晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其采用喷砂设备先在硅片表面形成微米级麻面层，而后在微米级麻面层表面进一步制造纳米级麻面层，而后通过蚀刻工艺最终形成纳米级麻面层完全去浊后光滑透光，微米级麻面层去蚀工序后仍留有低反射的半透明浊度层的复合绒面结构。其工艺过程简单，微米麻面层以及纳米麻面层的深度稳定可控、成型精度高，形成的微纳浊透复合结构不但增大了太阳能电池片晶体硅的受光的面积，并且受光照角度影响小，能接受的斜光束大，无论是晨阳还是夕阳的微弱阳光均能有效响应，制得的太阳能电池片可水平摆放，细微的纳米级透亮的浅坑十分利于吸收微弱的反射光，全方位提高了红橙弱光利用率。

【技术实现步骤摘要】
晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法及其应用。
技术介绍
随着发展中国家能源消费的崛起，现有化石能源逐渐枯竭，寻求可再生能源已成为各国的共识，可再生能源包含太阳能、风能、水能等。其中的太阳能因其分布广泛，随处可用，因此备受各国关注。开发太阳能电池的关键问题在于提高转换效率和降低成本，对于硅系太阳能电池，1997年美国哈佛大学的Eric.Mazur等人用飞秒激光脉冲在SF6和Cl2气体环境下反复照射硅片表面时，产生一种圆锥形的尖峰状阵列结构，具有这种结构的硅片肉眼观察呈现黑色，故叫“黑硅”。黑硅因其独特的陷光结构能大幅度降低晶硅电池的反射率，引起了各方重视，各国竞相开发新的电池片绒面制备工艺，先后开发出了尖峰形、金字塔形（如图1所示）、倒金字塔形、虫洞型等各种绒面结构和制备技术。目前主流的黑硅制备工艺为干法制绒的离子反应法（ReactiveIonEtching,RIE）及湿法制绒的金属催化化学腐蚀法（MetalCatalyzedChemicalEtch本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：/nS1: 将平均粒径为 10～40微米的砂粒和水充分搅拌混合形成微米级水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将微米级水砂混合物均匀地喷射至硅片表面直至硅片表面形成微米级麻面层；/nS2: 将平均粒径为1～2微米的砂粒和水充分搅拌混合形成纳米级的水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将纳米级的水砂混合物均匀地喷射至步骤S1得到的硅片表面，在微米级麻面层表面形成纳米级麻面层；/nS3: 将喷砂完毕的硅片放入蚀刻液内蚀刻得到微纳浊透复合绒面制品，所述蚀刻液为可腐蚀硅片的碱液或混酸蚀刻液，蚀刻液的浓度以及蚀刻时间以由步骤S2得到的硅片表面呈现...

【技术特征摘要】
20190308 CN 20191017725771.一种晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：
S1:将平均粒径为10～40微米的砂粒和水充分搅拌混合形成微米级水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将微米级水砂混合物均匀地喷射至硅片表面直至硅片表面形成微米级麻面层；
S2:将平均粒径为1～2微米的砂粒和水充分搅拌混合形成纳米级的水砂混合物，而后利用高压水砂喷枪将纳米级的水砂混合物均匀地喷射至步骤S1得到的硅片表面，在微米级麻面层表面形成纳米级麻面层；
S3:将喷砂完毕的硅片放入蚀刻液内蚀刻得到微纳浊透复合绒面制品，所述蚀刻液为可腐蚀硅片的碱液或混酸蚀刻液，蚀刻液的浓度以及蚀刻时间以由步骤S2得到的硅片表面呈现凹凸起伏、浊透相间状态为准。


2.根据权利要求1所述逇晶硅片微纳浊透复合绒面的制备方法，其特征在于：所述步骤S3为中所述蚀刻液为氢氟酸与硝酸混合液，所述氢氟酸物质的量浓度为1.0mol/L～1.4mol/L，所述硝酸物质的量浓度为11mol/L～15mol/L，蚀刻时间为35～80min，蚀刻温度为5～15℃。


3.一种太阳能电池片，其包括晶硅片，其特征在于：所述晶硅片的正面具有凹凸起伏、浊透相间的微纳浊透...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢璋，邱仲财，祖基才，黄双枝，
申请(专利权)人：欧浦登顺昌光学有限公司，欧浦登福州光学有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35