【技术实现步骤摘要】
碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜的制备方法
本专利技术属于复合材料制备
,具体涉及碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯(PVDF)多孔复合薄膜的制备方法。
技术介绍
随着电子设备的快速发展,在我们生活的环境中电磁干扰已经无处不在,不仅对国防安全构成了军事威胁,也对人体健康造成了不可估量的危害。为了解决严重的电磁污染问题,高性能吸波材料的设计和制备成为人们关注的焦点,包括导电高分子材料、各种碳材料、磁性颗粒以及复合材料等。迄今为止,由于吸波材料具有厚度薄、重量轻、吸收强度高、吸收带宽等优点,一直是学者们研究的热点。在过去的几十年里,为了实现具有高吸波性能的吸波材料,人们付出了巨大的努力来优化吸波材料的物理化学性质以获得所需的介电常数,这从根本上影响了界面阻抗。传统的固体颗粒(如铁氧体、金属磁体、陶瓷及其杂化体等)虽然具有优异的吸波性能,但也存在密度大、稳定性差、载荷含量大等缺点,难以进一步应用于实际。与传统的固体颗粒相比,碳材料(尤其是石墨烯纳米片或碳纳米管)具有许多突出的优点,如生产效率高、耐腐蚀性、质轻、通过 ...
【技术保护点】
1.碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:/n步骤1、将聚偏氟乙烯作为溶质分散到N,N-二甲基甲酰胺,在85℃的条件下水浴搅拌,得到聚偏氟乙烯/N,N-二甲基甲酰溶液;/n步骤2、将碳纳米管和石墨烯纳米片分散在聚偏氟乙烯溶液中,超声处理,干燥,随后将其与聚乙烯吡咯烷酮同时加入到聚偏氟乙烯溶液中,超声处理,形成碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯混合溶液;/n步骤3、将碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯混合溶液均匀涂覆在玻璃板上;/n步骤4、将碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯涂膜迅速沉浸到50℃的水浴中10min,使薄膜脱落,再将碳纳米管/石墨烯 ...
【技术特征摘要】
1.碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1、将聚偏氟乙烯作为溶质分散到N,N-二甲基甲酰胺,在85℃的条件下水浴搅拌,得到聚偏氟乙烯/N,N-二甲基甲酰溶液;
步骤2、将碳纳米管和石墨烯纳米片分散在聚偏氟乙烯溶液中,超声处理,干燥,随后将其与聚乙烯吡咯烷酮同时加入到聚偏氟乙烯溶液中,超声处理,形成碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯混合溶液;
步骤3、将碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯混合溶液均匀涂覆在玻璃板上;
步骤4、将碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯涂膜迅速沉浸到50℃的水浴中10min,使薄膜脱落,再将碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯薄膜放置在蒸馏水中,密封24h,干燥,得到碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,聚偏氟乙烯与N,N-二甲基甲酰胺的质量比为15:85。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,搅拌时间为90min。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,具体步骤如下:
步骤2.1、将碳纳米管加入到N,N-二甲基甲酰胺溶液中,超声分散30min,得到碳纳米管/N,N-二甲基...
【专利技术属性】
技术研发人员:任芳,伏柏桥,任鹏刚,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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