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本发明涉及一种具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池及其制备方法。该方法包括：(1)、在N型晶体硅基体的两个表面均制备制绒面；(2)、在基体正表面的制绒面上进行硼扩散处理，形成轻掺杂区层；(3)、在轻掺杂区层利用掩膜进行局部硼离子注入，并...
该专利属于泰州中来光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰州中来光电科技有限公司授权不得商用。

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