一种压控振荡器制造技术

本申请提供一种压控振荡器。该压控振荡器包括：F类振荡电路，包括差分连接的第一MOS管及第二MOS管；及第一高阻网络，与所述第一MOS管的源极及所述第二MOS管的源极的共模点连接。本申请提供的压控振荡器通过在F类振荡电路的差分连接的MOS管的源端接入高阻网络，能够增加漏端的三次谐波分量，从而可以省去或者简化为得到较大的漏端三阶电压摆幅而设置的多级放大模块；而且由于具有更高的三阶分量，MOS管漏端的电压翻转的斜率更大，开关特性更好，噪声进入的时间更短，振荡器具有更低的相位噪声。

【技术实现步骤摘要】
一种压控振荡器
本申请涉及电子
，具体而言，涉及一种压控振荡器。
技术介绍
随着无线通信技术的发展，人们对于无线传输的速率要求越来越高，通信的调制方式越来越复杂（如最新的WiFi6已经支持1024QAM调制（QuadratureAmplitudeModulation，正交幅度调制）），这对振荡器的相位噪声提出了更高的要求。同时，对于集成数字Modem（调制解调器）、模拟、射频收发等的SOC（SystemonChip，片上系统）芯片系统，大功率的PA（PowerAmplifier，功率放大器）模块容易对VCO（voltage-controlledoscillator，压控振荡器）产生pulling影响，进一步恶化VCO的相噪，因此VCO的振荡频率通常错开PA的谐波频点（常见的VCO的谐振频率是PA工作频率的1.5倍），为了产生通信频段的时钟频率，需要将VCO的频率进行倍频。为减小VCO的相位噪声，MasoudBabaie等人在2013年提出一种ClassF振荡器，采用变压器同时实现一阶和三阶频率的第一高阻网络，使有源MOS管漏极得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：/nF类振荡电路，包括差分连接的第一MOS管及第二MOS管；及第一高阻网络，与所述第一MOS管的源极及所述第二MOS管的源极的共模点连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：
F类振荡电路，包括差分连接的第一MOS管及第二MOS管；及第一高阻网络，与所述第一MOS管的源极及所述第二MOS管的源极的共模点连接。


2.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述第一高阻网络为能够输出二次谐波或四次谐波的谐振网络。


3.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述F类振荡电路为NMOS结构的振荡电路，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极的共模点经所述第一高阻网络接地。


4.根据权利要求3所述的压控振荡器，其特征在于，所述F类振荡电路还包括：
第一谐振网络，连接在所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极之间，所述第一谐振网络包括第一电感，所述第一电感接入工作电压；及第二谐振网络，连接在所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极之间，所述第二谐振网络包括与所述第一电感相对设置的第二电感，所述第二电感接入偏置电压。


5.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述F类振荡电路为PMOS结构的振荡电路，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极的共模点经所述第一高阻网络接工作电压。


6.根据权利要求5所述的压控振荡器，其特征在于，所述F类振荡电路还包括：
第一谐振网络，连接在所述第一MOS管的栅极与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑涛，柴路，
申请(专利权)人：恒玄科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31