有机电致发光器件及其制造方法技术

技术编号:24174520 阅读:43 留言:0更新日期:2020-05-16 04:07
本发明专利技术公开了一种有机电致发光器件及其制造方法,至少包括一空穴注入传输层,所述空穴注入传输层包括:由空穴传输材料形成的基体层;多个磁性导电纳米棒,所述磁性导电纳米棒均匀分布于所述基体层内以形成一空穴传导阵列,用于将空穴由所述空穴注入传输层的阳极侧传导至所述空穴注入传输层的阴极侧,所述空穴传导阵列的厚度与所述基体层的厚度之比为0.95~1。本发明专利技术将空穴注入传输层替代现有的空穴传输层和空穴注入层,在空穴注入传输层中设置磁性导电纳米棒,磁性导电纳米棒能够将空穴由空穴注入传输层的阳极方向导向阴极方向,消除了由共同层中(空穴注入传输层)的漏电电流,进而消除了色偏,提升了器件的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件及其制造方法
本专利技术涉及的是一种OLED领域,更具体的说,涉及一种有机电致发光器件及其制造方法。
技术介绍
OLED由于出众的显示效果被越来越多的应用在手机、电视以及穿戴领域。为了追求更高的器件性能,降低OLED的驱动电压,提升OLED的工作寿命,成为了各厂商研发重点关注的方向。要降低OLED的驱动电压,可以通过引入p型掺杂的空穴注入层(HIL),减少OLED空穴注入界面的势垒。同时提高器件的稳定性,延长器件寿命。常见的OLED器件空穴注入和传输分为两层:p型掺杂的空穴注入层,使用蒸镀手段将一定比例的掺杂客体(Dopant)和空穴传输层(HTL)材料进行共同蒸镀,形成1-20nm的HIL层;空穴传输层(HTL),使用蒸镀手段蒸镀HTL材料,形成30-150nm的HTL层。在阳极和空穴传输层之间插入空穴注入(HIL)层,可以减少OLED空穴注入界面的势垒,降低器件的工作电压,同时提高器件的稳定性,延长器件寿命。如图1所示出的现有的一种OLED器件结构示意图,现有的OLED器件中,一个像素单元100包括了三个子像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,至少包括一空穴注入传输层,所述空穴注入传输层包括:/n由空穴传输材料形成的基体层;/n多个磁性导电纳米棒,所述磁性导电纳米棒均匀分布于所述基体层内以形成一空穴传导阵列,用于将空穴由所述空穴注入传输层的阳极侧传导至所述空穴注入传输层的阴极侧,所述空穴传导阵列的厚度与所述基体层的厚度之比为0.95~1。/n

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,至少包括一空穴注入传输层,所述空穴注入传输层包括:
由空穴传输材料形成的基体层;
多个磁性导电纳米棒,所述磁性导电纳米棒均匀分布于所述基体层内以形成一空穴传导阵列,用于将空穴由所述空穴注入传输层的阳极侧传导至所述空穴注入传输层的阴极侧,所述空穴传导阵列的厚度与所述基体层的厚度之比为0.95~1。


2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述磁性导电纳米棒竖直或倾斜设置于所述基体层内。


3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述磁性导电纳米棒在沿所述基体层的厚度方向上的投影长度与所述基体层的厚度之比为0.95~1。


4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料为:NPB、mCP、TCTA、m-MTDATA。


5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述磁性导电纳米棒的直径为1~10nm,长度为10-150nm。


6.根据权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述磁性导电纳米棒的材料为Fe3O4、Fe2O3、Fe/Co合金、Fe/Ni合金、FeS或单层碳纳米管。


7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入传输层中的所述磁性导电纳米棒的含量为0.01-1g/cm3。


8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述磁性导电纳米棒的延展方向与所述基体层的上下表面均垂直。


9.一种有机电致发光器件的制造方法,其特征在于,包括:
空穴注入传输层形成工序,以在阳极之上形成如权利要求1所述空穴注入传输层。


10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述空穴注入传输层形成工序具体包括以下步骤:

【专利技术属性】
技术研发人员:张磊钱冲李贵芳
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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