一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法技术

本发明专利技术旨在降低脑深部刺激手术中套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，并减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度，结合仿生微织构对摩擦表面的减摩思想，提出了一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法，在套管电极圆柱表面上加工一系列直线型阵列沟槽仿生微织构，直线型阵列沟槽在套管电极圆柱表面的圆周方向上等距分布，通过固体纳秒激光系统、转速及转角可控的中空旋转夹持器和斜度可调的角度倾斜台，以激光扫描的加工形式，在套管电极外圆柱面上加工出直线型沟槽，自动高效的完成加工，并且保证沟槽的尺寸精度，制备获得的套管电极可降低套管电极圆柱表面与脑组织之间的穿刺摩擦力，减小套管电极对脑组织的穿刺损伤程度。

A kind of interleaved array biomimetic micro texture brain stimulation sleeve electrode and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法
本专利技术属于脑深部穿刺介入
，具体涉及一种直线型交错阵列仿生微织构脑深部刺激套管电极及其制备方法。
技术介绍
随着人类年龄的增长及生活、工作压力的增大，大脑深部某些神经核团会出现功能失调的现象，因而导致一系列的行为、意志、认知、情感等精神活动障碍疾病，严重威害人类的身体和精神健康。脑深部刺激术是治疗此类病症的有效方式。然而，脑深部刺激术的实施较为复杂，需采用立体定向及微电极记录相结合的技术，以实施刺激电极对靶点的定位。其中，微电极记录过程需利用内置针芯的套管电极对脑组织进行较长路径的穿刺（≥50mm），当微电极记录过程及刺激电极对靶点完成定位后还需将套管电极拔出。当套管电极刺破大脑皮质进入脑组织之后，套管电极圆柱表面与脑组织之间会因相对运动产生摩擦力。摩擦力随穿刺深度的增大而增大，除使脑组织变形、移位外，还会对穿刺路径上的脑组织产生持续的剪切、拖拽和牵拉作用，使穿刺路径上的脑组织产生水肿、疤痕、神经胶质、细胞凋亡等损伤现象。此外，额叶大脑皮质是大脑中最重要的神经组织区域，在套管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极制备方法，用于将套管电极的外圆柱面上加工仿生微织构，其仿生微织构为沿套管电极直线方向设置的直线型沟槽，/n其特征在于，采用固体纳秒激光系统 ，其具体步骤为：/nS1、将套管电极置于酒精中进行超声波清洗；/nS2、将转速及转角可控的中空旋转夹持器固定在斜度可调的角度倾斜台上，然后将二者置于XYZR轴千分尺微调平台上，将XYZR轴千分尺微调平台安装在固体纳秒激光系统的工作台上；/nS3、将套管电极通过中空旋转夹持器的三爪卡盘夹持；/nS4、通过角度倾斜台和XYZR轴千分尺微调平台调整套管电极的轴线与激光扫描路径平行，同时保证XYZR轴千分尺微调平台的X轴与...

【技术特征摘要】
1.一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极制备方法，用于将套管电极的外圆柱面上加工仿生微织构，其仿生微织构为沿套管电极直线方向设置的直线型沟槽，
其特征在于，采用固体纳秒激光系统，其具体步骤为：
S1、将套管电极置于酒精中进行超声波清洗；
S2、将转速及转角可控的中空旋转夹持器固定在斜度可调的角度倾斜台上，然后将二者置于XYZR轴千分尺微调平台上，将XYZR轴千分尺微调平台安装在固体纳秒激光系统的工作台上；
S3、将套管电极通过中空旋转夹持器的三爪卡盘夹持；
S4、通过角度倾斜台和XYZR轴千分尺微调平台调整套管电极的轴线与激光扫描路径平行，同时保证XYZR轴千分尺微调平台的X轴与激光扫描方向平行；
S5、设定激光扫描长度，使激光镜头发射红光，调整XYZR轴千分尺微调平台的Y轴，使红光路径与套管电极最高端的母线重合；
S6、调整XYZR轴千分尺微调平台的X轴，使红光与套管电极端面间隔一段距离；
S7、调整固体纳秒激光系统镜头的高度，完成激光的对焦步骤；
S8、在固体纳秒激光系统中设定若干段长度的线段，线段之间具有轴向间距；
S9、安装激光参数加工出第1列第一类仿生微织构的直线型沟槽；
S10、通过中空旋转夹持器使套管电极旋转2π/n，按照激光参数加工出第2列第一类仿生微织构沟槽，n为8-16之间的整数；
S11、重复S10操作n-2次，即可完成第一类直线型仿生微织构的加工；
S12、通过中空旋转夹持器使套管电极旋转2π/2n，在固体纳秒激光系统中设定直线型沟槽长度，每段直线型沟槽之间具有轴向间距；
S13、按照激光参数加工出第1列第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岩，张文超，赵文韬，刘宇航，柴永生，刘希宽，
申请(专利权)人：烟台大学，
类型：发明
国别省市：山东;37