【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含杂元素的石墨烯
本专利技术涉及含杂元素的石墨烯，其为显示扁平的形状、并表现出作为透明的P型半导体的性质的含杂元素的石墨烯。
技术介绍
一直以来，在石墨烯的碳六元环结构中导入碳以外的异种元素而得的含杂元素的石墨烯受到瞩目。在该含杂元素的石墨烯中，例如如果在石墨烯的锯齿形边缘的谷部导入氮等异种元素，则异种元素对相邻的碳原子产生物理和化学作用。其结果是，已知相邻的碳原子表现出氧还原特性。基于此，研究了含杂元素的石墨烯用作催化剂材料的用途(例如，参照专利文献1～3等)。专利文献1中公开了在碳载体的表面上形成了含氮石墨的电极催化剂用载体。该专利文献1的含氮石墨形成在具有π电子供给性的碳载体的表面上。此外，专利文献1中公开了用基于拉曼光谱的ID/IG值来评价含氮石墨的结晶性，该ID/IG值可达到0.8～1.2。专利文献2公开了可以通过溶剂热反应来合成包含氮等杂原子的含杂原子的石墨烯。专利文献2的实施例中记载了在含杂原子的石墨烯中以14.8原子％的比例掺杂氮原子。但是，专利文献2中没有公开任何关于含杂原子的石墨烯的结晶性...
【技术保护点】
1.含杂元素的石墨烯，其特征在于，/n在选区电子衍射中可观测到属于直方晶系和六方晶系中的任一种且具备单晶的对称性的斑点，/n所述含杂元素的石墨烯包含碳(C)、和作为杂元素(X)的选自氮(N)、磷(P)、砷(As)、硫(S)、硼(B)和硅(Si)的至少1种元素。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 JP 2017-1906831.含杂元素的石墨烯，其特征在于，
在选区电子衍射中可观测到属于直方晶系和六方晶系中的任一种且具备单晶的对称性的斑点，
所述含杂元素的石墨烯包含碳(C)、和作为杂元素(X)的选自氮(N)、磷(P)、砷(As)、硫(S)、硼(B)和硅(Si)的至少1种元素。
2.如权利要求1所述的含杂元素的石墨烯，其特征在于，所述斑点属于所述直方晶系，是入射方向为[101]的电子衍射图像，包含倒易晶格点11-1、-111、-202、1-1-1、20-2和-1-11的排列。
3.如权利要求1或2所述的含杂元素的石墨烯，其特征在于，在X射线衍射中，来自(002)面的衍射峰的半峰宽在3度以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的含杂元素的石墨烯，其特征在于，在X射线衍射中，来自(101)面的衍射峰强度I(101)与来自(002)面的衍射峰强度I(002)的比(I(101)/I(002))在0.1以上。
5.如权利要求3或4所述的含杂元素的石墨烯，其特征在于，在X射线衍射中，(002)面的面间距在以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的含杂元素的石墨烯，其特征在于，根据X射线电子能谱法算出的碳(C)与杂元素(X)的原子数比(X/C)在0.1以上。
7.如权利要求1～6中任一项所述的含杂元素的石墨烯，其特征在于，根据X射线电子能谱法，能提示氮在基底面中掺杂的化学结合状态是阳离子型氮的可能性，根据霍尔效应测量可判定载流子类型为p型。
8.如权利要求1～7中任一项所述的含杂元素的石墨烯，其特征在于，在激发波长设为532nm的拉曼光谱分析中，在1350cm-1附近出现的D带的强度I(D)与在1580cm-1附近出现的G带的强度I(...
【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤永宏，
申请(专利权)人：国立研究开发法人科学技术振兴机构，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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