用于评估热敏结构的方法技术

一种用于评估热敏结构的方法包括识别集成电路设计布局中的热敏结构，热敏结构的特征在于标称温度；识别热敏结构的热耦合范围内的发热结构；计算第一发热结构的工作温度；计算由于在工作温度下热耦合至发热结构引起的热敏结构的温度增量；以及在评估温度下执行热敏结构的电迁移(EM)分析，评估温度是通过以由于发热结构引起的温度增量来调整标称温度而获得。

Methods used to evaluate thermal structures

【技术实现步骤摘要】
用于评估热敏结构的方法
本揭示内容是关于一种评估方法，特别是关于一种评估热敏结构的方法。
技术介绍
流过导线的电流引起电迁移(EM)，亦即，由于经过导线的电子与导线的金属原子之间的动量转移而导致的金属原子的运动。随着时间推移，EM导致电线中形成小丘(过量金属的累积)及/或孔洞(初始金属耗尽)，此继而增加短路(小丘)或开路(孔洞)的风险。通过考虑诸多操作因素来估计由EM引起的导线的平均失效时间(MTTF)，此些操作因素包括(例如)导线的(若干)大小、导线的组成，导线的微观结构、导线所承载的电流密度、将电流施加至导线的(若干)工作循环、以及施加至导线的信号的频率，以及导线及相邻结构的(若干)工作温度。应用于特定集成电路设计的EM评估、分析及签核方法试图考虑至少一些操作因素，以便提供关于使用此集成电路设计制造的半导体元件的寿命的合理且慎重的估计，以便避免半导体元件的过早失效。
技术实现思路
本揭示内容的一实施方式是关于一种用于评估一热敏结构的方法，其包含下列操作：识别集成电路设计布局中的热敏结构，热敏结构具有标称温度；识别本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于评估一热敏结构的方法，其特征在于，包括：/n识别一集成电路设计布局中的一热敏结构，该热敏结构具有一标称温度T

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,533;20190906 US 16/563,7991.一种用于评估一热敏结构的方法，其特征在于，包括：
识别一集成电路设计布局中的一热敏结构，该热敏结构具有一标称温度Tnom；
识别该热敏结构的一热耦合范围内的一第一信号携载结构；
根据在一时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：盂曾贤，刘胜峯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71