阵列基板的制作方法及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板预设有第一有源层区域和第二有源层区域，阵列基板的制作方法包括：提供基底；在基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；图案化保护层及非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出基底未与第一结构及第二结构接触的部分；其中，第一结构位于第一有源层区域，第二结构环绕第二有源层区域，第一结构中的保护层的厚度大于第二结构中的保护层的厚度；在第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。本发明专利技术实施例能够减少阵列基板制作工艺中掩膜工艺的次数，降低制作成本。

Fabrication method and display panel of array substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法及显示面板
本专利技术实施例涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，现有的显示面板多采用LTPS(低温多晶硅)技术制成，但存在漏电流较大的问题。为了降低显示面板的漏电流，现有的显示面板采用LTPO(低温多晶氧化物)工艺，然而，其工艺步骤较为复杂，成本较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制作方法及显示面板，以降低阵列基板的制作难度，节省成本。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板预设有第一有源层区域和第二有源层区域，所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；图案化所述保护层及所述非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出所述基底未与所述第一结构及所述第二结构接触的部分；其中，所述第一结构位于所述第一有源层区域，所述第二结构环绕所述第二有源层区域；所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度；在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。可选地，在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层包括：将金属氧化物材料前驱体溶液旋涂于所述第二有源层区域的基底上；退火处理以得到所述金属氧化物层。可选地，图案化所述保护层及所述非晶硅层以暴露出部分所述基底，并形成至少一个第一结构和至少一个第二结构包括：利用半色调掩膜工艺形成所述第二结构中的保护层，以使所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度。可选地，所述保护层的材料为光刻胶。可选地，所述第二结构中的保护层的厚度为0.6微米至0.8微米。可选地，所述非晶硅层的厚度为500埃米。可选地，在所述基底上被所述第二结构环绕的区域形成金属氧化物层之后还包括：去除所述第二结构；去除所述第一结构中的保护层；晶化所述第一结构中的非晶硅层以形成多晶硅层。可选地，晶化所述第一结构中的非晶硅层以形成多晶硅层包括：利用掩膜版遮挡所述金属氧化物层，并暴露出所述非晶硅层，通过退火以晶化所述第一结构中的非晶硅层。可选地，晶化所述第一结构中的非晶硅层后还包括：形成覆盖所述基底、所述多晶硅层及所述金属氧化物层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成与所述多晶硅层及所述金属氧化物层对应的栅极；对所述多晶硅层及所述金属氧化物层进行离子注入；形成覆盖所述栅极绝缘层及所述栅极的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成源漏极层。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括阵列基板，其中，所述阵列基板采用利用第一方面所述的制作方法制作；所述第一结构的非晶硅层与所述金属氧化物层同层设置，且均位于所述基底上。本专利技术采用的阵列基板的制作方法包括：提供基底；在基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；图案化保护层及非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出基底未与第一结构及第二结构接触的部分；其中，第一结构位于第一有源层区域，第二结构环绕第二有源层区域，第一结构中的保护层的厚度大于第二结构中的保护层的厚度；在第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。利用一次掩膜工艺即可形成用于制作LTPS晶体管有源层的非晶硅层以及用于制作IGZO晶体管的金属氧化物层，避免了现有技术中需要两次掩膜工艺以分别形成用于制作LTPS晶体管有源层的非晶硅层以及用于制作IGZO晶体管的金属氧化物层，从而节省了掩膜工艺，降低了LTPO器件制作的工艺难度，进而降低了工艺成本。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；图2-图17为本专利技术提供的阵列基板的制作方法主要流程对应的产品结构示意图；图18为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。正如
技术介绍
中提到的现有的显示面板存在制作工艺复杂，成本较高的问题，专利技术人经过仔细研究发现，产生此技术问题的原因在于：对于现有的LTPO显示面板，由于其包含LTPS晶体管以及IGZO(氧化铟镓锌)晶体管，构成晶体管的有源层分别为多晶硅和IGZO，且现有技术中两种晶体管的有源层位于不同的层，并且均是利用两次掩膜工艺形成，从而造成显示面板制作过程中需要用到的掩膜工艺较多，成本较高。基于上述技术问题，本专利技术提出如下解决方案：图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图，参考图1，阵列基板的制作方法包括：步骤S11，提供基底；具体地，图2-图17为本专利技术提供的阵列基板的制作方法主要流程对应的产品结构示意图，参考图2，基底101可为刚性基底或者柔性基底，以为阵列基板上的其余膜层提供支撑；当基底101为刚性基底时，基底101的材料可为玻璃，当基底101为柔性基底时，基底101的材料可为聚酰亚胺PI；在其他一些实施例中，基底101还可为透明基底，以使得阵列基板可应用于底发射的显示面板中。步骤S12，在基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；具体地，可利用沉积的方式在基底101上形成一层非晶硅层102，然后在非晶硅层102上涂布形成保护层103；非晶硅层102一方面可用于后续制备LTPS晶体管的有源层，另一方面还可用于形成界定金属氧化物层的堤坝；而保护层103一方面可用于保护非晶硅层102，另一方面还可用于同非晶硅层102共同形成界定金属氧化物层的堤坝。步骤S13，图案化保护层及非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出基底未与第一结构及第二结构接触的部分；其中，第一结构位于第一有源层区域，第二结构环绕第二有源层区域，第一结构中的保护层的厚度大于第二结构中的保护层的厚度。具体地，如图4所示，阵列基板上预设有第一有源层区域100和第二有源层区域200，可利用一次掩膜工艺对保护层103以及非晶硅层102进行图形化，以同时形成第一结构201和第二结构202，其中，第一结构201位于第一有源层区域100，第二结构202环绕第二有源层区域200，即第二结构202为环绕一周的堤坝形结构，其轮廓可为圆形或者多边形等，本专利技术实施例对此不做具体限定，环状的第二结构202用于界定出金属氧化物层所在的区域。第一结构201中的非晶硅层可用于后续晶化以形成LTPS晶体管的有源层。且第一结构201中的保护层2011的厚度大于第二结构202中的保护层2012的厚度；金属氧化物层104在制作完成后，在后续制作工艺中，可将第二结构202中的保护层2012以及非晶硅层去除，以防止非晶硅层对金属氧化物层104产生影响，进而影响IGZO晶体管工作的稳定性。而通过设置第一结构201中保护层2011的厚度大于第二结构202中保护层2012的厚度，在后续将第二结构202刻蚀掉时，不会将第一结构201中的非晶硅刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板预设有第一有源层区域和第二有源层区域，所述方法包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；/n图案化所述保护层及所述非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出所述基底未与所述第一结构及所述第二结构接触的部分；其中，所述第一结构位于所述第一有源层区域，所述第二结构环绕所述第二有源层区域，所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度；/n在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板预设有第一有源层区域和第二有源层区域，所述方法包括：
提供基底；
在所述基底上形成依次层叠的非晶硅层和保护层；
图案化所述保护层及所述非晶硅层以形成至少一个第一结构和至少一个第二结构，并暴露出所述基底未与所述第一结构及所述第二结构接触的部分；其中，所述第一结构位于所述第一有源层区域，所述第二结构环绕所述第二有源层区域，所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度；
在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
在所述第二有源层区域的基底上形成金属氧化物层包括：
将金属氧化物材料前驱体溶液旋涂于所述第二有源层区域的基底上；
退火处理以得到所述金属氧化物层。


3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，图案化所述保护层及所述非晶硅层以暴露出部分所述基底，并形成至少一个第一结构和至少一个第二结构包括：
利用半色调掩膜工艺形成所述第二结构中的保护层，以使所述第一结构中的保护层的厚度大于所述第二结构中的保护层的厚度。


4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述保护层的材料为光刻胶。


5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述第二结构中的保护层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥永，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34