阵列基板、显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种阵列基板、显示面板，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的阵列基板中驱动电路结构占用空间大的问题。本实用新型专利技术的一种阵列基板，包括基底以及位于基底上的第一晶体管、第二晶体管、发光结构，第一晶体管用于控制发光结构发光，第二晶体管用于控制第一晶体管的导通，其中，第一晶体管为顶栅型晶体管，第二晶体管为底栅型晶体管。

Array base plate, display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板
本技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板、显示面板。
技术介绍
现有技术的显示面板中一般通过驱动电路来实现显示面板的显示，其中，驱动电路中至少包括多个晶体管(如驱动晶体管、开关晶体管等)以及存储电容。为了制备方便，同一显示面板的多个晶体管均为顶栅型晶体管或者底栅型晶体管，这样的驱动电路结构占用的空间比较大，从而会导致影响显示面板的分辨率(PPI)、使得存储电容的空间小、影响开口率等问题。
技术实现思路
本技术至少部分解决现有的阵列基板中驱动电路结构占用空间大的问题，提供一种驱动电路结构占用空间小的阵列基板。解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基底以及位于所述基底上的第一晶体管、第二晶体管、发光结构，所述第一晶体管用于控制所述发光结构发光，所述第二晶体管用于控制所述第一晶体管的导通，其中，所述第一晶体管为顶栅型晶体管，所述第二晶体管为底栅型晶体管。进一步优选的是，该阵列基板还包括：位于所述基底上的第一导电层，所述第一导电层与所述第二晶体管的第一极连接，所述第一导电层与所述第一晶体管的栅极连接且同层设置，所述第一晶体管的有源层和所述第二晶体管的有源层同层设置，所述第一晶体管的栅极设于其有源层远离所述基底的一侧，所述第二晶体管的栅极设于其有源层靠近所述基底的一侧。进一步优选的是，该阵列基板还包括：第一控制线，与所述第二晶体管的栅极连接且同层设置，且所述第一控制线的长度方向与所述第二晶体管的第一极指向所述第二晶体管的第二极的方向平行。进一步优选的是，该阵列基板还包括：位于所述基底上的第三晶体管，用于向所述发光结构提供检测信号，所述第三晶体管为底栅型晶体管。进一步优选的是，该阵列基板还包括：第二控制线，与所述第三晶体管的栅极连接且同层设置，且所述第二控制线的长度方向与所述第三晶体管的第一极指向所述第二晶体管的第二极的方向平行。进一步优选的是，该阵列基板还包括：第二导电层，与所述第一晶体管的第二极连接且同层设置；第三导电层，与所述第二晶体管的栅极同层设置，至少部分所述第三导电层在所述基底上的投影与所述第二导电层在所述基底上的投影重叠，以形成存储电容。进一步优选的是，所述第三晶体管的栅极与所述第三导电层同层设置，所述第三晶体管的第一极与所述第二导电层连接且同层设置。进一步优选的是，该阵列基板还包括：数据线，与所述第二晶体管的第二极连接，所述数据线与所述第一导电层同层设置；电压线，与所述第一晶体管的第一极连接，所述电压线与所述第一导电层同层设置；检测线，与所述第三晶体管的第二极连接。进一步优选的是，所述发光结构设置于所述第二导电层远离所述基底的一侧，所述第二导电层与所述发光结构的电极层连接。解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，包括上述的阵列基板。进一步优选的是，所述显示面板为有机发光二极管显示面板。附图说明附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：图1为现有技术的阵列基板中的晶体管与控制线的俯视结构图；图2为本技术的实施例的一种阵列基板的俯视结构图；图3为本技术的实施例的一种阵列基板的截面示意图；图4为本技术的实施例的一种阵列基板的截面示意图；图5为本技术的实施例的一种阵列基板的电路结构图；图6a至图6f为本技术的实施例的一种阵列基板的制备过程的示意图；其中，附图标记为：1、第一晶体管；11、第一晶体管的栅极；12、第一晶体管的第一极；13、第一晶体管的第二极；14、第一晶体管的有源层；2、第二晶体管；21第二晶体管的栅极；22、第二晶体管的第一极；23、第二晶体管的第二极；24、第二晶体管的有源层；3、第三晶体管；31第三晶体管的栅极；32、第三晶体管的第一极；33、第三晶体管的第二极；34、第三晶体管的有源层；4、发光结构；5、第一导电层；6、第二导电层；7、第三导电层；81、第一绝缘层；82、第二绝缘层；83、第三绝缘层；84、基底；G1、第一控制线；G2、第二控制线；Data、数据线；VDD、电压线；Sen、检测线；C、存储电容；91、源极；92、漏极；93、控制线。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细描述。在本技术中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。在本技术中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。以下将参照附图更详细地描述本技术。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本技术的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本技术。实施例1：如图1至图6f所示，本实施例提供一种阵列基板，包括基底84以及位于基底84上的第一晶体管1、第二晶体管2、发光结构4，第一晶体管1用于控制发光结构4发光，第二晶体管2用于控制第一晶体管1的导通，其中，第一晶体管1为顶栅型晶体管，第二晶体管2为底栅型晶体管。其中，“顶栅型晶体管”表示晶体管的栅极在有源层的上方；“底栅型晶体管”表示晶体管的栅极在有源层的下方。本实施例的阵列基板的第一晶体管1和第二晶体管2的结构不同，即第一晶体管1为顶栅型晶体管，第二晶体管2为底栅型晶体管。第一晶体管1用于控制发光结构4发光，即第一晶体管1为驱动晶体管(DrTFT)；第二晶体管2用于控制第一晶体管1的导通，即第二晶体管2为开关晶体管(SwTFT)。需要说明的是，上述所说的第一晶体管1、第二晶体管2、发光结构4分别对应阵列基板中的一个像素的驱动电路，以下描述的各个结构均对应的阵列基板中的一个像素的驱动电路。本实施例的阵列基板中，通过将第一晶体管1设置为顶栅型晶体管、将第二晶体管2设置为底栅型晶体管可以避免现有技术中第一晶体管1和第二晶体管2均为顶栅型或者底栅型时所形成的驱动电路结构占用空间大，即在不增加制作工艺的基础上，将顶栅型晶体管与底栅型晶体管相结合，从而实现阵列基板的结构优化，进而可提高阵列基板的分辨率(PPI)、增大阵列基板的存储电容的空间、提高开口率等。具体的，该阵列基板还包括：位于基底84上的第一导电层5，第一导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底以及位于所述基底上的第一晶体管、第二晶体管、发光结构，/n所述第一晶体管用于控制所述发光结构发光，所述第二晶体管用于控制所述第一晶体管的导通，其中，所述第一晶体管为顶栅型晶体管，所述第二晶体管为底栅型晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底以及位于所述基底上的第一晶体管、第二晶体管、发光结构，
所述第一晶体管用于控制所述发光结构发光，所述第二晶体管用于控制所述第一晶体管的导通，其中，所述第一晶体管为顶栅型晶体管，所述第二晶体管为底栅型晶体管。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
位于所述基底上的第一导电层，所述第一导电层与所述第二晶体管的第一极连接，所述第一导电层与所述第一晶体管的栅极连接且同层设置，所述第一晶体管的有源层和所述第二晶体管的有源层同层设置，所述第一晶体管的栅极设于其有源层远离所述基底的一侧，所述第二晶体管的栅极设于其有源层靠近所述基底的一侧。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一控制线，与所述第二晶体管的栅极连接且同层设置，且所述第一控制线的长度方向与所述第二晶体管的第一极指向所述第二晶体管的第二极的方向平行。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
位于所述基底上的第三晶体管，用于向所述发光结构提供检测信号，所述第三晶体管为底栅型晶体管。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第二控制线，与所述第三晶体管的栅极连接且同层设置，且所述第二控制线的长度方向与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永谦，袁粲，王东方，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11