值电容、第三线圈绕组、第三定值电容的次序串联组成第二支路,第三定值电容末端接地;/n第一可调电容和第二可调电容的空闲端相连,使第一支路与第二支路形成并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率分配电感耦合线圈,其特征在于,
包括多个定值电容、多个可调电容和三组电感线圈,其中,第一线圈绕组和第二线圈绕组相互嵌套,为外圈绕组部分,第三线圈绕组为内圈绕组部分;
第一可调电容、第一线圈绕组、第一定值电容串联组成第一支路,第一定值电容末端接地;
第二可调电容、第二线圈绕组、第二定值电容、第三线圈绕组、第三定值电容的次序串联组成第二支路,第三定值电容末端接地;
第一可调电容和第二可调电容的空闲端相连,使第一支路与第二支路形成并联。


2.根据权利要求1所述的功率分配电感耦合线圈,其特征在于,
所述第一线圈绕组、所述第二线圈绕组和所述第三线圈绕组可以由单个线圈绕组构成,也可以由多个线圈绕组串联而成,或由多个线圈绕组并联而成,或由多个线圈绕组混联而成。


3.根据权利要求1所述的功率分配电感耦合线圈,其特征在于,
所述内圈绕组部分和/或外圈绕组部分是平面结构。


4.根据权利要求3所述的功率分配电感耦合线圈,其特征在于,
所述平面结构可以是平面螺旋线形,也可以是圆弧线形,其中平面螺旋线形...

【专利技术属性】
技术研发人员:李雪冬刘小波胡冬冬车东晨李娜陈兆超陈璐许开东
申请(专利权)人:江苏鲁汶仪器有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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