具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池及其制备方法。该方法包括：(1)、在N型晶体硅基体的两个表面均制备制绒面；(2)、在基体正表面的制绒面上进行硼扩散处理，形成轻掺杂区层；(3)、在轻掺杂区层利用掩膜进行局部硼离子注入，并退火，形成局部重掺杂区；(4)、在基体背表面的制绒面上制备隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上制备磷掺杂多晶硅层；(5)、在磷掺杂多晶硅层上制备氮化硅减反射层；在基体正面的轻掺杂区层上制备氧化铝钝化层，并在氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层；(6)对基体两个面均丝网印刷金属化浆料，并烧结。本发明专利技术可以显著降低发射极表面的复合电流，从而能将N型钝化接触电池效率提升0.2％以上。

【技术实现步骤摘要】
具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
N型电池采用N型硅作为衬底材料，其耐金属杂质污染性能好、少数载流子扩散长度长，相对于传统的p型电池具有无光致衰减，电池效率更高等优点，目前受到了市场的青睐。N型钝化接触电池是一种新型的N型电池结构，其隧穿钝化层对n+面提供了良好的表面钝化，极大地降低了金属接触复合，提高电池的开路电压及短路电流。这种结构的电池效率远高于传统晶硅电池产品，从而更有利于降低光伏发电成本。现有的N型钝化接触电池结构解决了n面的钝化，但是其发射极表面的复合还是比较高，已经成为了效率提升的瓶颈，而要降低发射极表面的复合，需要兼顾钝化与接触电阻这两方面因素。相对于磷掺杂发射极，由于硼比磷的激活难度要高很多，目前硼的选择性掺杂还是世界难题，还没有兼具效率及良率的可量产化的选择性发射极制备方法，如目前在磷选择性掺杂方面很成熟的激光掺杂，在硼掺杂方面还很不成熟。专利
技术实现思路
本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、在N型晶体硅基体的背表面和正表面均制备制绒面；/n(2)、在N型晶体硅基体正表面的制绒面上进行硼扩散处理，形成轻掺杂区层；/n(3)、在N型晶体硅基体的所述轻掺杂区层利用掩膜进行局部硼离子注入，并退火处理，形成局部重掺杂区；/n(4)、在步骤(3)处理后的N型晶体硅基体背表面的制绒面上制备隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层上制备磷掺杂多晶硅层；/n(5)、在N型晶体硅基体背面的所述磷掺杂多晶硅层上制备氮化硅减反射层；在N型晶体硅基体正面的轻掺杂区层上制备氧化铝钝化层，并在所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减...

【技术特征摘要】
1.一种具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、在N型晶体硅基体的背表面和正表面均制备制绒面；
(2)、在N型晶体硅基体正表面的制绒面上进行硼扩散处理，形成轻掺杂区层；
(3)、在N型晶体硅基体的所述轻掺杂区层利用掩膜进行局部硼离子注入，并退火处理，形成局部重掺杂区；
(4)、在步骤(3)处理后的N型晶体硅基体背表面的制绒面上制备隧穿氧化层，并在所述隧穿氧化层上制备磷掺杂多晶硅层；
(5)、在N型晶体硅基体背面的所述磷掺杂多晶硅层上制备氮化硅减反射层；在N型晶体硅基体正面的轻掺杂区层上制备氧化铝钝化层，并在所述氧化铝钝化层上制备氮化硅减反射层；
(6)对N型晶体硅基体的正面和背面均进行丝网印刷金属化浆料处理，并烧结；其中，金属化浆料的印刷区域与N型晶体硅基体正面的所述局部重掺杂区域对应。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述N型晶体硅基体的电阻率为0.3～5Ω·cm，厚度为80～200μm。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，采用BBr3气态源为扩散源，进行硼扩散，扩散温度为900-1100℃，扩散时间为30-60min，扩散完成后，所述N型晶体硅基体的方阻80-200Ω/□，表面浓度5e18cm-3～2e19cm-3。


4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，采用BF3或B2H6作为掺杂源，进行局部硼离子注入，并退火处理，形成局部重掺杂区，其中，
BF3的能量5-20keV，剂量2e15-8e15cm-2，B2H6的能量1k...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆俊宇，季根华，陈嘉，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32