【技术实现步骤摘要】
碱辅助插层在二维半导体Ti3C2O2合成中的应用
本专利技术属于半导体材料
，特别涉及碱辅助插层在合成一种二维半导体材料Ti3C2O2中的应用。
技术介绍
自2004年首次报道石墨烯单层以来，二维材料因其出色的性能而受到广泛关注，过渡金属碳化物，碳氮化物和氮化物(MXenes)是性能非常优异的2D材料，MXene的通式为Mn+1XnTx(n＝1-3)，其中M是早期过渡金属(例如Sc，Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Mo等)，X是C或N，Tx代表表面末端(羟基，氧或氟)(AdvancedMaterials,2014,26(7):992-1005)。最近的密度泛函理论计算预测，MXenes的结构和电子性质都会受到表面官能化的强烈影响。(JournalofMaterialsChemistryA,2015,3(9):4960-4966.)Ti3C2Tx是80多种不同的已知过渡金属碳化物，碳氮化物和氮化物之一。它具有优异的性能，例如良好的电子导电性、高比表面积、高亲水性、高透明性、方便的构建基块等。密度泛函理论计...
【技术保护点】
1.一种碱辅助插层在二维半导体Ti
【技术特征摘要】
1.一种碱辅助插层在二维半导体Ti3C2O2合成中的应用，通过用HF酸刻蚀Ti3AlC2生成Ti3C2Tx，通过四丁基氢氧化铵TBAOH插层使其层间距扩大，使Ti3C2Tx表面负载大量-OH，然后在管式炉中进行煅烧，获得窄带隙半导体材料Ti3C2O2，从而作为半导体光催化剂用于光伏器件中；其特征在于，
具体步骤如下：
第一步，将Ti3AlC2粉体缓缓加入到HF溶液中，Ti3AlC2:HF＝120～150g/L，在艾卡热台上常温搅拌蚀刻8～24h，然后在1000～4500rpm下用离心机离心1～10min，除去HF，将沉淀物用去离子水清洗至pH>5，在真空和10～60℃温度条件下干燥2～12h得到手风琴状的Ti3C2Tx；
第二步，向Ti3C2Tx中加入用于插层的TBAOH，Ti3AlC2:TBAOH＝12～15g/L，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：高立国，王宁，闫业玲，曹俊媚，马廷丽，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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