一种高纯硫酸生产工艺及生产系统技术方案

本发明专利技术公开了一种高纯硫酸的生产工艺，包括以下步骤：S1：发烟硫酸导入蒸发器中加热生成三氧化硫气体；S2：三氧化硫气体导入除雾器中与纯化塔中的冷却盘管换热除杂，得冷凝液相和气相三氧化硫，气相三氧化硫经过除雾，得纯化的三氧化硫气体；S3：循环吸收S2所得三氧化硫气体，得硫酸半成品；S4：经气提和缓冲，得高纯硫酸成品；S2中进入纯化塔的三氧化硫气体进料温度为90～110℃，冷却盘管中冷却介质的温度为40～45℃，经S2换热和除雾处理后的三氧化硫气体出料温度为44～50℃。采用冷却盘管凝结三氧化硫气体中含有金属离子或者其他杂质的不凝性气体，纯化三氧化硫气体。

A production process and system of high purity sulfuric acid

【技术实现步骤摘要】
一种高纯硫酸生产工艺及生产系统
本专利技术涉及高纯硫酸生产
，具体涉及一种高纯硫酸生产工艺及生产系统。
技术介绍
高纯硫酸为常用的超净高纯微电子化学实际试剂之一，主要应用于于硅晶片的清洗、光刻、腐蚀、印刷电路板的腐蚀和清洗，可有效除去晶片上杂质颗粒、无机残留物和碳沉积物。半导体和集成电路等加工精度的要求逐渐提高，与之配套的超净高纯硫酸产品质量要求也相应提高。现有技术中的高纯硫酸生产工艺主要包括三氧化硫吸收法和组合膜法。其中三氧化硫吸收法如CN109336065A所述的，包括以下步骤：第一、发烟硫酸经蒸发器生成三氧化硫；第二、三氧化硫经冷凝形成液态三氧化硫；第三、液态的三氧化硫再次经过蒸发器生成气态三氧化硫；第四，采用水或者稀硫酸循环吸收三氧化硫。上述工艺过程中三氧化硫的冷凝和再次蒸发的作用在于进一步提纯三氧化硫，但是该工艺过程步骤复杂，能耗较大。另外，三氧化硫气体具有极强的渗透性，通常冷凝三氧化硫所用换热介质为水，高温的气态三氧化硫穿透换热器与水发生剧烈的放热反应，会引发严重的安全问题。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种高纯硫酸的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：发烟硫酸导入蒸发器中加热生成三氧化硫气体；/nS2：三氧化硫气体导入除雾器中与纯化塔中的冷却盘管换热除杂，得冷凝液相和气相三氧化硫，气相三氧化硫经过除雾，得纯化的三氧化硫气体；/nS3：循环吸收S2所得三氧化硫气体，得硫酸半成品；/nS4：以干燥压缩空气为气提介质，气提处理S3所得硫酸半成品，经缓冲处理，得高纯硫酸成品；/n所述S2中进入纯化塔的三氧化硫气体进料温度为90～110℃，冷却盘管中冷却介质的温度为40～46℃，经S2换热和除雾处理后的三氧化硫气体出料温度为44～50℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种高纯硫酸的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1：发烟硫酸导入蒸发器中加热生成三氧化硫气体；
S2：三氧化硫气体导入除雾器中与纯化塔中的冷却盘管换热除杂，得冷凝液相和气相三氧化硫，气相三氧化硫经过除雾，得纯化的三氧化硫气体；
S3：循环吸收S2所得三氧化硫气体，得硫酸半成品；
S4：以干燥压缩空气为气提介质，气提处理S3所得硫酸半成品，经缓冲处理，得高纯硫酸成品；
所述S2中进入纯化塔的三氧化硫气体进料温度为90～110℃，冷却盘管中冷却介质的温度为40～46℃，经S2换热和除雾处理后的三氧化硫气体出料温度为44～50℃。


2.根据权利要求1所述的高纯硫酸的生产工艺，其特征在于，所述冷却盘管中的冷却介质为S3所得硫酸半成品。


3.根据权利要求1所述的高纯硫酸的生产工艺，其特征在于，循环吸收三氧化硫气体的稀硫酸温度为65～70℃。


4.根据权利要求1所述的高纯硫酸的生产工艺，其特征在于，所述S4中包括连续的两次气提，一次气提的硫酸进料量与空气进料量之比为(12～17)：1，二次气提的硫酸进...

【专利技术属性】
技术研发人员：坎勇，陈亚钦，陈力，
申请(专利权)人：江阴江化微电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32