一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法技术

本发明专利技术涉及一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料技术领域。本发明专利技术在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获得温度沿基片表面法向方向的梯度。本发明专利技术所述温度梯度的测试方法与现有温度梯度的测试方法相比较，具有高的空间分辨率。

A method of measuring temperature gradient along the normal direction of substrate surface

【技术实现步骤摘要】
一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法
本专利技术涉及一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料

技术介绍
随着电子产品向着智能化、集成化、小型化方向发展，在制备电子器件时，需要利用各种方法测量温度沿基片表面法向方向的梯度。目前，测试温度沿基片表面法向方向的梯度，主要是非接触式红外线测量和接触式感温涂层测量。其中，非接触式红外线测量主要测量的基片表面的平均温度，不能测量温度沿基片表面法向方向的梯度，而接触式感温涂层测量虽能直接测量法向的温度梯度，但在用显微镜观察其显色直径过程中存在较大误差从而导致测量温度数据的较大误差。以上各测量方法很难满足测量温度沿基片表面法向方向的梯度的要求。
技术实现思路
本专利技术通过控制绝缘层等厚度和薄膜热电偶的层数，可准确获得温度沿基片表面法向方向的梯度，解决了上述的问题。本专利技术提供了一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，其特征在于：在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获得温度沿基片表面法向方向的梯度。/n

【技术特征摘要】
1.一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，其特征在于：在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获得温度沿基片表面法向方向的梯度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：薄膜热电偶的层数≥2层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：相邻层薄膜热电偶之间设有绝缘层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：绝缘层的绝缘电阻＞108Ω。


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【专利技术属性】
技术研发人员：丁万昱，刘智慧，刘远兵，
申请(专利权)人：大连交通大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21