一种导电性Mg-P共掺杂Cu制造技术

本发明专利技术涉及负热膨胀材料技术领域，且公开了一种导电性Mg‑P共掺杂Cu

A conductive mg-p Co doped Cu

【技术实现步骤摘要】
一种导电性Mg-P共掺杂Cu2V2O7-石墨烯负热膨胀材料及其制法
本专利技术涉及负热膨胀材料
，具体为一种导电性Mg-P共掺杂Cu2V2O7-石墨烯负热膨胀材料及其制法。
技术介绍
热胀冷缩是大部分材料具有的一种自然现象，材料在应用过程中会因为温度的变化而发生体积形变，不同材料制成的器件在温度变化下，由于膨胀系数不匹配，而产生热应力，降低器件的物理性能，负热膨胀是指在一定的温度范围内的平均线膨胀系数或体膨胀系数为负值的化合物，负热膨胀材料在温度变化下是冷胀热缩，热膨胀系数具有叠加性，负热膨胀材料可以与正热膨胀材料组成可控热膨胀或零膨胀材料，来解决膨胀系数不匹配的问题，负热膨胀材料在电子、通讯、精密仪器和燃料电池等领域具有广泛的应用。具有负热膨胀性的材料主要有ZrV2O7、Sc2W3O12、Fe0.65Ni0.35合金、β锂辉石和β锂霞石的结晶体等，但是这些负热膨胀材料的相变点温度较高，并且ZrV2O7、Sc2W3O12等化合物原子价态较高和离子半径较大，影响了材料晶格的畸变，从而提高了材料的相变点温度，降低了材料的膨胀性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性Mg-P共掺杂Cu

【技术特征摘要】
1.一种导电性Mg-P共掺杂Cu2V2O7-石墨烯负热膨胀材料，包括以下按重量份数计的配方原料，其特征在于：20-30份氧化石墨烯，22-26.5份CuO、2.5-6份MgO、36-37份V2O5、7-13份NH4H2PO4。


2.根据权利要求1所述的一种导电性Mg-P共掺杂Cu2V2O7-石墨烯负热膨胀材料，其特征在于：所述所述氧化石墨烯为单层氧化石墨烯，片径为1-5um，厚度为0.8-1.2nm。


3.根据权利要求1所述的一种导电性Mg-P共掺杂Cu2V2O7-石墨烯负热膨胀材料，其特征在于：所述导电性Mg-P共掺杂Cu2V2O7-石墨烯负热膨胀材料制备方法包括以下步骤：
(1)向行星球磨机中依次加入22-26.5份CuO、2.5-6份MgO和36-37份V2O5，球磨机公转速率为40-60rpm，自转转速为600-640rpm，进行球磨10-18h，直至物料全部通过500-600目网筛，将物料加热至70-80℃，蒸发无水乙醇，并干燥固体混合物。
(2)向蒸馏水中依次21-30份氧化石墨烯和上述步骤(1)制得的固体混合物，将溶液加热至70-80℃，进行超声处理2-3h，超声频率为20-22KHz，将溶液除去溶剂，干燥固体产物。
(3)将上述步骤(2)制得的固体产物置于电阻炉中，电阻炉升温速率为3-5℃/min，在480-510℃下保温煅烧5-8h，煅烧产物为Mg掺杂Cu2V2O7负载氧化石墨烯。
(4)向行星球磨机中加入依次7-13份NH4H2PO4和上述步骤(3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：管玲飞，
申请(专利权)人：管玲飞，
类型：发明
国别省市：浙江;33