一种固体MO源钢瓶制造技术

技术编号:24134815 阅读:58 留言:0更新日期:2020-05-13 07:51
本实用新型专利技术公开了一种固体MO源钢瓶,包括钢瓶本体,该钢瓶本体具有内腔,该内腔包括第一内腔和第二内腔,第二内腔设置于第一内腔中,第一内腔的腔底和第二内腔的腔底均为锥形结构,第二内腔的腔底与第一内腔的腔底之间具有物料流动空间,第二内腔的腔底具有流动口,流动口上设有筛孔挡板,第二内腔的上部具有汇流区,钢瓶本体的顶部设有载气进入管和出料管,载气进入管的下端伸入第一内腔中,出料管与第二内腔的汇流区相接通,第一内腔和第二内腔内均填充有MO源物料。本实用新型专利技术可以保证钢瓶输出时的MO源浓度,保证后续的半导体微结构材料的生长工艺的正常进行,进而保证最终半导体产品的质量。

A solid Mo source cylinder

【技术实现步骤摘要】
一种固体MO源钢瓶
本技术涉及一种固体MO源钢瓶。
技术介绍
MO源即高纯金属有机化合物,是先进的金属有机化学气相沉积(简称MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材料的支撑材料。由于MO源产品要求纯度极高,而绝大多数MO源化合物对氧气、水汽极其敏感,遇空气可发生自燃,遇水可发生爆炸,且毒性大,所以MO源的研制是集极端条件下的合成制备、超纯纯化、超纯分析、超纯灌装等于一体的高新技术。MO源需要储存在一个对洁净度、密封性具有较高要求的惰性气体保护的容器罐(即MO源灌装容器)中。目前,MO源的包装一般采用钢瓶盛装。在使用时,通过MO源钢瓶来供给MOCVD等设备。传统的MO源钢瓶均为单腔结构,这种结构在供应MO源时,物料浓度较低。而MO源钢瓶输出的MO源浓度会影响后续的半导体微结构材料的生长工艺,进而影响最终半导体产品的质量。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本技术的目的在于提供一种固体MO源钢瓶,可以保证钢瓶输出时的MO源浓度,保证后续的半导体微结构材料的生长工艺的正常进行,进而保证最终半导体产品的质量。为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本技术通过以下技术方案实现:一种固体MO源钢瓶,包括钢瓶本体,该钢瓶本体具有内腔,该内腔包括第一内腔和第二内腔,该第二内腔设置于所述第一内腔中,所述第一内腔的腔底和第二内腔的腔底均为锥形结构,所述第二内腔的腔底与所述第一内腔的腔底之间具有物料流动空间,所述第二内腔的腔底具有流动口,该流动口上设有筛孔挡板,所述第二内腔的上部具有汇流区,所述钢瓶本体的顶部设有载气进入管和出料管,所述载气进入管的下端伸入所述第一内腔中,所述出料管与所述第二内腔的汇流区相接通,钢瓶本体的第一内腔和第二内腔内均填充有MO源物料。作为本技术上述技术方案的进一步改进,所述载气进入管和出料管上均设有控制阀。作为本技术上述技术方案的进一步改进,所述第二内腔的腔壁与钢瓶本体的顶部相接。作为本技术上述技术方案的进一步改进,所述第二内腔的汇流区的腔壁为倾斜结构。作为本技术上述技术方案的进一步改进,所述载气进入管的下端为折弯结构。作为本技术上述技术方案的进一步改进,所述钢瓶本体的顶部设有第一内腔物料填充口和第二内腔物料填充口。本技术的有益效果是:本技术在使用时,钢瓶的第一内腔和第二内腔均填充MO源物料,高纯载气进入钢瓶本体的第一内腔中,在高纯载气的作用下,使得MO源物料流动,第一内腔内的MO源物料经过第一内腔的腔底和第二内腔的腔底之间的物料流动空间,再进入第二内腔中,第二内腔中的MO源物料也产生流动,随着高纯载气的流动,MO源物料流动,并汇集于第二内腔的汇流区,高纯载气再将MO源物料带入出料管,由出料管供应给后续设备;第一内腔的腔底和第二内腔的腔底均为锥形结构,这种锥形结构有利于MO源物料的汇集,进一步保证MO源物料的浓度;第二内腔的腔底设有筛孔挡板,可以对固体MO源物料进行过滤,提高供应给下游生产的MO源物料的纯度;本技术的结构设计,保证MO源物料的流向一致性,使得MO源物料随高纯载气流动的过程中,能始终保持较高浓度。该钢瓶最终供应给下游生产的MO源浓度为传统钢瓶结构所供应浓度的2倍以上,从而可以很好的保证后续的半导体微结构材料的生长工艺的正常进行,保证最终半导体产品的质量。附图说明图1为本技术的一种固体MO源钢瓶的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述,以使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图1所示,一种固体MO源钢瓶,包括钢瓶本体1,该钢瓶本体1具有内腔,该内腔包括第一内腔11和第二内腔12,该第二内腔12设置于所述第一内腔11中,所述第一内腔11的腔底和第二内腔12的腔底均为锥形结构,所述第二内腔12的腔底与所述第一内腔11的腔底之间具有物料流动空间111,所述第二内腔12的腔底具有流动口,该流动口上设有筛孔挡板121,所述第二内腔12的上部具有汇流区122,所述钢瓶本体1的顶部设有载气进入管2和出料管3,所述载气进入管2的下端伸入所述第一内腔11内,所述出料管3与所述第二内腔12的汇流区122相接通,钢瓶本体1的第一内腔11和第二内腔12内均填充有MO源物料。其中,所述载气进入管2和出料管3上均设有控制阀4,以控制高纯载气的进入和MO源物料的输出。上述技术方案中,第二内腔12的腔壁上侧与钢瓶本体1的顶部相接。第二内腔12的汇流区122的腔壁为倾斜结构,便于MO源物料的汇集。作为进一步的改进,所述载气进入管2的下端为折弯结构。为了便于填充MO源物料,所述钢瓶本体的顶部设有第一内腔物料填充口和第二内腔物料填充口。在使用时,通过第一内腔物料填充口和第二内腔物料填充口向钢瓶本体1的第一内腔11和第二内腔12内填充MO源物料,高纯载气经由载气进入管2进入钢瓶本体1的第一内腔11中,在高纯载气的作用下,使得第一内腔11中的MO源物料流动,第一内腔11内的MO源物料经过第一内腔11的腔底和第二内腔12的腔底之间的物料流动空间111,再经过筛孔挡板121的过滤后进入第二内腔12中,第二内腔12中的MO源物料也产生流动,随着高纯载气的流动,MO源物料流动,并汇集于第二内腔12的汇流区122,高纯载气再将MO源物料带入出料管3,由出料管3供应给后续设备。本技术的结构设计,保证MO源物料的流向一致性(如图1中的箭头所示),使得MO源物料随高纯载气流动的过程中,能始终保持较高浓度。该钢瓶最终供应给下游生产的MO源浓度为传统钢瓶结构所供应浓度的2倍以上,从而可以很好的保证后续的半导体微结构材料的生长工艺的正常进行,保证最终半导体产品的质量。以上所述仅为本技术的实施例,并非因此限制本技术的专利范围,凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种固体MO源钢瓶,其特征在于:包括钢瓶本体,该钢瓶本体具有内腔,该内腔包括第一内腔和第二内腔,该第二内腔设置于所述第一内腔中,所述第一内腔的腔底和第二内腔的腔底均为锥形结构,所述第二内腔的腔底与所述第一内腔的腔底之间具有物料流动空间,所述第二内腔的腔底具有流动口,该流动口上设有筛孔挡板,所述第二内腔的上部具有汇流区,所述钢瓶本体的顶部设有载气进入管和出料管,所述载气进入管的下端伸入所述第一内腔中,所述出料管与所述第二内腔的汇流区相接通,钢瓶本体的第一内腔和第二内腔内均填充有MO源物料。/n

【技术特征摘要】
1.一种固体MO源钢瓶,其特征在于:包括钢瓶本体,该钢瓶本体具有内腔,该内腔包括第一内腔和第二内腔,该第二内腔设置于所述第一内腔中,所述第一内腔的腔底和第二内腔的腔底均为锥形结构,所述第二内腔的腔底与所述第一内腔的腔底之间具有物料流动空间,所述第二内腔的腔底具有流动口,该流动口上设有筛孔挡板,所述第二内腔的上部具有汇流区,所述钢瓶本体的顶部设有载气进入管和出料管,所述载气进入管的下端伸入所述第一内腔中,所述出料管与所述第二内腔的汇流区相接通,钢瓶本体的第一内腔和第二内腔内均填充有MO源物料。


2.根据权利要求1所述的一种固体...

【专利技术属性】
技术研发人员:顾宏伟茅嘉原严金林鲁宇天
申请(专利权)人:苏州普耀光电材料有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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