输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器技术

本发明专利技术提供一种输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器。输入接收器电路包括检测单元，模式控制单元，双端差分单元和单端CMOS单元。检测单元用于获取芯片的工作频率；模式控制单元与检测单元连接，用于根据检测单元获取的工作频率控制输入接收器进入双端差分输入模式和单端CMOS输入模式中的一种；双端差分单元和单端CMOS单元均与模式控制单元连接，差分输入单元用于在双端差分输入模式下处理高速的数据传输；单端CMOS单元用于在单端CMOS输入模式下处理低速的数据传输。本发明专利技术在重度应用时，选择高速处理数据模式，提高数据处理速度，在轻度应用下，选择处理低速的数据传输，减少电路功耗，从而达到数据处理速度与功耗的最优化。

Input receiver circuit, intelligent optimization method and semiconductor memory

【技术实现步骤摘要】
输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器
本专利技术涉及半导体存储器，具体涉及一种输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器。
技术介绍
在低功耗双倍速率动态随机存储器(LPDDR，LowPowerDoubleDataRateDRAM)中，系统对于功耗和速度的要求越来越高，既希望系统重度应用时，动态随机存储器(DRAM)能够以最高速处理数据，同时也希望在系统轻度应用时，动态随机存储器能够以最省电的处理方式处理数据。对于输入单元，如果在最高速处理数据时，需要较大功耗，而处理低速的数据传输时，则更加省电。因此如何设计自动、灵活配置，达到速度与功耗的最优化，成为需要待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器，以至少解决现有技术中的以上技术问题。为达到上述目的，本专利技术提供一种芯片的输入接收器电路，包括：检测单元，所述检测单元用于获取所述芯片的工作频率；模式控制单元，所述模式控制单元与所述检测单元连接，所述模式控制单元用于根据所述检测单元获取的所述工作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的输入接收器电路，其特征在于，包括：/n检测单元，所述检测单元用于获取所述芯片的工作频率；/n模式控制单元，所述模式控制单元与所述检测单元连接，所述模式控制单元用于根据所述检测单元获取的所述工作频率控制所述输入接收器进入双端差分输入模式和单端CMOS输入模式中的一种；/n双端差分单元，所述双端差分单元与所述模式控制单元连接，所述差分输入单元用于在所述双端差分输入模式下处理高速的数据传输；/n单端CMOS单元，所述单端CMOS单元与所述模式控制单元连接，所述单端CMOS单元用于在所述单端CMOS输入模式下处理低速的数据传输。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片的输入接收器电路，其特征在于，包括：
检测单元，所述检测单元用于获取所述芯片的工作频率；
模式控制单元，所述模式控制单元与所述检测单元连接，所述模式控制单元用于根据所述检测单元获取的所述工作频率控制所述输入接收器进入双端差分输入模式和单端CMOS输入模式中的一种；
双端差分单元，所述双端差分单元与所述模式控制单元连接，所述差分输入单元用于在所述双端差分输入模式下处理高速的数据传输；
单端CMOS单元，所述单端CMOS单元与所述模式控制单元连接，所述单端CMOS单元用于在所述单端CMOS输入模式下处理低速的数据传输。


2.如权利要求1所述输入接收器电路，其特征在于，所述检测单元包括：
第一时钟计数器，用于接收和计数所述芯片的时钟信号；
第二时钟计数器，用于接收和计数所述输入接收器电路内部的时钟信号；
比较器，所述比较器分别与所述第一时钟计数器和所述第二时钟计数器连接，所述比较器用于比较所述第一时钟计数器和所述第二时钟计数器的计数结果，并输出所述工作频率。


3.如权利要求2所述输入接收器电路，其特征在于，所述检测单元具有温度输入端，用于连接位于所述芯片内部的温度感测电路，以接收所述温度感测电路所感测到的所述芯片的工作温度。


4.如权利要求1所述输入接收器电路，其特征在于，所述检测单元包括：
内部寄存器，所述内部寄存器与所述模式控制单元连接，所述内部寄存器用于寄存反映所述芯片工作频率的工作频率段、写延时周期以及参考电压，所述内部寄存器还用于寄存反映所述芯片工作温度的刷新速率；
所述模式控制单元用于根据所述工作频率段、写延时周期与工作频率的关系以及参考电压与工作频率的关系，从所述内部寄存器获取所述芯片的工作频率；所述模式控制单元还用于根据所述刷新速率获取所述芯片的工作温度。


5.如权利要求3或4所述输入接收器电路，其特征在于，还包括调控单元，所述调控单元的输入端与所述模式控制单元连接，所述调控单元的输出端与所述双端差分单元连接，所述调控单元用于在所述双端差分输入模式下，根据所述模式控制单元获取的所述工作温度和所述工作频率调整所述偏置电流。


6.如权利要求5所述输入接收器电路，其特征在于，所述调控单元包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与电源电压连接，所述第一PMOS管的栅极和漏极短接，所述第一PMOS管的栅极与所述双端差分单元连接，以产生所述双端差分单元的偏置电流；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；
放大器，所述放大器的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述放大器的第一输入端连接参考电压；
可调电阻模块，所述可调电阻模块的输入端分别与所述第一NMOS管的源极和所述放大器的第二输入端连接，所述可调电阻模块的输出端接地；
所述模式控制单元与所述可调电阻模块连接，用于在所述双端差分输入模式下，根据所述检测单元获取的所述工作温度和所述工作频率调控所述可调电阻模块的阻值，以调整所述偏置电流。


7.如权利要求6所述输入接收器电路，其特征在于，所述可调电阻模块包括：
第一定值电阻，所述第一定值电阻一端接地；
可调电阻，所述可调电阻与所述第一定值电阻的另一端连接，所述可调电阻包括N个串联的电阻子单元，所述电阻子单元包括第二NMOS管和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：田凯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34