一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法技术

本发明专利技术公开了一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，所述方法包括如下步骤：先将碱液倒入硅片清洗装置的清洗槽中备用；然后使所述碱液经过与所述清洗槽连接的循环管路流重新流至清洗槽中；其次通过臭氧发生器产生臭氧并在碱液中均匀混合形成臭氧气泡；接着将待清洗的硅片置于清洗槽中使硅片浸没在充满臭氧气泡的碱液中进行臭氧清洗；最后上步中臭氧清洗完成的硅片放入纯水中去除残留碱液；本发明专利技术通过将臭氧以气泡的形式在碱液中，延长了羟基自由基(·OH)、氧化羟基自由基(·O

A method of cleaning silicon wafer with alkaline solution containing ozone

【技术实现步骤摘要】
一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法。
技术介绍
硅片是太阳能电池片的载体，在太阳能电池制造工艺中，硅片作为太阳能电池的核心部件，其各项性能参数直接影响太阳能电池片光电转化效率的高低，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等，因此硅片的清洗很重要。通过清洗硅片使之达到良好的清洗效果对于提升太阳能电池成品的光电转化效率具有重要的意义。在切割硅片过程中，硅片表面可能沾污的杂质大致可分为三类：(1)油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物；(2)金属、金属离子及一些无机化合物；(3)尘埃及其他颗粒等。现有技术中，对硅片的清洗通常采用化学清洗方法，传统的RCA清洗硅片的方法中，涉及氨水、双氧水、氢氧化钾等化学品的使用及排放，对环境造成极大的污染；臭氧清洗方法在硅片清洗领域有广泛应用，使用臭氧清洗硅片方法相较传统的RCA清洗法不仅能够降低生产成本，还降低了有害物质的排放，是一种绿色环保的清洗方法。常见的臭氧清洗方式为在含有盐酸或者氢氟酸的水溶液中通入臭氧，溶解到水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n将待清洗的硅片放入配制好的碱液中；然后在碱液中通入微小臭氧气泡进行清洗，所述的气泡的平均直径≤10mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，其特征在于：具体包括如下步骤：
将待清洗的硅片放入配制好的碱液中；然后在碱液中通入微小臭氧气泡进行清洗，所述的气泡的平均直径≤10mm。


2.根据权利要求1所述的一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，其特征在于：所述清洗硅片的方法在硅片清洗装置中完成，所述清洗装置包括清洗槽和臭氧气泡发生装置，所述清洗槽中盛有碱液，所述臭氧气泡发生装置在碱液中形成微小气泡，所述清洗装置还包括碱液循环装置，所述清洗槽上设置有进液口和出液口，所述进液口和所述出液口分别与所述碱液循环装置连接。


3.根据权利要求1所述的一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，其特征在于：所述的碱液选用氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾和氨水中的一种或几种配制而成。


4.根据权利要求1所述的一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法及装置，其特征在于：所述的碱液的pH≥8。


5.根据权利要求1所述的一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，其特征在于：所述的臭氧气体的总体积与所述碱液的体积比≥1:100。


6.根据权利要求1所述的一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，其特征在于：所述的清洗槽中的碱液温度为5-95℃。


7.根据权利要求2所述的一种含有臭氧的碱性溶液清洗硅片的方法，其特征在于：所述清洗槽包括外槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜俊霖，刘正新，孟凡英，孙林，
申请(专利权)人：中威新能源成都有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51