一种亿级像素阵列摄像装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及工业相机技术领域，公开了一种亿级像素阵列摄像装置，以提高工业相机的分辨率，该摄像装置包括成像模块，用于获取待拍摄对象的光学信息，根据光学信息得到成像光子信息；传感器控制模块，用于对成像光子信息进行预处理，得到电子图像信号；采集模块，用于实时采集电子图像信号并进行编码处理后通过传输模块发送至处理模块；传输模块，用于将编码处理后的电子图像信号转换为光纤信号传输至处理模块；处理模块，用于接收光纤信号并进行处理以生成图像。

A hundred million pixel array camera

【技术实现步骤摘要】
一种亿级像素阵列摄像装置
本技术涉及工业相机
，尤其涉及一种亿级像素阵列摄像装置。
技术介绍
工业相机作在日常使用中，视频检测、场景学习等场景应用广泛，随着工业相机的使用率越来越高，人们对工业相机的要求也越来越高。目前市场上的应用工业相机主要受制造工艺、光学分辨率、相差、采样率等条件限制，导致单芯片的视频采集分辨率收到限制，80M像素是大多数厂家的一个瓶颈，在目前的工业手段下，只能通过将芯片面积不断放大来进行解决，但是如此带来的成本问题将会按照指数级提升。有的厂家为了提升分辨率，将将芯片的象元尺寸等下调，导致需要增加曝光时间和处理时间来得到清晰的成像，输出的帧频只能达到每秒1帧或者2帧，采用这种方法只能制造拍照手机，而不是实时相机。目前，有些厂家未得到高分辨相机，使像素突破到亿级，将上百个4Kx4K的相机进行体积上的叠加，利用多个镜头，实现所谓的复眼相机，如此制造的相机体积庞大，使用和安装极其困难，无法便携使用。且多部分相机只能输出一个固定帧格式的、固定视场角的视频，对于视场角内部感兴趣的细节没办法进行高分辨显示。因此，如何提高工业相机的分辨率成为一个急需解决的问题。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种亿级像素阵列摄像装置，以提高工业相机的分辨率。为实现上述目的，本技术提供了一种亿级像素阵列摄像装置，包括：成像模块，用于获取待拍摄对象的光学信息，根据所述光学信息得到成像光子信息；传感器控制模块，用于对所述成像光子信息进行预处理，得到电子图像信号；采集模块，用于实时采集所述电子图像信号并进行编码处理后通过传输模块发送至处理模块；所述传输模块，用于将编码处理后的电子图像信号转换为光纤信号传输至处理模块；所述处理模块，用于接收所述光纤信号并进行处理以生成图像。优选地，所述成像模块包括镜头和传感器感光面，所述传感器感光面与所述镜头按照预设角度设置以使得成像光子信息成像在所述传感器感光面的设定位置。优选地，所述预设角度的范围为不超过45度。优选地，所述传感器控制模块包括：第一采集芯片GMAX4651、接口芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR及接口芯片的外围电路，该接口芯片的外围电路包括电容C2和电容C3；所述芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR的第1个引脚至第68个引脚为数据传输引脚，该各数据传输引脚分别与采集芯片GMAX4651的数据传输引脚连接，所述芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR的第69个引脚分别与第71个引脚、第73个引脚、第75个引脚、第77个引脚和第79个引脚连接后接地，所述芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR的第70个引脚分别与第72个引脚、第74个引脚、第76个引脚、第78个引脚和第80个引脚连接，且同时连接所述电容C2的一端和所述电容C3的一端，所述C2的另一端与所述电容C3的另一端连接后接地。优选地，所述采集模块包括：接口芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR、第二采集芯片xc7K160T-2FFG676xc7K160T-2FFG676、有极性电容C55、电容C56、和电容C57；所述第二采集芯片xc7K160T-2FFG676的VCCO_13引脚分别连接所述有极性电容C55的一端、所述电容C56的一端、和所述电容C57的一端，所述有极性电容C55的另一端分别连接所述电容C56的另一端、和所述电容C57的另一端后接地。优选地，所述传输模块包括芯片74441-0010及其外围电路，该外围电路包括电感L20、电感L21、有极性电容C141、有极性电容C143、电容C142、电容C144、电阻R108、电阻R109、电阻R110、电阻R111、电阻R112、电阻R113、电阻R114、电阻R115、电阻R116、电阻R117、电阻R118、电阻R119、电阻R120、电阻R121、发光二极管D7和三极管U20；所述电感L20的一端分别连接所述电感L21的一端和FPGA_VCC3V3端，所述电感L20的另一端分别连接所述芯片74441-0010的VCCR引脚和有极性电容C141的一端，所述芯片74441-0010的VCCR引脚连接VCC3V3端，所述电感L21的另一端连接芯片所述有极性电容C143的一端、所述电容C144的一端和芯片74441-0010的VCCT引脚，所述有极性电容C141的另一端分别连接所述电容C142的一端、所述有极性电容C143的另一端、所述电容C144的另一端和芯片74441-0010的VEET_3引脚且该端接地，所述电容C142的另一端连接VCC3V3端，所述芯片74441-0010的VEER_1引脚、VEER_2引脚、VEER_3引脚、VEET_1引脚、VEET_2引脚都和VEET_3引脚连接；所述电阻R108的一端分别连接所述电阻R109的一端、所述电阻R110的一端、所述电阻R111的一端、所述电阻R112的一端、所述电阻R113的一端所述发光二极管D7的正极、和所述电阻R114的一端且该端连接至VCC3V3端，所述电阻R108的另一端连接芯片74441-0010的TX_FAULT引脚，所述电阻R109的另一端分别连接所述电阻R117的一端和芯片74441-0010的TX_DISABLE引脚，所述电阻R117的另一端接地，所述电阻R110的另一端连接芯片74441-0010的SDA引脚，所述R111的另一端连接芯片74441-0010的SCL引脚，所述R112的另一端连接芯片74441-0010的MOD_ABS引脚，所述R113的另一端分别连接芯片74441-0010的LOS引脚和所述电阻R116的一端，所述电阻R116的另一端连接所述三极管Q20的基极，所述三极管Q20的发射极接地，所述发光二极管D7的负极连接所述电阻R115的一端，所述电阻R115的另一端连接所述三极管Q20的集电极，所述电阻R114的另一端连接所述三极管Q20的集电极；所述电阻R118连接所述电阻R119的一端且该端连接至VCC3V3端，所述电阻R118的另一端分别连接芯片74441-0010的RS0引脚和电阻R120的一端，所述电阻R119的另一端分别连接芯片74441-0010的RS1引脚和电阻R121的一端，所述电阻R120的另一端连接所述电阻R121的另一端且该端接地。本技术具有以下有益效果：本技术提供的一种亿级像素阵列摄像装置，该摄像装置包括：成像模块，用于获取待拍摄对象的光学信息，根据光学信息得到成像光子信息；传感器控制模块，用于对成像光子信息进行预处理，得到电子图像信号；采集模块，用于实时采集电子图像信号并进行编码处理后通过传输模块发送至处理模块；传输模块，用于将编码处理后的电子图像信号转换为光纤信号传输至处理模块；处理模块，用于接收光纤信号并进行处理以生成图像；该摄像装置可以提高工业相机的视角和分辨率。下面将参照附图，对本技术作进一步详细的说明。附本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种亿级像素阵列摄像装置，其特征在于，包括：/n成像模块，用于获取待拍摄对象的光学信息，根据所述光学信息得到成像光子信息；/n传感器控制模块，用于对所述成像光子信息进行预处理，得到电子图像信号；/n采集模块，用于实时采集所述电子图像信号并进行编码处理后通过传输模块发送至处理模块；/n所述传输模块，用于将编码处理后的电子图像信号转换为光纤信号传输至处理模块；/n所述处理模块，用于接收所述光纤信号并进行处理以生成图像。/n

【技术特征摘要】
1.一种亿级像素阵列摄像装置，其特征在于，包括：
成像模块，用于获取待拍摄对象的光学信息，根据所述光学信息得到成像光子信息；
传感器控制模块，用于对所述成像光子信息进行预处理，得到电子图像信号；
采集模块，用于实时采集所述电子图像信号并进行编码处理后通过传输模块发送至处理模块；
所述传输模块，用于将编码处理后的电子图像信号转换为光纤信号传输至处理模块；
所述处理模块，用于接收所述光纤信号并进行处理以生成图像。


2.根据权利要求1所述的亿级像素阵列摄像装置，其特征在于，所述成像模块包括镜头和传感器感光面，所述传感器感光面与所述镜头按照预设角度设置以使得成像光子信息成像在所述传感器感光面的设定位置。


3.根据权利要求2所述的亿级像素阵列摄像装置，其特征在于，所述预设角度的范围为不超过45度。


4.根据权利要求1所述的亿级像素阵列摄像装置，其特征在于，所述传感器控制模块包括：第一采集芯片GMAX4651、接口芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR及接口芯片的外围电路，该接口芯片的外围电路包括电容C2和电容C3；
所述芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR的第1个引脚至第68个引脚为数据传输引脚，该各数据传输引脚分别与采集芯片GMAX4651的数据传输引脚连接，所述芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR的第69个引脚分别与第71个引脚、第73个引脚、第75个引脚、第77个引脚和第79个引脚连接后接地，所述芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR的第70个引脚分别与第72个引脚、第74个引脚、第76个引脚、第78个引脚和第80个引脚连接，且同时连接所述电容C2的一端和所述电容C3的一端，所述C2的另一端与所述电容C3的另一端连接后接地。


5.根据权利要求1所述的亿级像素阵列摄像装置，其特征在于，所述采集模块包括：接口芯片ERM5-040-02.0-L-DV-TR、第二采集芯片xc7K160T-2FFG676、有极性电容C55、电容C56、和电容C57；
所述第二采集芯片xc7K160T-2FFG676的VCCO_13引脚分别连接所述有极性电容C55的一端、所述电容C56的一端、和所述电容C57的一端，所述有极性电容C55的另一端分别连接所述电容C56的另一端、和所述电容C57的另一端后接地。


6.根据权利要求1所述的亿级像素阵列摄像装置，其特征在于，所述传输模块包括芯片74441-0010及其外围电路，该外围电路包括电感L20、电感L21、有极性电容C141、有极性电容C143...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹江明，陈小天，唐新春，王大雷，邵逢仙，黄营磊，
申请(专利权)人：湖南傲英创视信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43