阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。其中，阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源电极和漏电极、钝化层。钝化层上设有贯穿至所述源电极或所述漏电极的过孔，所述过孔中设有包含导电材料的搭接导电层，所述搭接导电层用于与像素电极电连接。上述阵列基板的表面平整，进而利于电路布线和像素界定层的灵活设定。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管和量子点发光二极管是目前显示器件研究的两个主要方向。其中，有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高及轻薄等优点。量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调及使用寿命长等优点。印刷工艺是OLED和QLED器件加工过程中的重要环节，但采用印刷工艺制备显示器件时，需要在制备像素电极之前，对薄膜晶体管的钝化层开设较深的过孔，以便源/漏电极与像素电极连通。但由于较深的过孔存在导致最终制备的阵列基板的表面不平整，制约了电路布线的灵活性和像素界定层设计的灵活性。
技术实现思路
基于此，有必要针对阵列基板不平整的问题，提供一种表面平整的阵列基板。一种表面平整的阵列基板，包括：衬底基板；薄膜晶体管，设于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括：栅极，设于所述衬底基板上；栅极绝缘层，覆盖在所述栅极上；半导体层，设于所述栅极绝缘层上；源电极和漏电极，设于所述栅极绝缘层上并与所述半导体层电连接；钝化层，覆盖所述源电极和所述漏电极；以及所述钝化层上设有贯穿至所述源电极或所述漏电极的过孔，所述过孔中设有包含导电材料的搭接导电层，所述搭接导电层用于与像素电极电连接。上述阵列基板的表面平整，进而利于电路布线和像素界定层的灵活设定。具体而言，由于在制备像素电极前，先对钝化层上较深的过孔用导电材料填充以形成可将源电极或漏电极与像素电极电连接的搭接导电层，这样也就避免因为较深过孔的存在而导致阵列基板表面不平整的问题，进而导致后续制备像素电极不平整，影响电路布线和像素界定层的灵活设定。在其中一个实施例中，所述搭接导电层填充满所述过孔的空间，且所述搭接导电层的厚度与所述过孔的高度相等。在其中一个实施例中，所述钝化层的组成材料包括绝缘材料和有机光阻材料中的一种或两种。本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法。一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：在衬底基板的一侧形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于栅极绝缘层上并与所述半导体层电连接的源电极和漏电极、覆盖所述源电极和所述漏电极的钝化层；在所述薄膜晶体管对应所述源电极或所述漏电极位置处的钝化层上开设过孔；在所述过孔中沉积导电材料，以在所述过孔中形成搭接导电层。上述制备方法简单，在制备像素电极前，只需对钝化层上较深的过孔用导电材料填充，这样也就避免后续制备像素电极时，因为较深过孔的存在导致像素电极表面不平整的问题，进而利于电路布线和像素界定层的灵活设定。在其中一个实施例中，在所述薄膜晶体管对应所述源电极或所述漏电极位置处的钝化层上开设过孔之后，在所述过孔中沉积导电材料，以在所述过孔中形成搭接导电层的步骤之前，还包括在所述薄膜晶体管的钝化层上沉积光阻材料以形成光阻层；去除渗入所述过孔中的光阻材料。在其中一个实施例中，所述去除渗入所述过孔中的光阻材料的步骤中，采用刻蚀的方式去除所述过孔中的光阻材料。在其中一个实施例中，在所述过孔中沉积导电材料，以在所述过孔中形成搭接导电层的步骤中，当过孔中的导电材料的沉积厚度与所述过孔的高度相等时，停止沉积导电材料。本专利技术还包括一种显示装置。一种显示装置，包括：本专利技术所述的阵列基板或本专利技术所述的方法制备的阵列基板。上述显示装置的阵列基板表面平整，以致显示装置的内部结构布局合理，器件使用寿命长。在其中一个实施例中，所述显示装置还包括设于所述阵列基板上的像素电极，所述像素电极为反射型电极。附图说明图1为本专利技术一实施方式中的阵列基板制作方法的流程图。图2-图6为本专利技术一实施方式中的阵列基板形成过程的示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。参阅图1(图1为阵列基板的结构示意图)本专利技术一实施例中提供了一种阵列基板，其包括：衬底基板100和薄膜晶体管200和设于薄膜晶体管200上的过孔300。其中，衬底基板100主要用于支撑附于其上的元器件，衬底基板100可以为玻璃基板，也可以为柔性基板，在此不做过多限定。其中，薄膜晶体管200，设于所述衬底基板100上，薄膜晶体管200的作用是驱动其上载有的发光元器件，实现图像显示。其中，所述薄膜晶体管200包括：设于所述衬底基板100上的栅极210、覆盖在所述栅极210上的栅极绝缘层220、设于所述栅极绝缘层220上的半导体层230、设于所述栅极绝缘层220上的源电极241和漏电极242，以及覆盖所述源电极241和所述漏电极242的钝化层250。其中，源电极241或漏电极242的任一个可以与所述半导体层230电连接，在一个具体示例中，栅极210的组成材料为导电金属，如单质金属或合金等，具体地，导电金属选自Al、Cu/Mo合金或Al/Mo合金。在一个具体示例中，栅极绝缘层220的组成材料为SiOx或SiNx。在一个具体示例中，所述阵列基板还包括与所述源电极241或漏电极242同层设置的辅助电极700，辅助电极700的主要作用是减小像素电极500(阴极)的电阻，进而提高显示均匀性。其中，辅助电极700与源电极241或漏电极242在同一工序中形成，从而有利于简化工艺并且降低成本。在一个具体示例中，辅助电极700为导电金属，具体地，导电金属选自Al、Cu/Mo合金或Al/Mo合金。在一个具体示例中，源电极241或漏电极242为导电金属，具体地，导电金属选自Al、Cu/Mo合金或Al/Mo合金。在一个具体示例中，半导体层230为金属氧化物半导体层或硅基半导体层。在一个具体示例中，钝化层250的组成材料包括绝缘材料和有机光阻材料中的一种或两种的组合。其中，过孔300，设于薄膜晶体管200上，具体而言，过孔300设在所述钝化层250上，过孔300贯穿至所述源电极241或所述漏电极242，所述过孔300中设有包含导电材料的搭接导电层400，所述搭接导电层400用于与像素电极电连接。也就是说，所述源电极241或漏电极242与所述像素电极500本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n薄膜晶体管，设于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括：/n栅极，设于所述衬底基板上；/n栅极绝缘层，覆盖在所述栅极上；/n半导体层，设于所述栅极绝缘层上；/n源电极和漏电极，设于所述栅极绝缘层上并与所述半导体层电连接；/n钝化层，覆盖所述源电极和所述漏电极；以及/n所述钝化层上设有贯穿至所述源电极或所述漏电极的过孔，所述过孔中设有包含导电材料的搭接导电层，所述搭接导电层用于与像素电极电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
薄膜晶体管，设于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括：
栅极，设于所述衬底基板上；
栅极绝缘层，覆盖在所述栅极上；
半导体层，设于所述栅极绝缘层上；
源电极和漏电极，设于所述栅极绝缘层上并与所述半导体层电连接；
钝化层，覆盖所述源电极和所述漏电极；以及
所述钝化层上设有贯穿至所述源电极或所述漏电极的过孔，所述过孔中设有包含导电材料的搭接导电层，所述搭接导电层用于与像素电极电连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述搭接导电层填充满所述过孔的空间，且所述搭接导电层的厚度与所述过孔的高度相等。


3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的组成材料包括绝缘材料和有机光阻材料中的一种或两种。


4.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底基板的一侧形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于栅极绝缘层上并与所述半导体层电连接的源电极和漏电极、覆盖所述源电极和所述漏电极的钝化层；
在所述薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：史文，陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44