【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耐电浆涂层的气胶沉积涂布法
本专利技术的耐电浆涂层的气胶沉积涂布法,与气胶沉积涂布法有关,使得电浆蚀刻时,装备内部不受电浆影响,并降低金属母材包衣层的粗糙度,使微粒较少发生,且提高涂布层和金属母材的结合力的气胶沉积涂布法。
技术介绍
半导体元件、显示萤幕元件等积体电路元件,是在高密度电浆环境中实行蚀刻或化学气相沉积(CVD:ChemicalVapourDeposition)涂层方法等来制造。因此,需使用具有耐电浆的配件进行高密度电浆环境的蚀刻装置的组装。所述高密度电浆环境的蚀刻,以稀土氧化物、氮化铝、硅氧化物等的陶瓷材料,以及阳极氧化涂层的金属材料作为耐电浆配件。但是小于20nm的线宽的最近制造的积体电路元件,需在更高密度的电浆环境下,实行蚀刻等工序。所以与所提及的单一气胶沉积涂层膜或阳极氧化涂层的半导体装备的配件相比,耐电浆性配件对耐电浆性和电气绝缘性能的要求更高。为了解决所述的问题,韩国公开专利公报第10-2013-0123821号(2013.11.13)对包含气胶沉积涂层所形成的非晶质第1涂层膜 ...
【技术保护点】
1.一种耐电浆涂层的气胶沉积涂布法,其包含以下步骤:/n(a)一金属母材去除杂质以后,使该金属母材的表面粗糙度Ra的值达到10μm以内,对该金属母材的表面进行一镜面精加工的步骤;/n(b)将该金属母材对着一涂布喷嘴固定的步骤;/n(c)利用该涂布喷嘴进气、进一涂布粉末,喷射在该金属母材上面,形成一涂布层的步骤。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种耐电浆涂层的气胶沉积涂布法,其包含以下步骤:
(a)一金属母材去除杂质以后,使该金属母材的表面粗糙度Ra的值达到10μm以内,对该金属母材的表面进行一镜面精加工的步骤;
(b)将该金属母材对着一涂布喷嘴固定的步骤;
(c)利用该涂布喷嘴进气、进一涂布粉末,喷射在该金属母材上面,形成一涂布层的步骤。
2.根据权利要求1所述的耐电浆涂层的气胶沉积涂布法,其中该金属母材系选自铝、不锈钢或其组合。
3.根据权利要求1所述的耐电浆涂层的气胶沉积涂布法,其中在(a)步骤中,进一步包含对经该镜面精加工的该金属母材的表面洗涤的步骤。
4.根据权利要求1所述的耐电浆涂层的气胶沉...
【专利技术属性】
技术研发人员:张大勋,高贤哲,金东柱,朴祥圭,朴秦秀,
申请(专利权)人:KOMICO有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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