一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，通过对P型硅片进行正面制绒；在经过制绒的P型硅片正面设置氧化硅层；在所述氧化硅层表面设置重掺多晶硅层；去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层，得到太阳能电池前置物；在所述太阳能电池前置物的正面进行轻掺磷扩散，得到轻掺磷扩散层；对所述太阳能电池前置物进行背面刻蚀，并设置背面钝化层及正面减反层；在设置完所述背面钝化层及所述正面减反层的所述太阳能电池前置物表面设置电极，得到所述选择性发射极太阳能电池。本发明专利技术能在降低表面金属接触复合的同时提升开路电压，提升电池效率。本发明专利技术同时还提供了一种具有上述有益效果的选择性发射极太阳能电池。

A selective emitter solar cell and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及光伏新能源领域，特别是涉及一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
作为太阳能光电利用中发展最快的领域之一，晶体硅电池的技术发展颇受瞩目，但其度电成本的限制导致市场竞争不足，解决这一问题的方法归根结底是技术创新，人们不断研制开发更具潜力的电池结构，优化工艺制程，从而提升晶硅电池效益。在P型衬底上，常规选择性发射极(SE，selectiveemitter)结构工艺已经得到相对较完善的优化，实现大规模量产，但截至目前，其电池效率仍有待提升，电池正面复合仍然较大。因此，如何提供一种能降低正面复合进而提高太阳能电池电池效率的方法，便成了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法，以解决现有技术中选择性发射极太阳能电池正面复合大，电池效率有待提高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括：对P型硅片进行正面制绒；在经过制绒的P型硅片正面设置氧化硅层；在所述氧化硅层表面设置重掺多晶硅层；去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层，得到太阳能电池前置物；在所述太阳能电池前置物的正面进行轻掺磷扩散，得到轻掺磷扩散层；对所述太阳能电池前置物进行背面刻蚀，并设置背面钝化层及正面减反层；在设置完所述背面钝化层及所述正面减反层的所述太阳能电池前置物表面设置电极，得到所述选择性发射极太阳能电池。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层具体为：通过激光烧蚀去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述重掺杂多晶层的方阻的范围为20Ohm/sq至200hm/sq，包括端点值。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述重掺杂多晶层的厚度的范围为20纳米至500纳米，包括端点值。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述氧化硅层的厚度范围为0.5纳米至10纳米，包括端点值。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述轻掺磷扩散层的方阻的范围为80Ohm/sq至300hm/sq，包括端点值。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述背面钝化层包括氧化铝层及氮化硅层。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述太阳能电池还包括铝背场。可选地，在所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法中，所述正面减反层为氮化硅层。一种选择性发射极太阳能电池，所述选择性发射极太阳能电池为通过上述任一种所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法得到的太阳能电池。本专利技术所提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法，通过对P型硅片进行正面制绒；在经过制绒的P型硅片正面设置氧化硅层；在所述氧化硅层表面设置重掺多晶硅层；去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层，得到太阳能电池前置物；在所述太阳能电池前置物的正面进行轻掺磷扩散，得到轻掺磷扩散层；对所述太阳能电池前置物进行背面刻蚀，并设置背面钝化层及正面减反层；在设置完所述背面钝化层及所述正面减反层的所述太阳能电池前置物表面设置电极，得到所述选择性发射极太阳能电池。本专利技术通过所述氧化硅层与所述重掺杂多晶硅层的叠层取代了现有的重掺杂磷扩散层实现了太阳能电池的表面钝化，能在降低表面金属接触复合的同时提升开路电压，从而提升电池效率，在此基础上，本专利技术还在所述选择性发射极太阳能电池的正面进行了轻掺磷扩散，也降低了未被所述氧化硅层与所述重掺杂多晶硅层覆盖的光照区的复合，进一步加强了表面钝化效果，提升电池效率。本专利技术同时还提供了一种具有上述有益效果的选择性发射极太阳能电池。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法的一种具体实施方式的流程示意图；图2为本专利技术提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法的另一种具体实施方式的流程示意图；图3为本专利技术提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法的又一种具体实施方式的流程示意图；图4为本专利技术提供的选择性发射极太阳能电池的一种具体实施方式的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的核心是提供一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括：步骤S101：对P型硅片100进行正面制绒。所述P型硅片100的电阻率范围为0.3Ohm/cm至10Ohm/cm，包括端点值，如0.30Ohm/cm、5.26Ohm/cm或10.00Ohm/cm中任一个。步骤S102：在经过制绒的P型硅片100正面设置氧化硅层112。所述氧化硅层112的厚度范围为0.5纳米至10纳米，包括端点值，如0.50纳米、5.32纳米或10.00纳米中任一个。步骤S103：在所述氧化硅层112表面设置重掺多晶硅层111。所述重掺杂多晶硅层为磷掺杂的n+型多晶硅层，所述重掺杂多晶硅层与所述氧化硅层112共同构成正面载流子传输层。特别的，所述重掺杂多晶层的方阻的范围为20Ohm/sq至200hm/sq，包括端点值，如20.0Ohm/sq、135.0Ohm/sq或200.0Ohm/sq中任一个。所述重掺杂多晶层的厚度的范围为20纳米至500纳米，包括端点值，如20.0纳米、56.3纳米或500.0纳米中任一个。步骤S104：去除所述P型硅片100上的非金属区的所述氧化硅层112及所述重掺多晶硅层111，得到太阳能电池前置物。步骤S105：在所述太阳能电池前置物的正面进行轻掺磷扩散，得到轻掺磷扩散层113。所述轻掺磷扩散层113降低了未被所述氧化硅层112与所述重掺杂多晶硅层覆盖的光照区的复合，进一步加强了表面钝化效果，提升电池效率，进一步地，所述轻掺磷扩散层113的方阻的范围为80Ohm/sq至300hm/sq，包括端点值，如80.0Ohm/sq、231.2Ohm/sq或300.0Ohm/sq中任一个。步骤S106：对所述太阳能电池前置物进行背面刻蚀，并设置背面钝化层及正面减反层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：/n对P型硅片进行正面制绒；/n在经过制绒的P型硅片正面设置氧化硅层；/n在所述氧化硅层表面设置重掺多晶硅层；/n去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层，得到太阳能电池前置物；/n在所述太阳能电池前置物的正面进行轻掺磷扩散，得到轻掺磷扩散层；/n对所述太阳能电池前置物进行背面刻蚀，并设置背面钝化层及正面减反层；/n在设置完所述背面钝化层及所述正面减反层的所述太阳能电池前置物表面设置电极，得到所述选择性发射极太阳能电池。/n

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
对P型硅片进行正面制绒；
在经过制绒的P型硅片正面设置氧化硅层；
在所述氧化硅层表面设置重掺多晶硅层；
去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层，得到太阳能电池前置物；
在所述太阳能电池前置物的正面进行轻掺磷扩散，得到轻掺磷扩散层；
对所述太阳能电池前置物进行背面刻蚀，并设置背面钝化层及正面减反层；
在设置完所述背面钝化层及所述正面减反层的所述太阳能电池前置物表面设置电极，得到所述选择性发射极太阳能电池。


2.如权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层具体为：
通过激光烧蚀去除所述P型硅片上的非金属区的所述氧化硅层及所述重掺多晶硅层。


3.如权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述重掺杂多晶层的方阻的范围为20Ohm/sq至200hm/sq，包括端点值。


4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭瑶，杨洁，张昕宇，郑霈霆，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33