一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及面板技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法，通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。

An array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及面板
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着有源矩阵有机发光二极管显示器(Active-matrixorganiclightemittingdiode，简称为AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay，简称为AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。GOA技术(GOA：GateDriverIConArray)是近年面板发展的一种新类型，其把驱动信号的IC直接刻蚀在面板上，省去了GateDriverIC的成本和把IC绑定在面板上的工序，更重要的是由于GateDriverIC与显示面板为一个整体，使得产品更薄、分辨率更高、稳定性和抗振性更好。目前，GOA技术已经成为移动终端业的主流，智能手机几乎都使用这种液晶面板。GOA技术可以使产品更薄、分辨率更高、稳定性和抗振性更好，但是在阵列基板中为了使驱动电路具有更好的稳压效果，通常需要设置较大容量的电容，这会造成驱动电路的占用面积较大，就无法进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种能够降低电容区域结构占用面积的阵列基板及其制作方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的第一种技术方案为：一种阵列基板，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一基板和第一缓冲层；所述第一缓冲层上设有两个以上的过孔，两个以上的所述过孔中均填充有第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层远离所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层。本专利技术采用的第二种技术方案为：一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：S1、提供一电容区域结构的第一基板，且在所述第一基板的表面覆盖有第一缓冲层；S2、在所述第一缓冲层中形成两个以上的过孔；S3、分别在两个以上的过孔中形成第一栅极金属层，所述第一栅极金属层分别与所述第一基板和第一缓冲层接触；S4、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极金属层表面；S5、形成第一源极金属层，且覆盖于所述第一绝缘层表面；S6、形成第一钝化层，且覆盖于所述第一源极金属层表面。本专利技术的有益效果在于：通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。附图说明图1为根据本专利技术的一种阵列基板的结构示意图；图2为根据本专利技术的一种阵列基板的实施例二的结构示意图；图3为根据本专利技术的一种阵列基板的实施例三的结构示意图；图4为根据本专利技术的一种阵列基板的实施例四的结构示意图；图5为根据本专利技术的一种阵列基板的制作方法的步骤流程图；图6为根据本专利技术的一种阵列基板的电容区域结构面积的尺寸图；标号说明：1、电容区域结构；101、第一基板；102、第一缓冲层；103、第一栅极金属层；104、第一栅极绝缘层；105、第一源极金属层；106、第一钝化层；107、第一蚀刻阻挡层；2、TFT区域结构；201、第二基板；202、第二缓冲层；203、第二栅极金属层；204、第二栅极绝缘层；205、第二源极金属层；206、第二钝化层；207、有源层；208、第二蚀刻阻挡层。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本专利技术最关键的构思在于：通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容。请参照图1，本专利技术提供的一种技术方案：一种阵列基板，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一基板和第一缓冲层；所述第一缓冲层上设有两个以上的过孔，两个以上的所述过孔中均填充有第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层远离所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：通过在第一缓冲层上设置两个以上的过孔，在所述过孔中填充第一栅极金属层，在第一栅极金属层远离第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层，由于过孔的作用使得第一栅极金属层、第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层组合形成立体栅状结构的电容，相比现有平板式电容可以有效降低电容区域结构占用面积，在保持相同的电容容量情况下，能够进一步缩小电容尺寸，进而能够进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。进一步的，还包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括第二基板，在所述第二基板的表面上依次层叠设有第二缓冲层、第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、有源层、第二源极金属层和第二钝化层，所述第二栅极绝缘层分别与所述第二缓冲层远离第二基板的一侧面和第二栅极金属层接触，所述第二钝化层分别与所述第二源极金属层、有源层远离第二基板的一侧面和第二栅极绝缘层远离第二基板的一侧面接触。进一步的，所述TFT区域结构还包括第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层设置在所述第二源极金属层和有源层之间，所述第二蚀刻阻挡层分别与所述第二源极金属层、有源层和第二钝化层接触。由上述描述可知，在第二源极金属层和有源层之间设置第二蚀刻阻挡层，能够保证第二源极金属层在蚀刻制程中不会由于发生过蚀刻的作用影响到阵列基板的导电性能。进一步的，所述电容区域结构还包括第一蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层设置在所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层之间且分别与所述第一栅极绝缘层和第一源极金属层接触。由上述描述可知，通过设置第一蚀刻阻挡层，能够有效保护有源层沟道，若通过蚀刻方式去除有源层上方第一蚀刻阻挡层之外区域的蚀刻阻挡层可能出现由于大面积蚀刻而造成的蚀刻不均的问题，以及由于第一蚀刻阻挡层的蚀刻过程而造成膜质组成成分与其相似的栅极绝缘层的破坏。进一步的，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形。由上述描述可知，两个以上的所述过孔的竖直截面形状均为梯形，使用梯形结构由于增加了侧壁的面积可以在电容占用面积相同的情况下提高电容容量，或是保持相同容量的情况下缩减电容占用面积。请参照图5，本专利技术提供的另一种技术方案：一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：S1、提供一电容区域结构的第一基板，且在所述第一基板的表面覆盖有第一缓冲层；S2、在所述第一缓冲层中形成两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一基板和第一缓冲层；/n所述第一缓冲层上设有两个以上的过孔，两个以上的所述过孔中均填充有第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层远离所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括电容区域结构，所述电容区域结构包括第一基板和第一缓冲层；
所述第一缓冲层上设有两个以上的过孔，两个以上的所述过孔中均填充有第一栅极金属层，在所述第一栅极金属层远离所述第一基板的一侧面上依次层叠设有第一栅极绝缘层、第一源极金属层和第一钝化层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括TFT区域结构，所述TFT区域结构包括第二基板，在所述第二基板的表面上依次层叠设有第二缓冲层、第二栅极金属层、第二栅极绝缘层、有源层、第二源极金属层和第二钝化层，所述第二栅极绝缘层分别与所述第二缓冲层远离第二基板的一侧面和第二栅极金属层接触，所述第二钝化层分别与所述第二源极金属层、有源层远离第二基板的一侧面和第二栅极绝缘层远离第二基板的一侧面接触。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域结构还包括第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层设置在所述第二源极金属层和有源层之间，所述第二蚀刻阻挡层分别与所述第二源极金属层、有源层和第二钝化层接触。


4.根据权利要求1或3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述电容区域结构还包括第一蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇怀，黄志杰，苏智昱，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35