存储器元件配置处理和操作调整制造技术

本申请案涉及存储器元件配置处理和操作调整。一种存储器配置处理系统可以在存储器组件的运行时间期间为所述存储器组件的目标存储器单元生成配置文件。所述存储器配置处理系统可以基于触发条件来识别目标存储器单元，所述触发条件例如为存储器单元跨越错误恢复中指定深度，接收特定于供应商VS的命令，存储器单元停用或过高的后台扫描速率。所述存储器配置处理系统可以存储所述所生成的配置文件，且可以利用所述所生成的配置文件来实时地调整所述存储器装置的一或多个存储元件的操作参数。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件配置处理和操作调整
本专利技术大体上涉及一种存储器子系统，且更具体地，涉及识别存储器元件以进行配置处理来记录或调整对应操作参数。
技术介绍
存储器子系统可以为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，且可包含一或多个存储数据的存储器组件。存储器组件可为例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。通常，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器组件处并从存储器组件检索数据。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例涉及一种方法。所述方法包括：识别用于对存储器装置的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；在所述存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述目标存储器单元中的每一者生成配置文件；及存储所述所生成的配置文件。本专利技术的另一实施例涉及一种非暂时性计算机可读存储媒体。所述非暂时性计算机可读存储媒体包括指令，当所述指令由一或多个处理装置执本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n识别用于对存储器装置的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；/n选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；/n用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；/n在所述存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述目标存储器单元中的每一者生成配置文件；及/n存储所述所生成的配置文件。/n

【技术特征摘要】
20181106 US 16/182,3991.一种方法，其包括：
识别用于对存储器装置的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；
选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；
用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；
在所述存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述目标存储器单元中的每一者生成配置文件；及
存储所述所生成的配置文件。


2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述触发条件包括存储器单元进入错误恢复的识别；且
其中对应于所述所识别的触发条件的所述目标存储器单元包括进入错误恢复的所述存储器单元。


3.根据权利要求1所述的方法，
其中所述存储器装置在存储器单元的错误恢复中使用包括多个级的序列；
其中所述触发条件包括错误恢复中的存储器单元至少达到所述错误恢复序列中的阈值级的识别；且
其中对应于所述所识别的触发条件的所述目标存储器单元包括达到所述阈值级的所述存储器单元。


4.根据权利要求1所述的方法，
其中所述触发条件包括存储器单元已被选择用于停用的识别；且
其中对应于所述所识别的触发条件的所述目标存储器单元包括经选择用于停用的所述存储器单元。


5.根据权利要求1所述的方法，
其中所述存储器装置使用后台扫描程序；且
其中所述触发条件包括：
动态配置的后台扫描间隔已被设置为高于阈值水平的识别；或
后台扫描生成低于阈值的一或多个存储器单元的质量度量的识别。


6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括利用所述所存储的配置文件实时地调整所述存储器装置的一或多个存储器元件的操作参数。


7.根据权利要求1所述的方法，
其中所述存储器装置包括与非NAND存储器组件；且
其中所述目标存储器单元包括所述NAND存储器组件中的页，所述NAND存储器组件中的块或所述NAND存储器组件中的页和块的组合。


8.根据权利要求1所述的方法，
其中所述选择对应于所述所识别的触发条件的所述组一或多个目标存储器单元包括从存储器块内选择页；且
其中所述一或多个额外存储器单元包括：
与所述所选择页在同一字线上的一或多个页；及
紧在所述存储器块的与所述所选择页在同一堆叠中的所述字线上面和/或下面的字线中的一或多个页。


9.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括为所述目标存储器单元中的每一者计算电压阈值(vt)分布。


10.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括对所述目标存储器单元中的每一者执行自动读取校准ARC分析。


11.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括对所述目标存储器单元中的每一者执行连续读取电平校准cRLC分析。


12.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括：为所述目标存储器单元中的每一者记录度量，所述度量包括以下中的一或多者：总操作计数、擦除操作计数、读取操作计数、相关联温度、开机时间或其任何组合。


13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过调整所述存储器装置的一或多个存储器元件的操作参数来作用于所述所存储的配置文件，其中调整所述操作参数包括：
存取配置文件特性到动作的映射；
在所述映射中使用所述配置文件中的至少一者作为...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·丘，布鲁斯·A·利卡宁，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US