【技术实现步骤摘要】
原料存储罐及半导体设备
本专利技术涉及半导体制造领域,特别是涉及一种原料存储罐及半导体设备。
技术介绍
光刻工艺是半导体芯片制造过程中非常重要的一道工艺,它是利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法,将电路图形传递到晶圆表面以形成有效图形窗口或功能图形的过程,一般要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。这其中,光刻胶的涂布质量直接影响到光刻图形的质量,只有均匀的涂胶才能确保后续光刻图形的品质。但现有的光刻胶绝大多数是疏水性的,而晶圆表面通常是亲水性的,这造成光刻胶和晶圆的黏合性较差,使得显影时显影液会侵入光刻胶和晶圆的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形品质下降甚至图形转移失败。为改善此类问题,增粘剂被大量使用,在涂布腔室内将诸如HMDS(六甲基二硅胺烷)之类的增粘剂经加热生成以硅氧烷为主体的化合物涂到晶圆表面后,可成功地将晶圆表面由亲水性变为疏水性,使得晶圆和光刻胶能很好地黏合,有效提升光刻图形品质。但现有技术中喷涂增粘剂主要使用液体喷涂或借助载气携带增粘剂液体 ...
【技术保护点】
1.一种原料存储罐,其特征在于,包括:/n存储罐本体,用于容纳制程原料;/n加热装置,位于所述存储罐本体上,用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发;/n盒盖,位于所述存储罐本体上,所述盒盖上设置有至少一个供气口,挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。/n
【技术特征摘要】
1.一种原料存储罐,其特征在于,包括:
存储罐本体,用于容纳制程原料;
加热装置,位于所述存储罐本体上,用于加热所述制程原料以加快所述制程原料的挥发;
盒盖,位于所述存储罐本体上,所述盒盖上设置有至少一个供气口,挥发的所述制程原料通过所述供气口导出所述存储罐本体。
2.根据权利要求1所述的原料存储罐,其特征在于:所述制程原料包括增粘剂,所述加热装置包括电阻加热器。
3.根据权利要求1所述的原料存储罐,其特征在于:所述加热装置位于所述存储罐本体的外围且环绕包覆所述存储罐本体的侧壁及底部。
4.根据权利要求1所述的原料存储罐,其特征在于:所述存储罐本体和所述加热装置之间具有间隙,所述间隙内填充有导热介质。
5.根据权利要求1所述的原料存储罐,其特征在于:所述原料存储罐还包括保温壳,位于所述加热装置的外围。
6.根据权利要求1所述的原料存储罐,其特征在于:所述盒盖上还设置有至少一个载气口,所述载气口通过载气管路连接至载气源,用于将载气通入至所述存...
【专利技术属性】
技术研发人员:李生骄,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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