一种全集成高侧驱动电路制造技术

一种全集成高侧驱动电路，电平位移器将低电源电压电源轨下的栅极控制信号抬升至高电源电压电源轨，随后经过三个带放大功能的反相器得到与栅极控制信号反相的第一控制信号，第一控制信号经过一个带放大功能的第四反相器得到与栅极控制信号同相的第二控制信号，第二控制信号经第二电容抬升电压得第三控制信号，第三控制信号经第一耐压PMOS管得到高侧功率管的栅极驱动信号；第一PMOS管作使能管由第一控制信号控制，第一NMOS管和第二NMOS管交叉耦合控制，为第一电容和第二电容提供高速快捷的充电通路；第一控制信号控制相应的放电支路在需要的时候对栅极驱动信号放电；栅极控制信号跳低时控制对栅极驱动信号放电，栅极控制信号跳高后控制对栅极驱动信号充电。

A fully integrated high side drive circuit

【技术实现步骤摘要】
一种全集成高侧驱动电路
本专利技术属于模拟集成电路
，具体涉及一种全集成无片外自举电容的高侧驱动电路。
技术介绍
有源控制栅驱动电路是半桥应用(如同步buck变换器)的核心电路之一，直接影响开关电源工作的可靠性和性能指标。对于高侧功率管而言，N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)相较于P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)拥有更高的驱动效率、更小的器件面积，所以NMOSFET更适合作为功率晶体管。传统的高侧NMOSFET驱动先用片外自举电路做一个SW+5V的浮动电源轨，再用电平位移器将0～VDDH的信号抬升至SW～SW+5V，输出SW+5V的驱动电压驱动高侧NMOSFET功率管，因此对于传统的高侧NMOSFET驱动通常需要外部自举电容来产生与开关节点SW相关的浮动电源轨。但外部自举电容会带来一些额外的问题，例如周期性充电补充电容器电荷保证所需的最小关闭时间、在大电流应用中自举电容器在死区时间内过充电、寄生互连电感引起大电磁干扰(EMI)等。因此，传统的驱动方法不适合于高速、高可靠性和小型化的应用。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全集成高侧驱动电路，其特征在于，包括电平位移器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第一耐压PMOS管和放电支路，其中第一反相器、第二反相器、第三反相器和第四反相器为带放大功能的反相器，第二电容为大电容；/n所述电平位移器的输入端作为所述全集成高侧驱动电路的输入端连接栅极控制信号，其输出端连接第一反相器的输入端；所述栅极控制信号的电源轨为低电源电压；/n第二反相器的输入端连接第一反相器的输出端并通过第一电阻后连接高电源电压，其输出端通过第三反相器后产生第一控制信号；/...

【技术特征摘要】
1.一种全集成高侧驱动电路，其特征在于，包括电平位移器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第一耐压PMOS管和放电支路，其中第一反相器、第二反相器、第三反相器和第四反相器为带放大功能的反相器，第二电容为大电容；
所述电平位移器的输入端作为所述全集成高侧驱动电路的输入端连接栅极控制信号，其输出端连接第一反相器的输入端；所述栅极控制信号的电源轨为低电源电压；
第二反相器的输入端连接第一反相器的输出端并通过第一电阻后连接高电源电压，其输出端通过第三反相器后产生第一控制信号；
第四反相器的输入端连接所述第一控制信号并通过第一电容后连接第二电阻的一端和第二NMOS管的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，王佳妮，金正杨，王韵坤，石跃，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51