一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体、硅差压芯片安装仓和硅差压芯片保护压盖，所述差速传感器本体的顶部安装有硅差压芯片安装仓，所述硅差压芯片安装仓内部的两端皆设置有滑槽，且滑槽通过滑块安装有缓冲板，所述缓冲板的顶部安装有PCB板，且PCB板顶部的中间位置处安装有硅差压芯片。本实用新型专利技术安装有第一弧形保护胶圈、第二弧形保护胶圈和橡胶连接柱，第二弧形保护胶圈盖合于高压入口下方，可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓内，装置使用较长时间，第二弧形保护胶圈产生形变后，第一弧形保护胶圈也可有效遮挡住水汽，避免水汽与硅差压芯片接触，对硅差压芯片起到双重保护效果。

A differential pressure sensor with silicon differential pressure chip protection structure

【技术实现步骤摘要】
一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器
本技术涉及差压传感器
，具体为一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器。
技术介绍
差压传感器是一种用来测量两个压力之间差值的传感器，通常用于测量某一设备或部件前后两端的压差，差压传感器常用于测量汽车发动机尾气颗粒捕集器前后通道的尾气压力差，差压传感器具有体积小巧重量轻，安装方便的优点，硅差压芯片在测量过程中容易受损，因此差压传感器内部往往设置有保护结构用于保护硅差压芯片，现有的具有硅差压芯片保护结构的差压传感器大多在高压入口与硅差压芯片直接安装一块橡胶片，通过橡胶片传递高压，并可通过橡胶片保护硅差压芯片，使得水汽等不易进入到压盖内部，避免造成硅差压芯片短路烧毁，然而橡胶片与高压入口之间存在间隙，长时间使用后，橡胶片容易产生形变，使得其与顶盖之间贴合不紧密，从而容易使水汽等进入顶盖内，造成硅差压芯片短路烧毁，同时，外界高压刚接入时，气压瞬间冲击力较大，传感器内部缺少相应的缓冲结构，使得硅差压芯片容易受到较大冲击力损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体、硅差压芯片安装仓和硅差压芯片保护压盖，所述差速传感器本体的顶部安装有硅差压芯片安装仓，所述硅差压芯片安装仓内部的两端皆设置有滑槽，且滑槽通过滑块安装有缓冲板，所述缓冲板的顶部安装有PCB板，且PCB板顶部的中间位置处安装有硅差压芯片，所述硅差压芯片安装仓的内部安装有硅差压芯片保护压盖，且硅差压芯片保护压盖顶部的中间位置处安装有高压入管，所述高压入管穿过硅差压芯片安装仓并延伸至硅差压芯片安装仓的外部，且高压入管的内部设置有高压通口。优选的，所述硅差压芯片保护压盖底部的中间位置处安装有第二弧形保护胶圈，且第二弧形保护胶圈底部的中间位置处安装有第一弧形保护胶圈，所述第一弧形保护胶圈底部的中间位置处安装有橡胶连接柱，所述橡胶连接柱远离第一弧形保护胶圈的一端与硅差压芯片连接。优选的，所述缓冲板的底部均匀安装有缓冲弹簧，且缓冲弹簧远离缓冲板的一端皆与硅差压芯片安装仓连接。优选的，所述缓冲弹簧的外侧皆设置有防锈层。优选的，所述硅差压芯片保护压盖顶部正对高压通口位置处设置有高压入口。优选的，所述第二弧形保护胶圈与硅差压芯片保护压盖的宽度相同。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该具有硅差压芯片保护结构的差压传感器安装有第一弧形保护胶圈、第二弧形保护胶圈和橡胶连接柱，第二弧形保护胶圈盖合于高压入口下方，可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓内，装置使用较长时间，第二弧形保护胶圈产生形变后，第一弧形保护胶圈也可有效遮挡住水汽，避免水汽与硅差压芯片接触，对硅差压芯片起到双重保护效果，同时，装置安装有缓冲板和缓冲弹簧配合使用，外界高压刚接入时，硅差压芯片受到较大冲击力，硅差压芯片可通过PCB板推动缓冲板在滑槽上向下方滑动，通过缓冲弹簧的弹性作用，可起到缓冲冲击力的作用，避免硅差压芯片受到较大冲击力损坏。附图说明图1为本技术的主视剖视示意图；图2为本技术的硅差压芯片安装仓主视剖视示意图；图3为本技术的局部结构示意图。图中：1、差速传感器本体；2、硅差压芯片安装仓；3、缓冲板；4、第一弧形保护胶圈；5、第二弧形保护胶圈；6、高压入管；7、高压通口；8、高压入口；9、硅差压芯片保护压盖；10、硅差压芯片；11、PCB板；12、缓冲弹簧；13、橡胶连接柱；14、滑槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术提供的一种实施例：一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体1、硅差压芯片安装仓2和硅差压芯片保护压盖9，差速传感器本体1的顶部安装有硅差压芯片安装仓2，硅差压芯片安装仓2内部的两端皆设置有滑槽14，且滑槽14通过滑块安装有缓冲板3，缓冲板3的顶部安装有PCB板11，且PCB板11顶部的中间位置处安装有硅差压芯片10，硅差压芯片安装仓2的内部安装有硅差压芯片保护压盖9，且硅差压芯片保护压盖9顶部的中间位置处安装有高压入管6，高压入管6穿过硅差压芯片安装仓2并延伸至硅差压芯片安装仓2的外部，且高压入管6的内部设置有高压通口7。在本实施中：进一步的，硅差压芯片保护压盖9底部的中间位置处安装有第二弧形保护胶圈5，且第二弧形保护胶圈5底部的中间位置处安装有第一弧形保护胶圈4，第一弧形保护胶圈4底部的中间位置处安装有橡胶连接柱13，橡胶连接柱13远离第一弧形保护胶圈4的一端与硅差压芯片10连接，第二弧形保护胶圈5盖合于高压入口8下方，可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓2内，装置使用较长时间，第二弧形保护胶圈5产生形变后，第一弧形保护胶圈4也可有效遮挡住水汽，避免水汽与硅差压芯片10接触，对硅差压芯片10起到双重保护效果。进一步的，缓冲板3的底部均匀安装有缓冲弹簧12，且缓冲弹簧12远离缓冲板3的一端皆与硅差压芯片安装仓2连接，硅差压芯片10受到较大冲击力，硅差压芯片10可通过PCB板11推动缓冲板3在滑槽14上向下方滑动，通过缓冲弹簧12的弹性作用，可起到缓冲冲击力的作用，避免硅差压芯片10受到较大冲击力损坏。进一步的，缓冲弹簧12的外侧皆设置有防锈层，有利于延长缓冲弹簧12的使用寿命。进一步的，硅差压芯片保护压盖9顶部正对高压通口7位置处设置有高压入口8，外界高气压能通过高压通口7进入到高压入口8内，便于硅差压芯片10进行检测。进一步的，第二弧形保护胶圈5与硅差压芯片保护压盖9的宽度相同，使得第二弧形保护胶圈5能完全盖合于高压入口8底部。工作原理：使用时，先将装置接通电源，外界高气压通过高压通口7进入到高压入口8内，高压冲击第二弧形保护胶圈5，第二弧形保护胶圈5将高压集中传递至第一弧形保护胶圈4，第一弧形保护胶圈4通过橡胶连接柱13将高压传递至硅差压芯片10，通过硅差压芯片10对压值进行检测，第二弧形保护胶圈5盖合于高压入口8下方，可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓2内，装置使用较长时间，第二弧形保护胶圈5产生形变后，第一弧形保护胶圈4也可有效遮挡住水汽，避免水汽与硅差压芯片10接触，对硅差压芯片10起到双重保护效果，外界高压刚接入时，气压冲击力较大，硅差压芯片10受到较大冲击力，硅差压芯片10将冲击力传递至PCB板11，使得PCB板11受力并推动缓冲板3在滑槽14上向下方滑动，缓冲板3压缩缓冲弹簧12，通过缓冲弹簧12的弹性作用可帮助缓冲板3复位，通过缓冲弹簧12可缓冲冲击力，避免硅差压芯片10受到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体(1)、硅差压芯片安装仓(2)和硅差压芯片保护压盖(9)，其特征在于：所述差速传感器本体(1)的顶部安装有硅差压芯片安装仓(2)，所述硅差压芯片安装仓(2)内部的两端皆设置有滑槽(14)，且滑槽(14)通过滑块安装有缓冲板(3)，所述缓冲板(3)的顶部安装有PCB板(11)，且PCB板(11)顶部的中间位置处安装有硅差压芯片(10)，所述硅差压芯片安装仓(2)的内部安装有硅差压芯片保护压盖(9)，且硅差压芯片保护压盖(9)顶部的中间位置处安装有高压入管(6)，所述高压入管(6)穿过硅差压芯片安装仓(2)并延伸至硅差压芯片安装仓(2)的外部，且高压入管(6)的内部设置有高压通口(7)。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体(1)、硅差压芯片安装仓(2)和硅差压芯片保护压盖(9)，其特征在于：所述差速传感器本体(1)的顶部安装有硅差压芯片安装仓(2)，所述硅差压芯片安装仓(2)内部的两端皆设置有滑槽(14)，且滑槽(14)通过滑块安装有缓冲板(3)，所述缓冲板(3)的顶部安装有PCB板(11)，且PCB板(11)顶部的中间位置处安装有硅差压芯片(10)，所述硅差压芯片安装仓(2)的内部安装有硅差压芯片保护压盖(9)，且硅差压芯片保护压盖(9)顶部的中间位置处安装有高压入管(6)，所述高压入管(6)穿过硅差压芯片安装仓(2)并延伸至硅差压芯片安装仓(2)的外部，且高压入管(6)的内部设置有高压通口(7)。


2.根据权利要求1所述的一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，其特征在于：所述硅差压芯片保护压盖(9)底部的中间位置处安装有第二弧形保护胶圈(5)，且第二弧形保护胶圈(5)底部的中间位置处安装有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：武安心，刘现中，
申请(专利权)人：武汉新辰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42