钨钛合金靶材的制备方法技术

一种钨钛合金靶材的制备方法，包括：通过将钨钛合金粉末进行冷等静压工艺处理，然后将所述坯料放入包套并进行密封，其中所述包套与所述坯料通过耐高温棉隔离，使得在后续的工艺中所述坯料不会与所述包套发生反应，为后期出炉后从所述包套中取出所述钨钛合金靶材成品非常方便，同时，进行密封后，能够保障所述包套内没有杂质进入；通过将密封后的所述包套放入热处理炉中进行脱气工艺，使得所述坯料内部的空气完全抽出，并且使得所述坯料的分子之间间隙均匀；最后，通过将脱气后的所述包套进行热等静压工艺处理，使得所述坯料被加工成为成熟的靶材，形成的钨钛合金靶材的微观结构能够均匀有韧性且无裂缝存在，致密度能够达到100％。

【技术实现步骤摘要】
钨钛合金靶材的制备方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种钨钛合金靶材的制备方法。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)被广泛地应用在光子、电子、信息等高端产业中，例如：集成电路、液晶显示屏、工业玻璃、照相机镜头、信息储存、船舶、化工等。PVD中使用的合金靶材则是集成电路、液晶显示器等制造过程中最重要的原材料之一。钨钛合金作为与Al、Cu、Ag、Au等布线配合被广泛用于半导体芯片中的扩散阻挡层，起到阻碍金属扩散，改善金属薄膜与基体的结合强度的作用。随着半导体产业升级以及规模的不断扩大，高纯钨钛合金合金溅射靶材的要求及需求也越来越高，其中，钨钛合金纯度与致密度都有极高要求，微观结构均匀，无裂纹缺陷。现有技术中采用热压方法来制作钨钛合金靶材，该方法生产的钨钛合金中致密度不够，靶材中难以避免有少量空洞存在；该空洞的存在容易造成靶材在溅射时产生异常放电与小颗粒脱落，大大降低芯片良率。因此，需要提供一种新的方法可以提高所述钨钛合金靶材的致密度，使得靶材的微观结构能够均匀且无裂缝存在。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于，包括：/n将钨钛合金粉进行装模后，进行冷等静压工艺处理，形成坯料；/n将所述坯料放入包套并进行密封；/n将密封后的所述包套放入热处理炉中进行脱气工艺；/n将脱气后的所述包套进行热等静压工艺处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于，包括：
将钨钛合金粉进行装模后，进行冷等静压工艺处理，形成坯料；
将所述坯料放入包套并进行密封；
将密封后的所述包套放入热处理炉中进行脱气工艺；
将脱气后的所述包套进行热等静压工艺处理。


2.如权利要求1所述钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于，将钨钛合金粉进行装模之前，还包括步骤：提供混粉机，所述混粉机为钛材质，将W粉与Ti放入所述混粉机中进行混粉。


3.如权利要求2所述钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于，将W粉与Ti放入所述混粉机中进行混粉之前，还包括步骤：给所述混粉机内通入惰性气体，所述惰性气体的压强控制在0.02Mpa-0.06Mpa。


4.如权利要求2所述钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于，所述混粉机内筒形状为锥形。


5.如权利要求2所述钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于，所述混粉机的转速控制在6r/min-15r/min。


6.如权利要求1所述钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于，所述冷等静压工艺中冷等压强...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，罗明浩，吴东青，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33